02년 4회차

DTL(다이오드-트랜지스터 논리회로)은 트랜지스터의 스위칭 지연으로 인해 응답속도가 비교적 느린 편이므로, 응답속도가 비교적 빠르다는 설명은 DTL의 특징이 아니다.

DTL은 다이오드로 논리 연산을 수행한 뒤 트랜지스터로 신호를 반전·증폭하는 구조여서, 트랜지스터 단의 지연이 전체 응답속도를 늦추는 요인이 된다.

• 소비전력이 적다는 것은 DTL의 실제 특징이다.
• 잡음여유도가 크다는 것도 DTL의 실제 특징이다.
• 저속도 및 중속도에서 안정적으로 동작한다는 것 역시 DTL의 실제 특징이다.

정답은 '적분기'이다.

그림은 저항 R을 거친 입력 $V_i$ 신호가 연산증폭기의 반전 입력(−)으로 들어가고, 콘덴서 C가 반전 입력 노드와 출력 $V_o$ 사이의 궤환 소자이며, 비반전 입력(+)은 접지인 회로이다.

입력 쪽 R·궤환 쪽 C인 이 구성이 적분기이고, 출력은 $V_o=-\dfrac{1}{RC}\displaystyle\int V_i\,dt$이다.

• '미분기'는 입력 쪽에 콘덴서, 궤환 쪽에 저항이 있는 회로이고, 그림은 입력 쪽이 저항 R, 궤환 쪽이 콘덴서 C이다.
• '가산기'는 입력 저항 여러 개가 반전 입력 노드에 모이는 회로이고, 그림의 입력은 $V_i$ 하나이다.
• '부호변환기'는 입력 저항과 궤환 저항의 값이 같은 반전 증폭기이고, 그림의 궤환 소자는 콘덴서 C이다.

DRAM은 커패시터에 전하를 저장하는 구조라 시간이 지나면 전하가 누설되므로, 주기적으로 재기록(리프레시)해야 기억 내용을 유지할 수 있다.

이 리프레시 동작이 DRAM의 특징이며, 별도의 재기록 없이도 전원이 유지되는 동안 내용을 보존하는 SRAM과 구별된다.

• SRAM은 플립플롭 구조로 전원이 공급되는 한 재기록 없이도 데이터를 유지한다.
• EPROM은 자외선으로 지우고 다시 기록하는 비휘발성 기억장치로 평소에는 재기록이 필요 없다.
• PROM은 한 번만 기록 가능한 비휘발성 기억장치로 별도의 재기록 동작이 없다.

순서도에서 비교·판단을 나타내는 기호는 마름모(다이아몬드)다.

마름모는 조건을 검사해 참·거짓(Yes/No)에 따라 흐름을 두 갈래 이상으로 갈라 보내는 자리에 쓴다. 네 꼭짓점이 상하좌우를 향하고 있어 들어온 선 하나에 대해 나가는 선을 여러 방향으로 낼 수 있게 되어 있다.

• 직사각형의 좌우 변 안쪽에 세로선이 하나씩 더 그어진 기호 = 미리 정의된 처리(서브루틴 호출)
• 윗변이 비스듬히 기울어진 사다리꼴 = 수동 입력
• 평행사변형 = 입력·출력(데이터)

단순한 계산이나 값 대입 같은 처리는 그냥 직사각형으로 그리고, 흐름이 갈라지는 판단만 마름모로 구분한다고 기억하면 된다.

양방향성 버스에 해당하는 것은 데이터 버스(Data Bus)이다.

데이터 버스는 읽기 동작에서는 기억장치·입출력장치에서 MPU 쪽으로, 쓰기 동작에서는 MPU에서 바깥으로 자료가 흐르므로 같은 선로를 양쪽 방향으로 사용한다.

• 주소 버스는 MPU가 번지를 지정해 내보내기만 하는 단방향 버스이다.
• 제어 버스는 읽기·쓰기 신호처럼 각 제어선이 정해진 방향으로만 동작하는 신호선의 묶음이다.
• 입·출력 버스는 주소·데이터·제어선을 한데 묶어 부르는 통칭이어서 양방향성 버스를 가리키는 이름이 아니다.