A2B가 기초반응이므로 반응차수는 A의 화학양론계수와 같은 1차()이다.
기초반응에서는 속도식의 지수가 반응물의 계수와 일치하므로 이다.
- 는 0차 반응의 적분식이며, 1차 반응은 이다.
- 은 3차 반응의 속도상수 단위이고, 1차 반응의 단위는 이다.
- A 1몰이 소멸할 때 B 2몰이 생성되므로 B의 생성속도가 A 소멸속도의 2배이며, 반대로 서술한 것은 틀리다.
1차 액상 반응을 PFR에서 99 % 전환하는 데 필요한 공간시간은 230 s이다.
PFR 1차 설계식:
대입:
결과:
- 57.5 s는 에 해당해 약 68 % 전환에 그친다.
- 115 s는 만 반영한 값으로 90 % 전환에 해당한다.
- 460 s는 에 해당해 99.99 % 전환에 필요한 시간이다.
0차 반응은 전환율이 반응시간에 정비례하므로 2시간 후 전환율은 80 %이다.
0차 회분식: , 즉
1시간에 0.4이므로 2시간에는
- 40 %는 시간이 늘어도 전환율이 그대로라고 본 값이다.
- 60 %는 시간이 지날수록 전환율 증가폭이 줄어든다고 본 값이지만, 0차 반응은 농도와 무관하게 일정 속도로 소모되므로 증가폭이 일정하다.
- 100 %는 2.5시간이 지나야 도달하는 값이다.
병렬 1차 반응의 속도상수를 합해 CSTR 1차 설계식에 넣으면 전환율은 이다.
A 소멸속도:
공간시간:
전환율:
- 은 미반응 분율 에 해당한다.
- 은 으로 과대 계산한 값이다.
- 은 그 과대 계산에서의 미반응 분율이다.
2차 반응의 반감기는 이며, 는 1차 반응의 반감기이다.
2차 반응의 반감기는 초기농도에 반비례하고, 초기농도와 무관한 반감기를 갖는 것은 1차 반응뿐이다.
- 2차 반응이므로 소멸속도 는 옳다.
- 적분식 를 전환율로 바꾸면 로 옳다.
- 액상(정용) 반응이므로 는 옳다.
내부유효인자가 모든 반응에서 1 이하인 것은 아니다. 강한 발열반응이나 음의 차수 반응에서는 1을 넘을 수 있다.
발열이 크면 입자 내부 온도가 표면보다 높아져 내부 반응속도가 표면 조건 기준 속도보다 커지므로 유효인자가 1보다 커진다.
- 내부유효인자를 내부확산 저항이 없을 때(표면 조건)의 반응속도에 대한 실제 총괄반응속도의 비로 정의한 것은 옳다.
- Thiele 계수의 제곱이 확산속도에 대한 표면 반응속도의 비를 나타낸다는 것은 옳다.
- 입자 지름이 작아지면 Thiele 계수가 작아져 확산 저항이 줄고 유효인자가 1에 가까워진다는 것은 옳다.
2차 반응 CSTR에서 90 % 전환에 필요한 부피는 45 L이다.
설계식:
50 %: , 90 %:
부피비: , 따라서
- 9 L는 1차 반응 CSTR()로 계산한 값이다.
- 18 L는 의존성을 충분히 반영하지 못해 부피를 과소평가한 값이다.
- 36 L 역시 필요 부피보다 작아 90 % 전환에 이르지 못한다.
농도평형상수 공간시간
농도평형상수는 , 50 % 전환에 필요한 공간시간은 10 min이다.
50 % 전환 시:
속도:
CSTR:
- 평형상수 0.5와 5 min 조합은 평형상수를 로 뒤집고 공간시간도 절반으로 잡았다.
- 평형상수 0.5와 10 min 조합은 공간시간은 맞지만 평형상수를 역수로 취했다.
- 평형상수 2와 5 min 조합은 평형상수는 맞지만 분자 를 1이 아닌 0.5로 잡았다.
평형 농도를 양론으로 구해 대입하면 농도평형상수는 이다.
B 반응량: 이므로 A는 1 감소, C는 2·D는 1 생성
평형:
- 은 평형 농도 대입값보다 작게 잡은 값이다.
- 도 평형 농도 대입 결과와 맞지 않는다.
- 는 평형 농도 대입값보다 크게 잡은 값이다.
Thiele 계수가 매우 크고 입자 지름이 작아질수록 총괄속도가 증가했으므로 속도제한단계는 세공을 통한 내부확산이다.
Thiele 계수가 클 때 유효인자는 Thiele 계수에 반비례()하고 Thiele 계수는 입자 지름에 비례하므로, 외부확산이 배제된 상태에서 지름 의존성이 나타나는 것은 내부확산 지배의 특징이다.
- 반응물 흡착이 율속이면 촉매 질량당 속도가 활성점에서 결정되어 입자 지름에 좌우되지 않는다.
- 표면반응이 율속이면 Thiele 계수가 작아 유효인자가 1에 가깝고 입자 지름의 영향을 받지 않는다.
- 생성물 탈착이 율속이어도 입자 지름 변화에 따른 속도 변화는 나타나지 않는다.
제한반응물 C의 농도
양론상 A가 제한반응물이고, 80 % 전환 시 C의 농도는 이다.
B를 모두 반응시키려면 A가 필요하지만 8뿐이므로 A가 먼저 소진된다.
A 반응량:
C 생성량:
- A와 6.4 조합은 A의 반응량을 C 농도로 착각했다.
- B와 8 조합은 제한반응물을 B로 잘못 판단했다.
- B와 12 조합도 B를 제한반응물로 보고 C 농도를 과대 계산했다.
| 시간[h] | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 |
|---|---|---|---|---|---|
2차 반응은 가 시간에 직선으로 증가하며, 그 기울기인 속도상수는 이다.
적분식:
표 값: (1 h마다 10씩 증가)
결과:
- 20은 초기값 를 속도상수로 혼동한 값이다.
- 30은 1 h 시점의 일 뿐 기울기가 아니다.
- 40은 2 h 시점의 일 뿐 기울기가 아니다.
A S
A T
세 반응의 속도를 합하면 이므로 순간 수율은 이다.
A 소멸속도:
수율:
- 분자가 , 분모가 인 식은 S 생성속도의 계수 2를 빠뜨렸다.
- 분자가 , 분모가 인 식은 S 생성분을 A 소멸속도에 더하지 않았다.
- 분자가 , 분모가 인 식은 두 오류가 겹쳤다.
1차 반응에서 두 반응기 부피비는 이다.
PFR:
CSTR:
두 식을 나누면 가 소거된다.
이 비는 항상 1보다 작아, 1차 반응에서는 PFR이 더 작은 부피로 같은 전환율을 낸다.
- 에 로그항을 곱한 식은 두 부피를 나누지 않고 곱한 꼴이다.
- 를 로그항으로 나눈 식은 값이 음수가 되어 부피비가 될 수 없다.
- 를 로그항으로 나눈 식은 CSTR/PFR 비(역수)에 부호까지 음수이다.
(나) (다)

(나) 위치는 800 K, (다) 위치는 600 K이다.
단열 PFR에서는 에너지수지에 따라 전환율과 온도가 직선으로 함께 오르고, 냉각기에서는 전환율이 그대로인 채 온도만 내려간다(그래프의 점선). 첫 반응기는 600 K에서 출발해 900 K, 에 이르고, 냉각 후 600 K에서 두 번째 반응기가 시작된다.
두 번째 반응기 출구 (나)는 직선이 끝나는 , 800 K이며, 이어지는 냉각기 출구 (다)는 다시 600 K로 내려간 지점이다.
- (나)를 900 K로 보는 조합: 900 K는 첫 반응기 출구 온도이다.
- (다)를 700 K로 보는 조합: 두 번째 냉각선은 600 K까지 이어진다.
- (나) 900 K·(다) 700 K 조합: 두 위치 모두 그래프와 맞지 않는다.
산소 라디칼에 유사 정상상태 가정을 적용하면 오존 소멸속도는 이다.
라디칼 수지:
정리:
오존 소멸속도:
앞의 두 항의 합이 와 같아 2배가 된다:
- 분자가 인 식은 계수 2와 를 빠뜨렸다.
- 분자가 , 분모에 가 있는 식은 계수 2가 빠지고 라디칼 소멸 항도 잘못 세웠다.
- 분자가 인 식은 이 빠지고 분모도 틀렸다.
두 번째 CSTR 출구의 A 농도는 이다.
2차 CSTR:
1단:
2단(부피 2배):
- 0.15이면 으로 부피가 훨씬 커야 한다.
- 0.35이면 로 부피 2배 조건에 못 미친다.
- 0.45이면 에 불과하다.
반응기 입구에서 A의 몰유량은 이다.
CSTR은 출구 농도로 속도를 평가한다(B 입구 농도 )
출구:
속도:
설계식:
- 1은 반응기 부피 2 L를 곱하지 않은 값이다.
- 1.5는 설계식 을 만족하지 않는다.
- 2.5도 같은 설계식을 만족하지 않는다.
공간시간 B의 농도
공간시간은 10 min, 출구 B 농도는 이다.
A 수지:
B 수지:
- 5 min과 1/3 조합은 공간시간을 절반으로 잡고 B의 소멸(BC)도 과소 반영했다.
- 5 min과 1/6 조합은 B 농도는 맞지만 공간시간이 A 수지와 맞지 않는다.
- 10 min과 1/3 조합은 공간시간은 맞지만 BC 소멸을 과소 반영했다.
Hanes-Woolf 플롯의 기울기는 , 절편은 이므로 , 이다.
식 변형:
기울기:
절편:
- 조합은 기울기의 역수인 2와 맞지 않는다.
- 조합은 두 값 모두 플롯과 맞지 않는다.
- 조합은 이 절편과 의 곱인 3이어야 하는 점과 맞지 않는다.
PFR 출구 농도가 CSTR에 들어가 다시 로 나뉘므로 최종 농도는 이다.
직렬 연결에서는 앞 반응기 출구가 뒤 반응기 입구가 된다.
PFR 1차:
CSTR 1차:
- 분모가 인 식은 CSTR 공간시간을 두 배로 잡았다.
- 분자에 가 곱해지고 분모가 인 식은 단위가 농도가 아니다.
- 분자에 가 곱해지고 분모가 인 식은 두 오류가 겹쳤다.
단열 에너지수지로 구한 출구 전환율은 0.8이다.
단열 PFR: (반응열은 cal 단위로 맞춘다)
대입:
결과:
- 0.85라면 온도 상승이 63.75 K여야 한다.
- 0.9라면 온도 상승이 67.5 K여야 한다.
- 0.95라면 온도 상승이 71.25 K여야 한다.
표면반응:
표면반응이 율속이면 총괄반응속도는 이다.
흡착 평형: (는 빈자리 농도)
활성점 수지:
속도:
- 분모가 없는 식은 흡착으로 빈자리가 줄어드는 활성점 수지를 무시했다.
- 분자에 가 없는 식은 기상 B와의 표면반응을 반영하지 않았다.
- 분자에 가 없는 식은 흡착된 A의 농도를 반영하지 않았다.
CSTR 공간시간은 1.8 s이다.
양론계수로 환산:
설계식:
- 0.9 s는 C 생성속도 10을 그대로 A 소멸속도로 쓴 값이다.
- 1.2 s는 A와 C의 양론비 1:2 환산을 거치면 나오지 않는 값이다.
- 1.5 s도 양론 환산 결과와 맞지 않는다.

안정적인 정상상태는 (가)와 (다)이다.
정상상태는 인 교점이며, 교점에서 제거열 기울기가 발생열 기울기보다 커야 안정하다. 즉 이면 온도가 조금 올라도 제거열이 더 커져 원래 온도로 돌아온다.
- (가) 단독: 저온 교점은 안정하지만, 고온 교점인 (다)도 같은 조건을 만족하므로 빠뜨린 것이다.
- (나) 단독: 중간 교점은 발생열 곡선이 더 가파르게 지나므로 작은 교란에도 위아래 상태로 벗어나는 불안정점이다.
- 세 교점 모두: 불안정한 (나)가 포함되어 있다.