

S가 두 AND 게이트에 반전 없이 똑같이 들어가는 AND-OR 회로는 멀티플렉서로 쓸 수 없다.
이 회로의 출력은 여서 S로 A와 B 중 하나를 고르지 못한다. 2-to-1 MUX가 되려면 한쪽 AND에는 S, 다른 쪽에는 S의 반전이 들어가야 한다.
- 3상태 버퍼 회로: 위 버퍼는 S = 1일 때, 아래 버퍼는 반전 제어로 S = 0일 때 출력되므로 S로 A·B를 선택하는 MUX이다.
- : S = 1이면 A, S = 0이면 B가 출력되는 MUX이다.
- : S = 0이면 A, S = 1이면 B가 출력되는 MUX이다.

이 회로는 TTL NAND 게이트이다.
다중 이미터 입력 트랜지스터 Q1, 위상 분리용 Q2, 토템폴 출력단(Q3·D·Q4)으로 된 표준 TTL 구조이다.
- A·B 중 하나라도 0이면 Q1의 베이스 전류가 그 이미터로 빠져 Q2·Q4가 차단되고 Q3가 켜져 출력 F = 1이다.
- A·B가 모두 1이면 Q1 베이스-컬렉터를 통해 Q2·Q4가 포화되어 출력 F = 0이다.
모두 1일 때만 0이 되므로 이다.





공진주파수는 이다.
탭 접지된 두 커패시터와 하나의 인덕터로 귀환하는 콜피츠 발진기이며, 공진 루프에서 과 는 직렬이다.
이므로 이다.




A·B와 C·D를 각각 OR 게이트로 묶은 뒤 NAND하고 E와 OR한 회로만 출력이 다르다.
그 회로의 출력은 로, 나머지 세 회로의 공통 출력 와 다르다.
- NAND 두 개 → NAND → E와 OR:
- AND 두 개와 E를 3입력 OR: 그대로
- NAND 세 개(E는 두 입력을 묶어 반전) → NAND:
바렉터는 역방향 전압으로 공핍층 폭을 바꿔 정전용량을 가변하는 소자이므로 순방향 전압이라고 한 설명이 옳지 않다.
역방향 바이어스가 커지면 공핍층이 넓어져 접합 용량이 줄어든다. 순방향에서는 전류가 흘러 용량 소자로 쓸 수 없다.
- 제너 다이오드: 역방향 항복전압이 거의 일정하게 유지되는 성질을 정전압 회로에 쓴다.
- 터널 다이오드: 고농도 도핑으로 부성 저항 영역이 생겨 고속 스위칭·발진에 쓰인다.
- 발광 다이오드: 순방향 동작 시 재결합 에너지가 특정 파장의 빛으로 방출된다.
문자 처리율은 240 character/s이다.
한 번에 보내는 비트 수는 프리앰블 32비트 + 문자 16개×7비트 + 포스트앰블 16비트이다.
2400 bps로는 초당 번 전송할 수 있고, 한 번에 16문자이므로 문자/초이다.
)는?
단락회로 역방향 전달 임피던스는 이다.
출력을 단락( = 0)하고 가운데 노드 전압을 이라 하면, 로 흐르는 전류는 이다.
C의 임피던스 를 쓰면 , 이다.
따라서 이다.

6 Ω에 흐르는 전류는 2 A이다.
윗 노드 전압을 V로 두고 KCL을 세운다.
양변에 6을 곱하면 , 이다.





출력전압은 이다.
오차 증폭 트랜지스터 의 이미터는 제너 전압 에, 베이스는 · 분압점에 연결되어 있다.
정상 상태에서 분압점 전압 = 로 유지되므로 이고, 정리하면 위 식이 된다.
| AB\CD | 00 | 01 | 11 | 10 |
|---|---|---|---|---|
| 00 | 0 | 1 | 1 | 0 |
| 01 | 0 | 1 | 1 | 1 |
| 11 | 1 | 0 | 0 | 1 |
| 10 | 1 | 0 | 0 | 1 |
잘못된 표현은 이다.
맵을 묶으면 (위 두 행의 01·11열), (아래 두 행의 00·10열), (0110)로 이다.
BC 항은 ABCD = 1111 칸도 포함하는데 그 칸은 0이므로 성립하지 않는다.
- : 이므로 같은 함수이다.
- : 이므로 같은 함수이다.
- : 0인 칸(A·D 모두 1, 그리고 0000·0010·0100)을 정확히 덮는 합의 곱 형태이므로 같은 함수이다.

a-b 단자 전압은 1 V이다.
a-b 오른쪽 부분: . 왼쪽 4 Ω 병렬 노드에서 본 저항:
그 노드 전압:
a-b 전압:

출력전압은 이다.
모든 저항이 R인 차동 증폭기이며, 중첩의 원리로 구한다.
- 만: 반전 증폭
- 만: 비반전 단자 전압 , 이득 이므로
합하면 이다.

출력전압은 −12 V이다.
반전 가산기:
대입:
공통 베이스 회로의 전류이득은 1보다 작고, 공통 컬렉터 회로의 전압이득도 1보다 작으므로 이 설명이 옳지 않다.
공통 베이스의 전류이득은 (1 미만)이고, 공통 컬렉터(이미터 폴로워)는 전압이득이 약 1(1 미만)인 대신 전류이득이 크다.
- 공통 베이스: 입력 임피던스가 작고 출력 임피던스가 크다.
- 공통 컬렉터: 입력 임피던스가 크고 출력 임피던스가 작아 임피던스 정합(버퍼)에 쓰인다.
- 위상: 공통 베이스·공통 컬렉터는 동위상, 공통 이미터는 반전(180°) 위상이다.
이상적인 연산증폭기의 출력 임피던스는 0이므로 출력 임피던스가 무한대라고 한 설명이 옳지 않다.
이상적 연산증폭기는 개방루프 이득·입력 임피던스·대역폭이 무한대이고, 출력 임피던스는 0이어서 부하에 관계없이 전압을 그대로 전달한다.
- 매우 높은 이득의 증폭기에 외부 귀환을 걸어 이득·임피던스를 제어한다는 설명은 옳다.
- 차동증폭기를 입력단으로 하여 두 입력·하나의 출력을 갖는다는 설명은 옳다.
- 차동증폭기는 커패시터나 큰 저항 없이 이득을 얻을 수 있어 모노리식 IC에 적합하다는 설명은 옳다.
2단 증폭기의 종합 잡음지수는 11이다.
프리스(Friis) 공식:
대입:
첫째 단의 이득이 클수록 둘째 단 잡음의 영향이 줄어들므로 첫째 단의 잡음지수가 종합 성능을 좌우한다.
전송효율은 20 %이다.
정현파 변조 AM의 전송효율(전체 전력 중 측파대 전력 비율):
대입: 이므로
송신출력 50 kW는 효율 계산에 필요 없으며, 효율은 변조도만으로 정해진다.





R-L 회로에서 L 양단을 출력으로 한 파형이 틀렸다.
L 전압은 입력이 바뀌는 순간 입력 크기만큼 급변한 뒤 지수적으로 0을 향해 감쇠한다(미분 파형). 제시된 파형처럼 0에서 서서히 커지는 모양이 아니다.
- C-R 회로(R 출력, 시정수가 펄스폭보다 큼): 에지에서 급변 후 조금씩 기울어지는 파형으로 옳다.
- R-C 회로(C 출력, 시정수가 펄스폭보다 작음): 모서리가 둥근 구형파로 옳다.
- L-R 회로(R 출력, 시정수가 펄스폭보다 큼): 적분되어 삼각파에 가까운 파형으로 옳다.

바이어스 저항은 42.5 kΩ이다.
,
,
포토 트랜지스터는 포토 다이오드보다 감도는 높지만 스위칭 속도는 느리므로 이 설명이 옳지 않다.
포토 트랜지스터는 광전류를 트랜지스터 이득으로 증폭해 감도가 높은 대신, 큰 접합 용량과 증폭 작용 때문에 응답 속도가 포토 다이오드보다 느리다.
- 포토 다이오드는 빛이 강할수록 역방향(광)전류가 증가한다.
- 베이스 저항을 줄이면 광전류 일부가 저항으로 빠져 감도가 둔해진다.
- LED와 포토 트랜지스터로 된 광결합기는 입·출력 사이를 전기적으로 절연한다.