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[전자기사 필기] 16년 3회차
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문제 1
상자성체에서 자화율(magnetic susceptibility)는?
1X=0
2X=1
3X
4X＞0
문제 2
그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2인 B코일이 있을 때, A코일의 자기 인덕턴스가 L1(H)이라면 두 코일의 상호 인덕턴스 M(H)는? (단, 누설자속은 0이다.)
1
2
3
4
문제 3
간격 3m의 평행 무한평면도체에 각각 ±4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체간의 전위차는 약 몇 V인가?
11.5×1011
21.5×1012
31.36×1011
41.36×1012
문제 4
그림과 같이 평행한 무한장 직선도선에 I(A), 4I(A)인 전류가 흐른다. 두 선 사이의 점 P의 자계의 세기가 0이라고 하면 a/b는?
1
2
3
4
문제 5
파라핀유 속에서 5cm의 거리를 두고 5μC과 4μC의 점전하가 있다. 두 점전하 사이에 작용하는 힘은 약 몇 N 인가? (단, 파라핀유의 비유전율은 2.2라고 한다.)
18.57
232.7
365.5
4163.6
문제 6
그림과 같은 영구자석과 아라고판(Arago plate)에 대한 설명으로 틀린 것은?
1영구자석을 아라고판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 원 둘레와 나란히 이동시키면, 아라고판이 영구자석의 이동방향을 따라 회전한다.
2아라고 원판을 아라고판의 회전축 주위로 회전시키면, 영구자석에 의하여 아라고판에 맴돌이 전류(eddy current)가 발생하여 제동작용이 생긴다.
3영구자석을 아라고 판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 그림과 같이 나란히 이동시키면, 항상 축의 중심에서 아라고판의 원둘레 방향으로 전류가 발생한다.
4영구자석을 아라고판의 회전축을 중심으로 움직이는 대신 아라고판상에 이동자계를 만들어주어도 자계의 이동방향을 따라 아라고판이 회전한다.
문제 7
진공 중에 있는 두 점자극 +m(Wb)와 -m(Wb)가 r(m) 거리에 있을 때, 두 점자극을 잇는 직선의 중앙점에서 자계의 크기(AT/m)는?
1
2
3
4
문제 8
반지름 50cm인 서로 나란한 두 원형코일을 1mm 간격으로 동축 상에 평행 배치한 후 각 코일에 100A의 전류가 같은 방향으로 흐를 때 코일 상호간에 작용하는 인력은 약 몇 N 인가?
13.14
26.28
331.4
462.8
문제 9
투자율 μ(H/m)에서 길이 ℓ(m), 간격 d(m)인 두 평행도선 사이의 상호인덕턴스(H)는? (단, ℓ≫d이다.)
1
2
3
4
문제 10
어떤 코일의 전류와 자속의 특성이 그림과 같이 주어졌다고 한다. 전류가 25A이면 이 코일에 저장되는 에너지는 몇 J 인가?
131.25×10-3
235.75×10-3
338.75×10-3
456.25×10-3
문제 11
정전계에 대한 설명 중 틀린 것은?
1전기력선은 전하가 없는 곳에서는 서로 교차한다.
2단위 전하에서 나오는 전기력선의 수는 1/Є0개이다.
3도체에 주어진 전하는 도체표면에만 분포한다.
4중공도체(中空導體)에 준 전하는 외부 표면에만분포하고 내부표면에는 존재하지 않는다.
문제 12
비유전율 εs=80, 비투자율 μs=1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?
121
242
380
4160
문제 13
공극의 겉넓이가 Sa=4.26×10-2m2이고, 길이가 la=5.6㎜인 직류기에 있어서 공극의 자기저항은 약 몇 AT/Wb 인가?
110.5×102
210.5×10-2
31.05×105
41.05×10-5
문제 14
다음 식 중 틀린 것은?
1가우스(Gauss)의 정리 : div D=ρ
2포아송(Poisson) 방정식 :
3스토크스(Stokes)의 정리 :
4발산정리 :
문제 15
Є1 ＞ Є2인 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사할 때 경계면에 작용하는 힘은?
1의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
2의 힘이 Є2에서 Є1으로 작용한다.
3의 힘이 Є2에서 Є1으로로 작용한다.
4의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
문제 16
전기량이 0.2C인 점전하가 전계 E=5j+k(V/m) 및 자속밀도 B=2j+5j(Wb/m2)인 전자계에 v=2i+3j(m/s)의 속도로 돌입할 때 점전하에 작용하는 힘(N)은?
1i+j-2k
22i-j+5k
33i-j+k
45i+j-3k
문제 17
다음 중 저항률이 가장 작은 것은?
1동
2철
3수은
4알루미늄
문제 18
동일한 금속 도선의 두 점 사이에 온도차를 주고 전류를 흘리면 열의 발생 또는 흡수가 일어나는 현상은?
1펠티에(Peltier) 효과
2볼타(Volta) 효과
3제벡(Seebeck) 효과
4톰슨(Thomson) 효과
문제 19
환상철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?
110000
2500
3400
4250
문제 20
진공 중에서 내구의 반지름 a=3cm, 외구의 내반지름 b=9cm인 두 동심구 사이의 정전용량은 몇 pF 인가?
10.5
25
350
4500
문제 21
R-C 병렬회로에 60hz, 100V를 가하였을 때 유효전력 800W, 무효전력 600Var이면 저항R[Ω], 정전용량 C[μF]의 값은?
1R=12.5, C=159
2R=15.5, C=180
3R=18.5, C=189
4R=20.5, C=219
문제 22
전류 i 방향으로의 2Ω 양단에서의 전압강하는?
12
24
36
48
문제 23
R=20Ω, L=0.05H, C=1μF인 R-L-C 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?
125.2
217.2
315.2
411.2
문제 24
크기 A인 임펄스의 스펙트럼(amplitude sprctrum)은?
1Ae-jωt0
21
3A
4Aejωt0
문제 25
다음 회로에서 VO(t)의 실효값은?
10V
210V
3
4
문제 26
다음 설명이 나타내는 것은?
1노튼 정리
2보상 정리
3테브난 정리
4중첩의 정리
문제 27
다음 그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수에서 C는?
11/Z2
21
3
4
문제 28
함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?
1
2
3
4
문제 29
R-C 직렬회로에 직류전압 5V를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON 한다면 커패시터 양단에 걸리는 전압 Vc 는? (단, R=1Ω, C=1F 이다.)
1-5e-t
25e-t
35(1-e-t)
45(1-et)
문제 30
필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?
1√2배
21/√2배
31/2배
41/2√2배
문제 31
다음 그림과 같은 파형의 Laplace 변환은?
13
23/s
3
4
문제 32
5H의 인덕터에 v(t)=20√2 cos(ωt-30°)V의 전압을 인가하였을 때 인덕터 흐르는 전류 i(t)의 순시값은? (단, ω=100[rad/s]이다.)
1i(t)=0.04√2cos(100t-120°)
2i(t)=0.02√2cos(100t-120°)
3i(t)=0.04√2cos(100t+60°)
4i(t)=0.02√2cos(100t+60°)
문제 33
다음 회로에서 스위치 SW를 닫은 후 t가 2초일 때 회로에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
13.68
24.52
36.32
48.12
문제 34
v(t)=cos2πf0t을 Fourier 변환한 V(f)를 구하면?
1V(t)=δ(f-f0)+δ(f+f0)
2V(t)=π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
3V(t)=1/2[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
4V(t)=2π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
문제 35
R=20Ω, XL=10Ω, XC=5Ω을 병렬로 접속한 회로의 어드미턴스 Y[℧]은 얼마인가?
10.06+j0.1
20.05+j0.1
30.06-j0.1
40.05-j0.1
문제 36
Vt=Vmsin(ωt+50°)와 It=Imcos(ωt-80°)의 위상차는?
110°
220°
330°
440°
문제 37
입력과 출력신호를 각각 x(t), y(t)라고 할 때, 아래 미분방정식의 전달함수는? (단, y(0)=0이다.)
1
2
3
4
문제 38
10μF의 커패시터에 10V, 50Hz의 교류전압을 인가할 때 무효 전력은 몇 Var 인가?
1π/10
2π
310π
4100π
문제 39
그림과 같은 시간함수를 라플라스 변환하면?
1
2
3
41/s
문제 40
4단자망의 파라미터에 대한 설명으로 틀린 것은?
1h 파라미터에서 h12와 h21는 차원(단위)이 없다.
2ABCD 파라미터에서 A와 D는 차원(단위)이 있다.
3h 파라미터에서 h11은 임피던스의 차원을 h22는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
4ABCD 파라미터에서 B는 임피던스의 차원(단위)을 C는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
문제 41
불대수에서 (A+B)(A+C)와 등식이 성립하는 것은?
1ABC
2A+B+C
3AB+C
4A+BC
문제 42
동기 3단 2진 카운터 회로를 설계할 때, JK-FF(Flip Flop) 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 되는가?
1AND
2OR
3NOT
4EX-OR
문제 43
다음과 같은 논리회로에 대한 설명으로 틀린것은?
1입력 A, B, C, D가 모두 0 이면, Y=1 이다.
2입력 A, B, C, D가 모두 1 이면, Y=0 이다.
3입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 홀수이면, Y=1 이다.
4입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 짝수이면, Y=0 이다.
문제 44
다음의 클램퍼 회로에서 그림과 같은 입력신호가 주어질 때 출력 파형의 모양은?
1
2
3
4
문제 45
귀환에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
1귀환된 신호와 본래의 입력과의 위상관계에 있어서 역위상인 경우를 부귀환이라 한다.
2귀환전압이 출력전류에 비례할 때를 전류귀환이라 한다.
3귀환전압이 출력전류에 비례하는 경우를 직렬귀환이라 한다.
4직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환이라 한다.
문제 46
다음 발진 회로에서 발진 주파수는?
135.6kHz
222.3kHz
33.56kHz
42.23kHz
문제 47
다음 회로에서 Re의 주 역할은? (단, C의 값은 매우 크다.)
1출력증대
2동작점의 안정화
3바이어스 전압감소
4주파수 대역폭 증대
문제 48
다음 회로의 출력전압(VO)의 파형은? (단, Rf는 무시한다.)
1
2
3
4
문제 49
다음 설명 중 래치와 플립플롭을 구분하는 트리거로 옳은 것은?
1래치는 에지 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
2래치는 에지 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
3래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
4래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
문제 50
A급 전력 증폭기에서 최대의 출력을 얻기 위하여 필요한 바이어스 조건은?
1피크 부하전류의 절반
2피크 부하전류의 2배
3피크 부하전류
4차단전압
문제 51
아래 그림과 같은 연산증폭기에서 Vi=V1sinωt란 입력이 들어왔을 때 출력전압(Vo)의 값은? (단, R=1MΩ, C=2μF, V1=2V, ω=120π[rad/sec]이다.)
1-480π cos120πt
2-240π cos120πt
3-4cos120πt
4-4π cos120πt
문제 52
다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
1Darlington 접속이다.
2Emitter follower이다.
3Emitter에 정전압을 인가한다.
4등가적으로 NPN 트랜지스터와 같다.
문제 53
다음 중 불대수의 정리가 성립되지 않는 것은?
1A + B = B + A
2A∙B=A∙(A+B)
3A∙(B+C)=A∙B+A∙C
4A + (B∙C)=(A+B)∙(A+C)
문제 54
다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?
1Early 효과
2Miller 효과
3Pinchoff 현상
4Breakdown 현상
문제 55
TTL과 비교하여 CMOS 논리회로의 특징이 아닌 것은?
1소비전력이 작다.
2잡음여유도가 크다.
3높은 입력 임피던스이다.
4전달 지연 시간이 짧다.
문제 56
4변수 카르노 맵을 이용하여 정리한 논리식 중에서 틀린 항은?
1
2
3
4
문제 57
hoe가 50×10-6[℧]인 트랜지스터를 200[Ω]의 부하와 정합시키려면 정합 변압기의 권선비(turnratio)는?
15 : 1
210 : 1
350 : 1
4100 : 1
문제 58
상승시간이 0.175μs인 연산증폭기를 이용하여 20kHz의 정현파 신호를 증폭하려고 할 때 최대로 얻을 수 있는 전압이득은 약 몇 dB 인가? (단, 이득 대역폭 적(G∙B)=0.35/상승시간이다.)
110
220
330
440
문제 59
다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압-전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?
1A
2B
3C
4D
문제 60
다음 회로의 명칭은 무엇인가? (단, R1=R2=R3=RF이다.)
1반전 증폭회로
2비반전 증폭회로
3차동 증폭회로
4미분 회로
문제 61
운동 전자의 드브로이 파장이 3×10-10[m]인 경우 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍsec]전자의 질량 m=9.1×10-31[kg] 이다.)
112×104[m/s]
212×105[m/s]
32.4×106[m/s]
416×107[m/s]
문제 62
파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
1Maxwell-Boltzmann 통계
2Bose-Einstein 통계
3Fermi-Dirac 통계
4Gausian 통계
문제 63
전자와 정공의 농도(concentration)를 구하는 것에 이용될 수 있는 것은?
1Hall effect
2Tunnel effect
3piezo effect
4photo electric effect
문제 64
다음 중 전류 제어용 소자는?
13극 진공관
2접합 트랜지스터
3접합 전계효과 트랜지스터
4절연 게이트 전계효과 트랜지스터
문제 65
펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
1베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
2펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
3컬렉터 역바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
4펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
문제 66
pn 접합 다이오드에 역방향 바이어스 전압을 공급할 때의 특징으로 틀린 것은?
1접합용량이 증가
2전위장벽이 증가
3공간전하의 영역 증가
4공핍층이 증가
문제 67
300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?
10.02
20.1
30.7
40.98
문제 68
재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 옳지 않은 것은?
1결정표면의 불균일
2순도가 높은 결정
3결정격자의 결함
4불순물에 의한 격자 결함
문제 69
서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 틀린 것은?
1반도체의 일종이다.
2온도제어 회로 등에 사용된다.
3일반적으로 정(+)의 온도계수를 가진다.
4CTR(Critical Temperature Resistor)은 이것을 응용한 것이다.
문제 70
순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
1소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
2금속 전도체와 같은 행동을 한다.
3많은 수의 정공을 갖고 있다.
4절연체와 같이 행동한다.
문제 71
부성(negative) 저항 특성을 나타내는 다이오드는?
1터널 다이오드
2바랙터 다이오드
3제너 다이오드
4정류용 다이오드
문제 72
FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
1게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
2전자만으로 전류가 운반되기 때문이다.
3소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
4다수 캐리어만으로 전류가 운반되기 때문이다.
문제 73
전자의 입자와 파동의 이중성을 설명하는 드브로이파(de Broglie wave, 물질파)에 관한 올바른 식은? (단, h: 프랭크 상수, m: 전자의 질량, υ: 속도, λ: 파장이다.)
1λ=(mh)/υ
2λ=υ/(mh)
3λ=m/(hυ)
4λ=h/(mυ)
문제 74
P 채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
1전자의 확산 현상
2정공의 확산 현상
3전자의 드리프트 현상
4전공의 드리프트 현상
문제 75
서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흐르게 했을 때, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?
1Peltier Effect
2Seebeck Effect
3Zeeman Effect
4Hall Effect
문제 76
에너지 Level E가 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때, 에너지 Level E가 정공에 의해서 채워질 확률은?
1f(E)-1
21-f(E)
31/(f(E)-1)
41/(1-f(E))
문제 77
접합형 트랜지스터가 스위치로 쓰이는 영역은?
1포화영역과 활성영역
2활성영역과 차단영역
3활성영역과 역할성영역
4포화영역과 차단영역
문제 78
진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은? (단, 전자와 정공의 유효질량은 같다고 가정한다.)
1가전자대 쪽으로 접근한다.
2전도대 쪽으로 접근한다.
3금지대 중앙으로 접근한다.
4온도와는 무관하다.
문제 79
고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
1전계 방출
2열전자 방출
3광전자 방출
42차 전자 방출
문제 80
베이스 폭(d)이 0.02mm 이고, 전자의 확산계수(De)가 0.02[m2 /sec]인 트랜지스터의 차단주파수는 약 MHz 인가?
11.6
216
350
480
문제 81
4-단계 파이프라인 구조의 컴퓨터에서 클락주기가 1μs일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?
110μs
211μs
312μs
413μs
문제 82
Associative 기억장치의 특징에 대한 설명으로 가장 적합하지 않은 것은?
1별도의 판독회로 구성이 필요없기 때문에 하드웨어 비용이 절감된다.
2병렬 판독회로가 있어야 한다.
3번지에 의해서만 접근이 가능한 기억장치보다 정보검색이 신속하다.
4기억된 정보의 일부분을 이용하여 원하는 정보가 기억된 위치를 알아낸 후 나머지 정보에 접근한다.
문제 83
부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?
1지수의 값을 크게 하기 위해서이다.
2수의 정밀도를 높이기 위함이다.
3부호 비트를 생략하기 위함이다.
4가수부의 비트수를 줄이기 위함이다.
문제 84
C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
2상수를 정의하는 데에도 사용한다.
3프로그램에서 '#' 표시를 사용한다.
4유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.
문제 85
CPU의 제어ㆍ기억장치에서 주소를 결정하는 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시킨다.
2마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다.
3상태 비트에 따른 조건부 분기를 한다.
4매크로 동작 비트로부터 ROM으로의 매핑이 가능하다.
문제 86
마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1구조적이고 임의적인 설계가 가능하다.
2경제적이며 시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
3보다 용이한 유지보수 관리가 가능하다.
4시스템이 간단하여 많은 제어 결정을 필요로 하지 않을 때 유리하다.
문제 87
컴퓨터 주기억장치의 용량을 1MB(Mega Byte)의 크기로 구성하려고 한다. 1 바이트가 8 bit이고 Parity bit를 포함한다면 64KB(Kilo Byte) DRAM의 칩이 몇 개가 필요한가?
116
217
3128
4144
문제 88
마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보교환을 위해 필요한 물리적 연결은?
1I/O processor
2Cache
3Bus
4Register
문제 89
CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.
2명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.
3기억장치 내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출 사이클이라 한다.
4인터럽트 사이클 동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.
문제 90
마이크로컴퓨터와 외부의 입ㆍ출력 장치 간의 정보 교환을 수행하는 것은?
1interface unit
2arithmetic unit
3control unit
4interrupt process unit
문제 91
STACK에 관한 용어 또는 명령어로 가장 관련이 없는 것은?
1FIFO
2PUSH
3POP
4LIFO
문제 92
CPU가 입ㆍ출력 데이터 전송을 메모리에서의 데이터 전송과 같은 방법으로 수행할 수 있는 입ㆍ출력 제어방식은?
1Interrupt I/O
2Memory-mapped I/O
3Isolated I/O
4Programmed I/O
문제 93
64 Kilo Bit DRAM이 몇 개 있어야 128 Kilo Byte의 용량이 되는가?
12개
24개
38개
416개
문제 94
그림과 같은 JK 플립플롭을 결선하고, 클락펄스를 계속 인가하였을 때의 출력상태는?
1Set 된다.
2Reset 된다.
3Toggle 된다.
4동작불능 상태가 된다.
문제 95
2진수 10111101001를 16진수로 변환시킨 것은?
15D9(16)
2AE9(16)
35E9(16)
4B59(16)
문제 96
시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다.
2언어 프로세서는 기계언어를 사용자 편의로 된 언어로 번역한다.
3진단 프로그램은 컴퓨터의 고장을 고쳐준다.
4로더 프로그램은 주기억장치의 내용을 보조기억장치로 보낸다.
문제 97
DMA(Direct Memory Access)에 관한 설명으로 올바른 것은?
1CPU가 입ㆍ출력을 직접 제어한다.
2입ㆍ출력 동작을 수행하는 동안에는 프로세서가 다른 일을 하지 못한다.
3입ㆍ출력 모듈의 인터럽트 신호에 의하여 데이터 전송이 이루어진다.
4CPU가 개입하지 않고 기억장치와 입ㆍ출력 모듈 사이에 데이터 전송이 이루어진다.
문제 98
마이크로소프트사에서 디바이스 드라이버의 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?
1ISA
2PCI
3OSC
4WDM
문제 99
16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
1AND 8개, OR 8개
2AND 8개, OR 16개
3AND 16개, OR 8개
4AND 16개, OR 16개
문제 100
순서도(flowchart) 작성 시 주의사항에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다.
2되도록이면 선이 교차하지 않게 그린다.
3적당한 설명을 첨부한다.
4서브루틴은 가급적 별도로 그린다.
문제 1
상자성체에서 자화율(magnetic susceptibility)는?
1X=0
2X=1
3X
4X＞0
문제 2
그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2인 B코일이 있을 때, A코일의 자기 인덕턴스가 L1(H)이라면 두 코일의 상호 인덕턴스 M(H)는? (단, 누설자속은 0이다.)
1
2
3
4
문제 3
간격 3m의 평행 무한평면도체에 각각 ±4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체간의 전위차는 약 몇 V인가?
11.5×1011
21.5×1012
31.36×1011
41.36×1012
문제 4
그림과 같이 평행한 무한장 직선도선에 I(A), 4I(A)인 전류가 흐른다. 두 선 사이의 점 P의 자계의 세기가 0이라고 하면 a/b는?
1
2
3
4
문제 5
파라핀유 속에서 5cm의 거리를 두고 5μC과 4μC의 점전하가 있다. 두 점전하 사이에 작용하는 힘은 약 몇 N 인가? (단, 파라핀유의 비유전율은 2.2라고 한다.)
18.57
232.7
365.5
4163.6
문제 6
그림과 같은 영구자석과 아라고판(Arago plate)에 대한 설명으로 틀린 것은?
1영구자석을 아라고판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 원 둘레와 나란히 이동시키면, 아라고판이 영구자석의 이동방향을 따라 회전한다.
2아라고 원판을 아라고판의 회전축 주위로 회전시키면, 영구자석에 의하여 아라고판에 맴돌이 전류(eddy current)가 발생하여 제동작용이 생긴다.
3영구자석을 아라고 판과 나란히 아라고판의 회전축을 중심으로 그림과 같이 나란히 이동시키면, 항상 축의 중심에서 아라고판의 원둘레 방향으로 전류가 발생한다.
4영구자석을 아라고판의 회전축을 중심으로 움직이는 대신 아라고판상에 이동자계를 만들어주어도 자계의 이동방향을 따라 아라고판이 회전한다.
문제 7
진공 중에 있는 두 점자극 +m(Wb)와 -m(Wb)가 r(m) 거리에 있을 때, 두 점자극을 잇는 직선의 중앙점에서 자계의 크기(AT/m)는?
1
2
3
4
문제 8
반지름 50cm인 서로 나란한 두 원형코일을 1mm 간격으로 동축 상에 평행 배치한 후 각 코일에 100A의 전류가 같은 방향으로 흐를 때 코일 상호간에 작용하는 인력은 약 몇 N 인가?
13.14
26.28
331.4
462.8
문제 9
투자율 μ(H/m)에서 길이 ℓ(m), 간격 d(m)인 두 평행도선 사이의 상호인덕턴스(H)는? (단, ℓ≫d이다.)
1
2
3
4
문제 10
어떤 코일의 전류와 자속의 특성이 그림과 같이 주어졌다고 한다. 전류가 25A이면 이 코일에 저장되는 에너지는 몇 J 인가?
131.25×10-3
235.75×10-3
338.75×10-3
456.25×10-3
문제 11
정전계에 대한 설명 중 틀린 것은?
1전기력선은 전하가 없는 곳에서는 서로 교차한다.
2단위 전하에서 나오는 전기력선의 수는 1/Є0개이다.
3도체에 주어진 전하는 도체표면에만 분포한다.
4중공도체(中空導體)에 준 전하는 외부 표면에만분포하고 내부표면에는 존재하지 않는다.
문제 12
비유전율 εs=80, 비투자율 μs=1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?
121
242
380
4160
문제 13
공극의 겉넓이가 Sa=4.26×10-2m2이고, 길이가 la=5.6㎜인 직류기에 있어서 공극의 자기저항은 약 몇 AT/Wb 인가?
110.5×102
210.5×10-2
31.05×105
41.05×10-5
문제 14
다음 식 중 틀린 것은?
1가우스(Gauss)의 정리 : div D=ρ
2포아송(Poisson) 방정식 :
3스토크스(Stokes)의 정리 :
4발산정리 :
문제 15
Є1 ＞ Є2인 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사할 때 경계면에 작용하는 힘은?
1의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
2의 힘이 Є2에서 Є1으로 작용한다.
3의 힘이 Є2에서 Є1으로로 작용한다.
4의 힘이 Є1에서 Є2로 작용한다.
문제 16
전기량이 0.2C인 점전하가 전계 E=5j+k(V/m) 및 자속밀도 B=2j+5j(Wb/m2)인 전자계에 v=2i+3j(m/s)의 속도로 돌입할 때 점전하에 작용하는 힘(N)은?
1i+j-2k
22i-j+5k
33i-j+k
45i+j-3k
문제 17
다음 중 저항률이 가장 작은 것은?
1동
2철
3수은
4알루미늄
문제 18
동일한 금속 도선의 두 점 사이에 온도차를 주고 전류를 흘리면 열의 발생 또는 흡수가 일어나는 현상은?
1펠티에(Peltier) 효과
2볼타(Volta) 효과
3제벡(Seebeck) 효과
4톰슨(Thomson) 효과
문제 19
환상철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?
110000
2500
3400
4250
문제 20
진공 중에서 내구의 반지름 a=3cm, 외구의 내반지름 b=9cm인 두 동심구 사이의 정전용량은 몇 pF 인가?
10.5
25
350
4500
문제 21
R-C 병렬회로에 60hz, 100V를 가하였을 때 유효전력 800W, 무효전력 600Var이면 저항R[Ω], 정전용량 C[μF]의 값은?
1R=12.5, C=159
2R=15.5, C=180
3R=18.5, C=189
4R=20.5, C=219
문제 22
전류 i 방향으로의 2Ω 양단에서의 전압강하는?
12
24
36
48
문제 23
R=20Ω, L=0.05H, C=1μF인 R-L-C 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?
125.2
217.2
315.2
411.2
문제 24
크기 A인 임펄스의 스펙트럼(amplitude sprctrum)은?
1Ae-jωt0
21
3A
4Aejωt0
문제 25
다음 회로에서 VO(t)의 실효값은?
10V
210V
3
4
문제 26
다음 설명이 나타내는 것은?
1노튼 정리
2보상 정리
3테브난 정리
4중첩의 정리
문제 27
다음 그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수에서 C는?
11/Z2
21
3
4
문제 28
함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?
1
2
3
4
문제 29
R-C 직렬회로에 직류전압 5V를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON 한다면 커패시터 양단에 걸리는 전압 Vc 는? (단, R=1Ω, C=1F 이다.)
1-5e-t
25e-t
35(1-e-t)
45(1-et)
문제 30
필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?
1√2배
21/√2배
31/2배
41/2√2배
문제 31
다음 그림과 같은 파형의 Laplace 변환은?
13
23/s
3
4
문제 32
5H의 인덕터에 v(t)=20√2 cos(ωt-30°)V의 전압을 인가하였을 때 인덕터 흐르는 전류 i(t)의 순시값은? (단, ω=100[rad/s]이다.)
1i(t)=0.04√2cos(100t-120°)
2i(t)=0.02√2cos(100t-120°)
3i(t)=0.04√2cos(100t+60°)
4i(t)=0.02√2cos(100t+60°)
문제 33
다음 회로에서 스위치 SW를 닫은 후 t가 2초일 때 회로에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
13.68
24.52
36.32
48.12
문제 34
v(t)=cos2πf0t을 Fourier 변환한 V(f)를 구하면?
1V(t)=δ(f-f0)+δ(f+f0)
2V(t)=π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
3V(t)=1/2[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
4V(t)=2π[δ(f-f0)+δ(f+f0)]
문제 35
R=20Ω, XL=10Ω, XC=5Ω을 병렬로 접속한 회로의 어드미턴스 Y[℧]은 얼마인가?
10.06+j0.1
20.05+j0.1
30.06-j0.1
40.05-j0.1
문제 36
Vt=Vmsin(ωt+50°)와 It=Imcos(ωt-80°)의 위상차는?
110°
220°
330°
440°
문제 37
입력과 출력신호를 각각 x(t), y(t)라고 할 때, 아래 미분방정식의 전달함수는? (단, y(0)=0이다.)
1
2
3
4
문제 38
10μF의 커패시터에 10V, 50Hz의 교류전압을 인가할 때 무효 전력은 몇 Var 인가?
1π/10
2π
310π
4100π
문제 39
그림과 같은 시간함수를 라플라스 변환하면?
1
2
3
41/s
문제 40
4단자망의 파라미터에 대한 설명으로 틀린 것은?
1h 파라미터에서 h12와 h21는 차원(단위)이 없다.
2ABCD 파라미터에서 A와 D는 차원(단위)이 있다.
3h 파라미터에서 h11은 임피던스의 차원을 h22는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
4ABCD 파라미터에서 B는 임피던스의 차원(단위)을 C는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
문제 41
불대수에서 (A+B)(A+C)와 등식이 성립하는 것은?
1ABC
2A+B+C
3AB+C
4A+BC
문제 42
동기 3단 2진 카운터 회로를 설계할 때, JK-FF(Flip Flop) 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 되는가?
1AND
2OR
3NOT
4EX-OR
문제 43
다음과 같은 논리회로에 대한 설명으로 틀린것은?
1입력 A, B, C, D가 모두 0 이면, Y=1 이다.
2입력 A, B, C, D가 모두 1 이면, Y=0 이다.
3입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 홀수이면, Y=1 이다.
4입력 A, B, C, D에서 1의 상태의 개수가 짝수이면, Y=0 이다.
문제 44
다음의 클램퍼 회로에서 그림과 같은 입력신호가 주어질 때 출력 파형의 모양은?
1
2
3
4
문제 45
귀환에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
1귀환된 신호와 본래의 입력과의 위상관계에 있어서 역위상인 경우를 부귀환이라 한다.
2귀환전압이 출력전류에 비례할 때를 전류귀환이라 한다.
3귀환전압이 출력전류에 비례하는 경우를 직렬귀환이라 한다.
4직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환이라 한다.
문제 46
다음 발진 회로에서 발진 주파수는?
135.6kHz
222.3kHz
33.56kHz
42.23kHz
문제 47
다음 회로에서 Re의 주 역할은? (단, C의 값은 매우 크다.)
1출력증대
2동작점의 안정화
3바이어스 전압감소
4주파수 대역폭 증대
문제 48
다음 회로의 출력전압(VO)의 파형은? (단, Rf는 무시한다.)
1
2
3
4
문제 49
다음 설명 중 래치와 플립플롭을 구분하는 트리거로 옳은 것은?
1래치는 에지 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
2래치는 에지 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
3래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 에지 트리거
4래치는 레벨 트리거, 플립플롭은 레벨 트리거
문제 50
A급 전력 증폭기에서 최대의 출력을 얻기 위하여 필요한 바이어스 조건은?
1피크 부하전류의 절반
2피크 부하전류의 2배
3피크 부하전류
4차단전압
문제 51
아래 그림과 같은 연산증폭기에서 Vi=V1sinωt란 입력이 들어왔을 때 출력전압(Vo)의 값은? (단, R=1MΩ, C=2μF, V1=2V, ω=120π[rad/sec]이다.)
1-480π cos120πt
2-240π cos120πt
3-4cos120πt
4-4π cos120πt
문제 52
다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
1Darlington 접속이다.
2Emitter follower이다.
3Emitter에 정전압을 인가한다.
4등가적으로 NPN 트랜지스터와 같다.
문제 53
다음 중 불대수의 정리가 성립되지 않는 것은?
1A + B = B + A
2A∙B=A∙(A+B)
3A∙(B+C)=A∙B+A∙C
4A + (B∙C)=(A+B)∙(A+C)
문제 54
다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?
1Early 효과
2Miller 효과
3Pinchoff 현상
4Breakdown 현상
문제 55
TTL과 비교하여 CMOS 논리회로의 특징이 아닌 것은?
1소비전력이 작다.
2잡음여유도가 크다.
3높은 입력 임피던스이다.
4전달 지연 시간이 짧다.
문제 56
4변수 카르노 맵을 이용하여 정리한 논리식 중에서 틀린 항은?
1
2
3
4
문제 57
hoe가 50×10-6[℧]인 트랜지스터를 200[Ω]의 부하와 정합시키려면 정합 변압기의 권선비(turnratio)는?
15 : 1
210 : 1
350 : 1
4100 : 1
문제 58
상승시간이 0.175μs인 연산증폭기를 이용하여 20kHz의 정현파 신호를 증폭하려고 할 때 최대로 얻을 수 있는 전압이득은 약 몇 dB 인가? (단, 이득 대역폭 적(G∙B)=0.35/상승시간이다.)
110
220
330
440
문제 59
다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압-전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?
1A
2B
3C
4D
문제 60
다음 회로의 명칭은 무엇인가? (단, R1=R2=R3=RF이다.)
1반전 증폭회로
2비반전 증폭회로
3차동 증폭회로
4미분 회로
문제 61
운동 전자의 드브로이 파장이 3×10-10[m]인 경우 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍsec]전자의 질량 m=9.1×10-31[kg] 이다.)
112×104[m/s]
212×105[m/s]
32.4×106[m/s]
416×107[m/s]
문제 62
파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
1Maxwell-Boltzmann 통계
2Bose-Einstein 통계
3Fermi-Dirac 통계
4Gausian 통계
문제 63
전자와 정공의 농도(concentration)를 구하는 것에 이용될 수 있는 것은?
1Hall effect
2Tunnel effect
3piezo effect
4photo electric effect
문제 64
다음 중 전류 제어용 소자는?
13극 진공관
2접합 트랜지스터
3접합 전계효과 트랜지스터
4절연 게이트 전계효과 트랜지스터
문제 65
펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
1베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
2펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
3컬렉터 역바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
4펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
문제 66
pn 접합 다이오드에 역방향 바이어스 전압을 공급할 때의 특징으로 틀린 것은?
1접합용량이 증가
2전위장벽이 증가
3공간전하의 영역 증가
4공핍층이 증가
문제 67
300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?
10.02
20.1
30.7
40.98
문제 68
재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 옳지 않은 것은?
1결정표면의 불균일
2순도가 높은 결정
3결정격자의 결함
4불순물에 의한 격자 결함
문제 69
서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 틀린 것은?
1반도체의 일종이다.
2온도제어 회로 등에 사용된다.
3일반적으로 정(+)의 온도계수를 가진다.
4CTR(Critical Temperature Resistor)은 이것을 응용한 것이다.
문제 70
순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
1소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
2금속 전도체와 같은 행동을 한다.
3많은 수의 정공을 갖고 있다.
4절연체와 같이 행동한다.
문제 71
부성(negative) 저항 특성을 나타내는 다이오드는?
1터널 다이오드
2바랙터 다이오드
3제너 다이오드
4정류용 다이오드
문제 72
FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
1게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
2전자만으로 전류가 운반되기 때문이다.
3소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
4다수 캐리어만으로 전류가 운반되기 때문이다.
문제 73
전자의 입자와 파동의 이중성을 설명하는 드브로이파(de Broglie wave, 물질파)에 관한 올바른 식은? (단, h: 프랭크 상수, m: 전자의 질량, υ: 속도, λ: 파장이다.)
1λ=(mh)/υ
2λ=υ/(mh)
3λ=m/(hυ)
4λ=h/(mυ)
문제 74
P 채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
1전자의 확산 현상
2정공의 확산 현상
3전자의 드리프트 현상
4전공의 드리프트 현상
문제 75
서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흐르게 했을 때, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?
1Peltier Effect
2Seebeck Effect
3Zeeman Effect
4Hall Effect
문제 76
에너지 Level E가 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때, 에너지 Level E가 정공에 의해서 채워질 확률은?
1f(E)-1
21-f(E)
31/(f(E)-1)
41/(1-f(E))
문제 77
접합형 트랜지스터가 스위치로 쓰이는 영역은?
1포화영역과 활성영역
2활성영역과 차단영역
3활성영역과 역할성영역
4포화영역과 차단영역
문제 78
진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은? (단, 전자와 정공의 유효질량은 같다고 가정한다.)
1가전자대 쪽으로 접근한다.
2전도대 쪽으로 접근한다.
3금지대 중앙으로 접근한다.
4온도와는 무관하다.
문제 79
고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
1전계 방출
2열전자 방출
3광전자 방출
42차 전자 방출
문제 80
베이스 폭(d)이 0.02mm 이고, 전자의 확산계수(De)가 0.02[m2 /sec]인 트랜지스터의 차단주파수는 약 MHz 인가?
11.6
216
350
480
문제 81
4-단계 파이프라인 구조의 컴퓨터에서 클락주기가 1μs일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?
110μs
211μs
312μs
413μs
문제 82
Associative 기억장치의 특징에 대한 설명으로 가장 적합하지 않은 것은?
1별도의 판독회로 구성이 필요없기 때문에 하드웨어 비용이 절감된다.
2병렬 판독회로가 있어야 한다.
3번지에 의해서만 접근이 가능한 기억장치보다 정보검색이 신속하다.
4기억된 정보의 일부분을 이용하여 원하는 정보가 기억된 위치를 알아낸 후 나머지 정보에 접근한다.
문제 83
부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?
1지수의 값을 크게 하기 위해서이다.
2수의 정밀도를 높이기 위함이다.
3부호 비트를 생략하기 위함이다.
4가수부의 비트수를 줄이기 위함이다.
문제 84
C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
2상수를 정의하는 데에도 사용한다.
3프로그램에서 '#' 표시를 사용한다.
4유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.
문제 85
CPU의 제어ㆍ기억장치에서 주소를 결정하는 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시킨다.
2마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다.
3상태 비트에 따른 조건부 분기를 한다.
4매크로 동작 비트로부터 ROM으로의 매핑이 가능하다.
문제 86
마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1구조적이고 임의적인 설계가 가능하다.
2경제적이며 시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
3보다 용이한 유지보수 관리가 가능하다.
4시스템이 간단하여 많은 제어 결정을 필요로 하지 않을 때 유리하다.
문제 87
컴퓨터 주기억장치의 용량을 1MB(Mega Byte)의 크기로 구성하려고 한다. 1 바이트가 8 bit이고 Parity bit를 포함한다면 64KB(Kilo Byte) DRAM의 칩이 몇 개가 필요한가?
116
217
3128
4144
문제 88
마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보교환을 위해 필요한 물리적 연결은?
1I/O processor
2Cache
3Bus
4Register
문제 89
CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.
2명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.
3기억장치 내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출 사이클이라 한다.
4인터럽트 사이클 동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.
문제 90
마이크로컴퓨터와 외부의 입ㆍ출력 장치 간의 정보 교환을 수행하는 것은?
1interface unit
2arithmetic unit
3control unit
4interrupt process unit
문제 91
STACK에 관한 용어 또는 명령어로 가장 관련이 없는 것은?
1FIFO
2PUSH
3POP
4LIFO
문제 92
CPU가 입ㆍ출력 데이터 전송을 메모리에서의 데이터 전송과 같은 방법으로 수행할 수 있는 입ㆍ출력 제어방식은?
1Interrupt I/O
2Memory-mapped I/O
3Isolated I/O
4Programmed I/O
문제 93
64 Kilo Bit DRAM이 몇 개 있어야 128 Kilo Byte의 용량이 되는가?
12개
24개
38개
416개
문제 94
그림과 같은 JK 플립플롭을 결선하고, 클락펄스를 계속 인가하였을 때의 출력상태는?
1Set 된다.
2Reset 된다.
3Toggle 된다.
4동작불능 상태가 된다.
문제 95
2진수 10111101001를 16진수로 변환시킨 것은?
15D9(16)
2AE9(16)
35E9(16)
4B59(16)
문제 96
시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다.
2언어 프로세서는 기계언어를 사용자 편의로 된 언어로 번역한다.
3진단 프로그램은 컴퓨터의 고장을 고쳐준다.
4로더 프로그램은 주기억장치의 내용을 보조기억장치로 보낸다.
문제 97
DMA(Direct Memory Access)에 관한 설명으로 올바른 것은?
1CPU가 입ㆍ출력을 직접 제어한다.
2입ㆍ출력 동작을 수행하는 동안에는 프로세서가 다른 일을 하지 못한다.
3입ㆍ출력 모듈의 인터럽트 신호에 의하여 데이터 전송이 이루어진다.
4CPU가 개입하지 않고 기억장치와 입ㆍ출력 모듈 사이에 데이터 전송이 이루어진다.
문제 98
마이크로소프트사에서 디바이스 드라이버의 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?
1ISA
2PCI
3OSC
4WDM
문제 99
16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
1AND 8개, OR 8개
2AND 8개, OR 16개
3AND 16개, OR 8개
4AND 16개, OR 16개
문제 100
순서도(flowchart) 작성 시 주의사항에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다.
2되도록이면 선이 교차하지 않게 그린다.
3적당한 설명을 첨부한다.
4서브루틴은 가급적 별도로 그린다.