[전자기사 필기] 17년 2회차
전자기사 필기 기출문제

17년 2회차

총 100문항 · 객관식 · A4 약 1장

1 / 1
A4정답 포함
전자기사 필기 기출문제모두CBT · moducbt.com

17년 2회차

총 100문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
그림과 같은 히스테리시스 루프를 가진 철심이 강한 평등자계에 의해 매초 60Hz로 자화할 경우 히스테리스 손실은 몇 W 인가? (단, 철심의 체적은 20cm3, Br=5Wb/m2, Hc=2AT/m이다.)
11.2×10-2
22.4×10-2
33.6×10-2
44.8×10-2
정답 및 해설

히스테리시스 손실은 루프 면적 × 체적 × 주파수로 구하며, 결과는 4.8×10−24.8\times10^{-2} W이다.

그림의 루프는 위·아래 변이 ±Br\pm B_r, 빗변이 H축과 ±Hc\pm H_c에서 만나는 평행사변형이다. 어느 높이에서나 가로 폭이 2Hc2H_c이고 높이가 2Br2B_r이므로 한 주기당 단위 체적 손실은
w=2Hc×2Br=4BrHc=4×5×2=40w = 2H_c \times 2B_r = 4B_rH_c = 4\times5\times2 = 40 J/m³

P=w v f=40×(20×10−6)×60=4.8×10−2P = w\,v\,f = 40\times(20\times10^{-6})\times60 = 4.8\times10^{-2} W

  • 1.2×10−21.2\times10^{-2} W 보기는 계산값과 다르다.
  • 2.4×10−22.4\times10^{-2} W 보기는 계산값과 다르다.
  • 3.6×10−23.6\times10^{-2} W 보기는 계산값과 다르다.
문제 2
유전율 ε=8.855×10<sup>-12</sup>-(F/m)인 진공 중을 전자파가 전파할 때 진공 중의 투자율(H/m)은?
17.58×10-5
27.58×10-7
312.56×10-5
412.56×10-7
문제 3
그림과 같은 길이가 1m인 동축 원통 사이의 정전용량(F/m)은?
1
2
3
4
정답 및 해설

내부 반지름 a, 외부 반지름 b인 동축 원통의 단위 길이당 정전용량은 C=2πϵln⁡baC=\dfrac{2\pi\epsilon}{\ln\frac{b}{a}}이다.

그림은 길이 1m, 안쪽 원통 반지름 a, 바깥 원통 반지름 b, 사이 유전율 ϵ\epsilon이다. 단위 길이당 전하 λ\lambda에 가우스 법칙을 쓰면
E=λ2πϵr,V=∫abE dr=λ2πϵln⁡baE=\dfrac{\lambda}{2\pi\epsilon r},\quad V=\int_a^b E\,dr=\dfrac{\lambda}{2\pi\epsilon}\ln\dfrac{b}{a}
C=λV=2πϵln⁡baC=\dfrac{\lambda}{V}=\dfrac{2\pi\epsilon}{\ln\frac{b}{a}}

  • 분자가 2π2\pi이고 분모에 ϵ\epsilon이 있는 보기는 정전용량이 유전율에 반비례하게 되어 차원(F/m)이 맞지 않는다.
  • 분자가 ϵ\epsilon이고 분모에 2π2\pi가 있는 보기는 원통 둘레 2πr2\pi r에서 오는 계수 위치가 뒤바뀐 식으로 유도 결과와 다르다.
  • 로그 안이 ab\frac{a}{b}인 보기는 a가 b보다 작아 로그값이 음수가 되므로 정전용량이 음수가 되어 성립하지 않는다.
문제 4
철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속(Wb)은?
14×10-3
24×10-4
38×10-3
48×10-4
정답 및 해설

철심 내의 자속은 8×10−3 Wb8\times10^{-3}\,\mathrm{Wb}이다.

자속은 기자력을 자기저항으로 나눈 값이며, 자로 길이는 ℓ=2πr\ell=2\pi r, 단면적은 S=10−3 m2S=10^{-3}\,\mathrm{m^2}이다.
Φ=μ0μrSNIℓ=4π×10−7×4000×10−3×500×22π×0.1=8×10−3 Wb\Phi=\dfrac{\mu_0\mu_r S NI}{\ell}=\dfrac{4\pi\times10^{-7}\times4000\times10^{-3}\times500\times2}{2\pi\times0.1}=8\times10^{-3}\,\mathrm{Wb}

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 4×10−3 Wb4\times10^{-3}\,\mathrm{Wb}는 계산값과 다르다.
  • 4×10−4 Wb4\times10^{-4}\,\mathrm{Wb}는 계산값과 다르다.
  • 8×10−4 Wb8\times10^{-4}\,\mathrm{Wb}는 계산값과 다르다.
문제 5
원통좌표계에서 전류밀도j=Kr2az(A/m2)일 때 암페어의 법칙을 사용한 자계의 세기 H(AT/m)는? (단, K는 상수이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

암페어 법칙으로 구하면 H=K4r3 aϕH=\dfrac{K}{4}r^3\,a_\phi이다.

z 방향 전류에 대해 반지름 r의 원형 경로를 잡으면 자계는 원주(aϕa_\phi) 방향이다.
H⋅2πr=∫0rKr′2⋅2πr′ dr′=2πKr44H\cdot 2\pi r=\int_0^r Kr'^2\cdot 2\pi r'\,dr'=\dfrac{2\pi K r^4}{4}
H=Kr34H=\dfrac{K r^3}{4}

  • K4r4aϕ\dfrac{K}{4}r^4a_\phi 보기는 방향은 같으나 r의 지수가 하나 커서 계산값과 다르다.
  • K4r4az\dfrac{K}{4}r^4a_z 보기는 크기도 계산값과 다르고, z 방향 전류가 만드는 자계는 전류를 감싸는 원주 방향이므로 방향도 틀리다.
  • K4r3az\dfrac{K}{4}r^3a_z 보기는 크기는 같으나 자계 방향을 전류와 같은 z 방향으로 두어 틀리다.
문제 6
정전용량이 Co(F)인 평행판 공기콘덴서가 있다. 이것의 극판에 평행으로 판간격 d(m)의 1/2 두께인 유리판을 삽입하였을 때의 정전용량(F)은? (단, 유리판의 유전율은 ε(F/m)이라 한다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

공기층과 유리층이 직렬 콘덴서를 이루므로 정전용량은 2C01+ϵ0ϵ\dfrac{2C_0}{1+\frac{\epsilon_0}{\epsilon}}이다.

C0=ϵ0SdC_0=\dfrac{\epsilon_0S}{d}일 때 두께 d2\frac{d}{2}인 각 층은
공기층 C1=ϵ0Sd/2=2C0C_1=\dfrac{\epsilon_0S}{d/2}=2C_0, 유리층 C2=ϵSd/2=2C0ϵϵ0C_2=\dfrac{\epsilon S}{d/2}=2C_0\dfrac{\epsilon}{\epsilon_0}
1C=12C0(1+ϵ0ϵ)  ⇒  C=2C01+ϵ0ϵ\dfrac{1}{C}=\dfrac{1}{2C_0}\left(1+\dfrac{\epsilon_0}{\epsilon}\right)\;\Rightarrow\;C=\dfrac{2C_0}{1+\frac{\epsilon_0}{\epsilon}}

  • 분모가 1+1ϵ1+\frac{1}{\epsilon}이고 분자가 2C02C_0인 보기는 유전율 ϵ\epsilon(F/m)의 역수를 무차원 1에 더하는 꼴이라 차원이 맞지 않는다.
  • 분모가 1+1ϵ1+\frac{1}{\epsilon}이고 분자가 C0C_0인 보기도 같은 이유로 차원이 맞지 않는다.
  • 2πϵ1+ϵϵ0\dfrac{2\pi\epsilon}{1+\frac{\epsilon}{\epsilon_0}} 보기는 C0C_0가 없어 단위가 F/m가 되므로 정전용량(F)과 차원이 다르다.
문제 7
점전하에 의한 전계의 세기(V/m)를 나타내는 식은? (단, r은 거리, Q는 전하량, λ는 선전하 밀도, σ는 표면전하밀도이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

점전하 Q에서 거리 r인 점의 전계는 E=14πϵ0Qr2E=\dfrac{1}{4\pi\epsilon_0}\dfrac{Q}{r^2}이다.

반지름 r인 구면에 가우스 법칙을 적용하면 E⋅4πr2=Qϵ0E\cdot4\pi r^2=\dfrac{Q}{\epsilon_0}이므로 위 식이 나온다.

  • 14πϵ0σr2\dfrac{1}{4\pi\epsilon_0}\dfrac{\sigma}{r^2} 보기는 표면전하밀도(C/m²)를 거리 제곱으로 나누어 전계(V/m)와 차원이 맞지 않는다.
  • 12πϵ0Qr2\dfrac{1}{2\pi\epsilon_0}\dfrac{Q}{r^2} 보기는 구 표면적 4πr24\pi r^2에서 나오는 계수와 달라 계산값의 2배가 된다.
  • 12πϵ0σQr2\dfrac{1}{2\pi\epsilon_0}\dfrac{\sigma Q}{r^2} 보기는 전하량과 면전하밀도를 곱해 전계와 차원이 맞지 않는다.
문제 8
어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 이라고 할 때 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도 ρ는 약 몇 pC/m3 인가?
1-20
2-40
3-160
4-320
정답 및 해설

전하밀도는 포아송 방정식 ρ=−ε∇2V\rho = -\varepsilon \nabla^2 V로 구한다.

V=1x+2xy2V=\frac{1}{x}+2xy^2에서 ∂2V∂x2=2x3\frac{\partial^2 V}{\partial x^2} = \frac{2}{x^3}, ∂2V∂y2=4x\frac{\partial^2 V}{\partial y^2} = 4x이므로
∇2V=2x3+4x\nabla^2 V = \frac{2}{x^3}+4x
점 (x,y)=(1/2,2)(x,y)=(1/2,2)에서 2(1/2)3=16\frac{2}{(1/2)^3}=16, 4×12=24\times\frac{1}{2}=2이므로 ∇2V=18\nabla^2 V = 18
따라서 ρ=−ε0εr∇2V=−8.855×10−12×2×18≈−318.8×10−12≈\rho = -\varepsilon_0\varepsilon_r \nabla^2 V = -8.855\times10^{-12}\times2\times18 \approx -318.8\times10^{-12} \approx 이다.

문제 9
유전율 ε, 투자율 μ인 매질에서의 전파속도 v는?
1
2
3
4
정답 및 해설

유전율 ϵ\epsilon, 투자율 μ\mu인 매질의 전파속도는 v=1ϵμv=\dfrac{1}{\sqrt{\epsilon\mu}}이다.

맥스웰 방정식에서 얻는 파동방정식 ∇2E=μϵ∂2E∂t2\nabla^2E=\mu\epsilon\dfrac{\partial^2E}{\partial t^2}의 계수가 1v2\dfrac{1}{v^2}이므로 v=1μϵv=\dfrac{1}{\sqrt{\mu\epsilon}}이며, 단위는 m/s이다.

  • ϵμ\sqrt{\epsilon\mu} 보기는 단위가 s/m로 속도의 역수이다.
  • ϵμ\sqrt{\dfrac{\epsilon}{\mu}} 보기는 고유 임피던스의 역수(어드미턴스, S)로 속도가 아니다.
  • μϵ\sqrt{\dfrac{\mu}{\epsilon}} 보기는 고유 임피던스(Ω)로 속도가 아니다.
문제 10
벡터 포텐샬 A=3x2yaz+2xay-z3az(Wb/m)일 때의 자계의 세기 H(A/m)는? (단, μ는 투자율이라 한다.)
1
2
3
4
문제 11
전계 E(V/m), 전속밀도 DC/m2), 유전율 Є=Є0Єs(F/m), 분극의 세기 P(C/m2) 사이의 관계는?
1P=D+Є0E
2P=D-Є0E
3
4
정답 및 해설

전속밀도의 정의 D=ϵ0E+PD=\epsilon_0E+P에서 분극의 세기는 P=D−ϵ0EP=D-\epsilon_0E이다.

유전체 안의 전속밀도는 진공 부분 ϵ0E\epsilon_0E에 분극 PP가 더해진 것이므로, 이항하면 P=D−ϵ0EP=D-\epsilon_0E이고 ϵ=ϵ0ϵs\epsilon=\epsilon_0\epsilon_s를 쓰면 P=ϵ0(ϵs−1)EP=\epsilon_0(\epsilon_s-1)E로도 쓸 수 있다.

  • P=D+ϵ0EP=D+\epsilon_0E 보기는 이항할 때 부호가 반대로 되어 정의식과 맞지 않는다.
  • P=D+Eϵ0P=\dfrac{D+E}{\epsilon_0} 보기는 단위가 다른 D(C/m²)와 E(V/m)를 더해 차원이 맞지 않는다.
  • P=D−Eϵ0P=\dfrac{D-E}{\epsilon_0} 보기도 D와 E를 직접 빼므로 차원이 맞지 않는다.
문제 12
내부도체 반지름이 10mm, 외부도체의 내반지름이 20mm인 동축케이블에서 내부도체 표면에 전류 I가 흐르고, 얇은 외부도체에 반대방향인 전류가 흐를 때 단위 길이당 외부 인덕턴스는 약 몇 H/m 인가?
10.28×10-7
21.39×10-7
32.03×10-7
42.78×10-7
정답 및 해설

동축케이블의 단위 길이당 외부 인덕턴스는 내부도체와 외부도체 사이의 자기장에 의해 결정된다. 동축케이블의 외부 인덕턴스 공식은 Lext=μ02πln⁡(ba)L_{ext} = \frac{\mu_0}{2\pi} \ln\left(\frac{b}{a}\right)이다. 여기서 a=10 mm=10×10−3 ma = 10 \text{ mm} = 10 \times 10^{-3} \text{ m}(내부도체 반지름), b=20 mm=20×10−3 mb = 20 \text{ mm} = 20 \times 10^{-3} \text{ m}(외부도체 내반지름), μ0=4π×10−7 H/m\mu_0 = 4\pi \times 10^{-7} \text{ H/m}이다.
Lext=4π×10−72πln⁡(20×10−310×10−3)=2×10−7ln⁡(2)L_{ext} = \frac{4\pi \times 10^{-7}}{2\pi} \ln\left(\frac{20 \times 10^{-3}}{10 \times 10^{-3}}\right) = 2 \times 10^{-7} \ln(2)를 계산하면, ln⁡(2)≈0.693\ln(2) \approx 0.693이므로 Lext=2×10−7×0.693=1.386×10−7≈1.39×10−7 H/mL_{ext} = 2 \times 10^{-7} \times 0.693 = 1.386 \times 10^{-7} \approx 1.39 \times 10^{-7} \text{ H/m}이다.

문제 13
그림과 같이 무한평면 도체 앞 a(m) 거리에 점전하 Q(C)가 있다. 점 0에서 x(m)인 P점의 전하밀도 σ(C/m2)는?
1
2
3
4
정답 및 해설

영상전하법으로 구한 P점 전하밀도의 크기는 Q2π⋅a(a2+x2)3/2\dfrac{Q}{2\pi}\cdot\dfrac{a}{(a^2+x^2)^{3/2}}이다. 실제 유도 전하는 음(−)이지만 보기는 모두 부호 없이 크기로 나타냈으므로 크기로 비교한다.

그림에서 Q는 도체면에서 a 떨어져 있고 P는 수선의 발 O에서 면을 따라 x 떨어진 점이다. 도체 반대편 a 위치에 영상전하 −Q를 두면 P까지 거리는 r=a2+x2r=\sqrt{a^2+x^2}이고, 두 전하의 면 수직 성분이 더해진다.
E=2⋅Q4πϵ0r2⋅ar=Qa2πϵ0(a2+x2)3/2E=2\cdot\dfrac{Q}{4\pi\epsilon_0r^2}\cdot\dfrac{a}{r}=\dfrac{Qa}{2\pi\epsilon_0(a^2+x^2)^{3/2}}
∣σ∣=ϵ0E=Qa2π(a2+x2)3/2|\sigma|=\epsilon_0E=\dfrac{Qa}{2\pi(a^2+x^2)^{3/2}}

  • 계수가 Q4\frac{Q}{4}인 보기는 계산값과 다르다.
  • 계수가 Q4π\frac{Q}{4\pi}이고 지수가 23\frac{2}{3}인 보기는 단위가 C/m²가 되지 않아 차원이 맞지 않는다.
  • 계수가 Q2π\frac{Q}{2\pi}이고 지수가 23\frac{2}{3}인 보기도 거리 지수가 달라 차원이 맞지 않는다.
문제 14
그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N・m 인가?
12.66 × 10-4ax
25.66 × 10-4ax
32.66 × 10-4az
45.66 × 10-4az
정답 및 해설

자기 모멘트와 자속밀도의 외적으로 구하면 토크는 5.66×10−4 az5.66\times10^{-4}\,a_z N·m이다.

그림의 코일은 yz 평면에서 y는 −0.04m~0, z는 0~0.08m인 직사각형이고, 전류는 z축을 따라 위로, 윗변에서 −y 방향, 왼변에서 아래로 흐른다. 이 방향은 +x 쪽에서 볼 때 반시계 방향이므로 자기 모멘트는 +ax+a_x 방향이다.
m=IS ax=5×(0.04×0.08) ax=0.016 axm=IS\,a_x=5\times(0.04\times0.08)\,a_x=0.016\,a_x

τ=m×B=0.016 ax×0.05ax+ay2=0.016×0.052 az≈5.66×10−4 az\tau=m\times B=0.016\,a_x\times0.05\dfrac{a_x+a_y}{\sqrt2}=\dfrac{0.016\times0.05}{\sqrt2}\,a_z\approx5.66\times10^{-4}\,a_z
(ax×ax=0,  ax×ay=aza_x\times a_x=0,\;a_x\times a_y=a_z)

  • 2.66×10−4 ax2.66\times10^{-4}\,a_x 보기는 크기가 계산값과 다르고, 토크는 axa_x 방향인 m과 수직이라 x 성분이 생길 수 없다.
  • 5.66×10−4 ax5.66\times10^{-4}\,a_x 보기는 크기는 같으나 방향이 x로 되어 외적 결과와 다르다.
  • 2.66×10−4 az2.66\times10^{-4}\,a_z 보기는 방향은 같으나 크기가 계산값과 다르다.
문제 15
무한 평면에 일정한 전류가 표면에 한 방향으로 흐르고 있다. 평면으로부터 r만큼 떨어진 점과 2r만큼 떨어진 점과의 자계의 비는 얼마인가?
11
2√2
32
44
정답 및 해설

무한 평면 전류의 자계는 거리와 무관하므로 두 점의 자계 비는 1이다.

표면 전류밀도를 KK라 하면 암페어 법칙으로 평면 양쪽의 자계는 H=K2H=\dfrac{K}{2}로 거리에 무관한 균일한 값이다.
H(r)H(2r)=1\dfrac{H(r)}{H(2r)}=1

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 비 2\sqrt2는 계산값과 다르다. 자계가 거리에 따라 변하지 않는다.
  • 비 2는 계산값과 다르다. 자계가 거리에 따라 변하지 않는다.
  • 비 4는 계산값과 다르다. 자계가 거리에 따라 변하지 않는다.
문제 16
막대자석 위쪽에 동축도체 원판을 놓고 회로의 한 끝은 원판의 주변에 접촉시켜 회전하도록 해놓은 그림과 같은 패러데이 원판 실험을 할 때 검류계에 전류가 흐르지 않는 경우는?
1자석만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
2원판만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
3자석을 축 방향으로 전진시킨 후 후퇴시킬 때
4원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때
정답 및 해설

공식 정답은 원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때이다. 출제 의도는 원판과 자석 사이에 상대운동이 없으면 기전력이 생기지 않는다는 것이다.

다만 물리적으로는 쟁점이 있다. 축대칭인 막대자석의 자계는 자석이 돌아도 변하지 않아 자석만 회전시킬 때 오히려 기전력이 생기지 않고, 원판이 정지한 회로에 대해 돌면 자석과 함께 돌아도 기전력이 생긴다(패러데이 역설).

  • 원판만 회전: 원판의 반지름 방향 도체가 자속을 끊어 기전력이 생긴다.
  • 자석을 축 방향으로 전진·후퇴: 회로와 쇄교하는 자속이 변해 순간적으로 전류가 흐른다.

시험에서는 공고된 정답대로 상대운동이 없는 경우를 고르면 된다.

문제 17
최대 정전용량 C0(F)인 그림과 같은 콘덴서의 정전용량이 각도에 비례하여 변화한다고 한다. 이 콘덴서를 전압 V(V)로 충전했을 때 회전자에 작용하는 토크는?
1
2
3
4
정답 및 해설

회전자에 작용하는 토크는 T=C0V22πT=\dfrac{C_0V^2}{2\pi} (N·m) 이다.

그림의 두 전극은 반원판이라 겹치는 각이 0에서 π\pi rad 까지 변하고, 완전히 겹칠 때 최대 정전용량 C0C_0 가 된다. 정전용량이 각도에 비례하므로 C(θ)=C0πθC(\theta)=\dfrac{C_0}{\pi}\theta, 즉 dCdθ=C0π\dfrac{dC}{d\theta}=\dfrac{C_0}{\pi} 이다.

전압 일정 조건의 정전 에너지 W=12CV2W=\dfrac{1}{2}CV^2 를 각도로 미분하면
T=12V2dCdθ=12V2⋅C0π=C0V22πT=\dfrac{1}{2}V^2\dfrac{dC}{d\theta}=\dfrac{1}{2}V^2\cdot\dfrac{C_0}{\pi}=\dfrac{C_0V^2}{2\pi}

  • C0V22\dfrac{C_0V^2}{2} 보기는 각도 변화율 1π\dfrac{1}{\pi} 이 빠져 계산값과 다르다.
  • C02V2π\dfrac{C_0^2V}{2\pi} 보기는 정전용량의 제곱과 전압의 곱이라 에너지(토크) 차원이 되지 않는다.
  • C0V2π\dfrac{C_0V^2}{\pi} 보기는 계산값의 2배로 계산값과 다르다.
문제 18
자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?
1자기회로의 길이에 비례
2자기회로의 단면적에 비례
3자성체의 비투자율에 비례
4자성체의 비투자율의 제곱에 비례
정답 및 해설

자기저항은 자기회로의 길이에 비례한다.

자기저항은 Rm=ℓμSR_m=\dfrac{\ell}{\mu S}이므로 길이에 비례하고 투자율과 단면적에는 반비례한다.

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 자기저항은 단면적에 비례하지 않고 반비례한다.
  • 자기저항은 비투자율에 비례하지 않고 반비례한다.
  • 자기저항은 비투자율에 반비례하며 제곱에 비례하는 관계는 없다.
문제 19
그림과 같은 정방형관 단면의 격자점 ⑥의 전위를 반복법으로 구하면 약 몇 V 인가?
16.3
29.4
318.8
453.2
문제 20
서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?
1
2
3
4
정답 및 해설

알맞은 식은 보강 쪽 L1L_1 이 상쇄 쪽 L2L_2 보다 크고 ∣M∣=L1−L24|M|=\dfrac{L_1-L_2}{4} 인 식이다.

자속이 보강되는 가동 결합은 L1=Lc1+Lc2+2∣M∣L_1=L_{c1}+L_{c2}+2|M|, 상쇄되는 차동 결합은 L2=Lc1+Lc2−2∣M∣L_2=L_{c1}+L_{c2}-2|M| 이다.
두 식을 빼면 L1−L2=4∣M∣L_1-L_2=4|M| 이므로 ∣M∣=L1−L24|M|=\dfrac{L_1-L_2}{4}, 그리고 ∣M∣|M| 이 0 이 아니면 항상 L1L_1 이 L2L_2 보다 크다.

  • L1L_1 이 L2L_2 보다 작고 ∣M∣=L2+L14|M|=\dfrac{L_2+L_1}{4} 인 보기는 대소 관계가 반대이고, 두 값을 더하면 2(Lc1+Lc2)2(L_{c1}+L_{c2}) 가 되어 상호인덕턴스가 남지 않는다.
  • L1L_1 이 L2L_2 보다 크고 ∣M∣=L1+L24|M|=\dfrac{L_1+L_2}{4} 인 보기는 대소 관계는 맞지만 합은 자기인덕턴스 합에 비례할 뿐 ∣M∣|M| 이 아니다.
  • L1L_1 이 L2L_2 보다 작고 ∣M∣=L2−L14|M|=\dfrac{L_2-L_1}{4} 인 보기는 보강 쪽이 더 크다는 관계와 반대이며 이 식은 음수가 된다.
문제 21
△결선된 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)
19배로 증가한다.
20.1배로 줄어든다.
33배로 증가한다.
40.3배로 줄어든다.
정답 및 해설

Δ결선 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 1/3배(약 0.3배)로 줄어든다.

선간 전압 VV가 일정할 때 상저항 RR에 대해
PΔ=3V2RP_\Delta=3\dfrac{V^2}{R}, PY=3(V/3)2R=V2RP_Y=3\dfrac{(V/\sqrt3)^2}{R}=\dfrac{V^2}{R}
PYPΔ=13≈0.3\dfrac{P_Y}{P_\Delta}=\dfrac13\approx0.3

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 9배로 증가한다는 값은 계산값과 다르다.
  • 0.1배로 줄어든다는 값은 계산값 1/3과 다르다.
  • 3배로 증가한다는 값은 Y결선을 Δ결선으로 바꿀 때의 배율이어서 방향이 반대이다.
문제 22
그림과 같은 회로에서 영상 임피던스 Z01, Z02의 값은 약 몇 Ω 인가?
1Z01 = 8, Z02 = 4.96
2Z01 = 8, Z02 = 9.92
3Z01 = 16, Z02 = 4.96
4Z01 = 16, Z02 = 9.92
정답 및 해설

영상 임피던스는 Z01≈16Z_{01}\approx 16 Ω, Z02≈9.92Z_{02}\approx 9.92 Ω 이다.

그림은 직렬 R1=10R_1=10 Ω, 출력 쪽 병렬 R2=16R_2=16 Ω 인 L형 회로라 4단자 정수는
A=1+1016=1.625, B=10, C=116, D=1A=1+\dfrac{10}{16}=1.625,\ B=10,\ C=\dfrac{1}{16},\ D=1

영상 임피던스 공식에 대입하면
Z01=ABCD=1.625×10×16=260≈16.1Z_{01}=\sqrt{\dfrac{AB}{CD}}=\sqrt{1.625\times10\times16}=\sqrt{260}\approx16.1
Z02=BDAC=101.625/16≈9.92Z_{02}=\sqrt{\dfrac{BD}{AC}}=\sqrt{\dfrac{10}{1.625/16}}\approx9.92

  • Z01=8, Z02=4.96Z_{01}=8,\ Z_{02}=4.96 보기는 두 값 모두 계산값과 다르다.
  • Z01=8, Z02=9.92Z_{01}=8,\ Z_{02}=9.92 보기는 Z01Z_{01} 이 계산값과 다르다.
  • Z01=16, Z02=4.96Z_{01}=16,\ Z_{02}=4.96 보기는 Z02Z_{02} 가 계산값과 다르다.
문제 23
다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?
1
2
3
4
정답 및 해설

그림 파형의 라플라스 변환은 H(s)=1s−e−2ssH(s)=\dfrac{1}{s}-\dfrac{e^{-2s}}{s} 이다.

그림은 t=0t=0 에서 높이 1 로 올라가 t=2t=2 에서 0 으로 떨어지는 구형 펄스라 h(t)=u(t)−u(t−2)h(t)=u(t)-u(t-2) 로 쓴다.
단위 계단은 1s\dfrac{1}{s}, 2 만큼 늦은 계단은 시간 추이 정리로 e−2ss\dfrac{e^{-2s}}{s} 이므로 차를 취하면 위 결과가 된다.

  • 2e−2ss+2\dfrac{2e^{-2s}}{s+2} 보기는 계산값과 다르며, 초깃값 정리로 h(0+)=0h(0^+)=0 이 되어 시작 높이 1 과 맞지 않는다.
  • s−se−2ss-se^{-2s} 보기는 계산값과 다르며, ss 항은 임펄스의 미분에 해당해 유한한 구형 펄스가 아니다.
  • e−2ss(s+2)\dfrac{e^{-2s}}{s(s+2)} 보기는 계산값과 다르며, e−2se^{-2s} 인자만 있어 t=2t=2 이전 값이 0 이 되므로 0~2 구간 높이 1 과 맞지 않는다.
문제 24
신호 f(t)에 여현파 신호 cosω0t를 곱한 값인 f(t)cosω0t을 Fourier 변환하면?
1
2
3
4
정답 및 해설

f(t)cos⁡ω0tf(t)\cos\omega_0 t 의 푸리에 변환은 12[F(ω+ω0)+F(ω−ω0)]\dfrac{1}{2}[F(\omega+\omega_0)+F(\omega-\omega_0)] 이다.

오일러 공식으로 cos⁡ω0t=ejω0t+e−jω0t2\cos\omega_0 t=\dfrac{e^{j\omega_0 t}+e^{-j\omega_0 t}}{2} 이고, e±jω0te^{\pm j\omega_0 t} 를 곱하면 스펙트럼이 ω∓ω0\omega\mp\omega_0 로 이동한다(주파수 추이).
따라서 F[f(t)cos⁡ω0t]=12F(ω−ω0)+12F(ω+ω0)\mathcal{F}[f(t)\cos\omega_0 t]=\dfrac{1}{2}F(\omega-\omega_0)+\dfrac{1}{2}F(\omega+\omega_0) 이다.

  • 2[F(ω+ω0)+F(ω−ω0)]2[F(\omega+\omega_0)+F(\omega-\omega_0)] 보기는 계수가 계산값과 다르다.
  • π[F(ω+ω0)+F(ω−ω0)]\pi[F(\omega+\omega_0)+F(\omega-\omega_0)] 보기는 계수가 계산값과 다르다.
  • 12[F(ω+ω0)−F(ω−ω0)]\dfrac{1}{2}[F(\omega+\omega_0)-F(\omega-\omega_0)] 보기는 두 항이 모두 양의 계수로 더해지는 계산값과 부호가 다르다.
문제 25
자계 코일에 권수(N)는 1000회, 저항(R)은 6Ω에서 전류(I)가 10A로 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2 Wb이다. 이 회로의 시정수는 몇 초(sec) 인가?
11
22
310
412
정답 및 해설

이 회로의 시정수는 1초이다.

코일의 인덕턴스는 쇄교 자속을 전류로 나눈 값이고, 시정수는 인덕턴스를 저항으로 나눈 값이다.
L=NϕI=1000×6×10−210=6 HL=\dfrac{N\phi}{I}=\dfrac{1000\times6\times10^{-2}}{10}=6\,\mathrm{H}
τ=LR=66=1 s\tau=\dfrac{L}{R}=\dfrac{6}{6}=1\,\mathrm{s}

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 2초는 계산값과 다르다.
  • 10초는 계산값과 다르다.
  • 12초는 계산값과 다르다.
문제 26
그림과 같은 회로의 4단자 정수는?
1
2
3
4
정답 및 해설

직렬 임피던스 하나뿐인 회로의 4단자 정수는 A=1, B=Z, C=0, D=1A=1,\ B=Z,\ C=0,\ D=1 이다.

그림은 입력과 출력 사이에 직렬 임피던스 ZZ 만 있으므로 I1=I2I_1=I_2, V1=V2+ZI2V_1=V_2+ZI_2 이다.
V1=AV2+BI2, I1=CV2+DI2V_1=AV_2+BI_2,\ I_1=CV_2+DI_2 와 비교하면 위 값이 나온다.

  • A=0, B=Z, C=1, D=1A=0,\ B=Z,\ C=1,\ D=1 보기는 CC 가 어드미턴스 차원이어야 하는데 무차원 1 이고, A=0A=0 이면 출력 개방 시 V1=0V_1=0 이 되어 맞지 않는다.
  • A=1, B=0, C=1Z, D=1A=1,\ B=0,\ C=\dfrac{1}{Z},\ D=1 보기는 ZZ 가 병렬로 들어간 회로의 정수이다.
  • A=1, B=0, C=1, D=1ZA=1,\ B=0,\ C=1,\ D=\dfrac{1}{Z} 보기는 무차원이어야 할 DD 가 어드미턴스 차원이라 차원이 맞지 않는다.
문제 27
R=80Ω, XL=60Ω인 R-L 병렬회로에 v=220∠45°V의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
13.67∠45°
25.75∠90°
33.67∠-45°
45.75∠-90°
정답 및 해설

인덕터 전류는 전압보다 위상이 90° 뒤짐이므로, IL=VXL∠(45°−90°)I_L = \dfrac{V}{X_L}\angle(45° - 90°)로 계산한다. 크기는 IL=22060=3.67 AI_L = \dfrac{220}{60} = 3.67\,A이고 위상은 45°−90°=−45°45° - 90° = -45°이므로 3.67∠-45° A가 된다.

문제 28
다음 운동 방정식으로 표시되는 계의 계수 행렬 A는 어떻게 표시되는가?
1
2
3
4
문제 29
이상 변압기의 1차측 권선수:2차측 권선수가 1:2 일 때 부하 저항은 50Ω이다. 입력에서 본 등가 임피던스는 몇 Ω 인가?
150
225
312.5
46.25
정답 및 해설

입력에서 본 등가 임피던스는 12.5Ω이다.

이상 변압기의 2차측 부하는 권수비의 제곱에 비례하여 1차측으로 환산된다.
Zin=(N1N2)2RL=(12)2×50=12.5 ΩZ_{in}=\left(\dfrac{N_1}{N_2}\right)^2R_L=\left(\dfrac12\right)^2\times50=12.5\,\Omega

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 50Ω은 계산값과 다르다.
  • 25Ω은 계산값과 다르다.
  • 6.25Ω은 계산값과 다르다.
문제 30
그림과 같은 이상 변압기에서 Ri=300Ω, RL=75Ω일 때, 권선비 n1:n2는 얼마인가?
11:2
21:4
32:1
44:1
정답 및 해설

권선비 n1:n2n_1:n_2 는 2:1 이다.

이상 변압기는 2차 부하를 1차에서 권선비 제곱배로 본다: Ri=(n1n2)2RLR_i=\left(\dfrac{n_1}{n_2}\right)^2R_L.
(n1n2)2=30075=4 ⇒ n1n2=2\left(\dfrac{n_1}{n_2}\right)^2=\dfrac{300}{75}=4\ \Rightarrow\ \dfrac{n_1}{n_2}=2

  • 1:2 보기는 Ri=754=18.75R_i=\dfrac{75}{4}=18.75 Ω 가 되어 계산값과 다르다.
  • 1:4 보기는 Ri=7516≈4.7R_i=\dfrac{75}{16}\approx4.7 Ω 가 되어 계산값과 다르다.
  • 4:1 보기는 Ri=16×75=1200R_i=16\times75=1200 Ω 가 되어 계산값과 다르다.
문제 31
R-L-C 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는 어떤 회로로 동작하는가?
1유도성 회로
2용량성 회로
3저항성 회로
4탱크 회로
문제 32
직류 전압원에 저항을 접속하고 전류를 흐를 때 이 전류 값을 30% 증가시키기 위해서는 저항값은 어떻게 하여야 하는가?
12배로 증가시킨다.
21.2배로 증가시킨다.
3저항값을 그대로 유지시킨다.
40.77배로 감소시킨다.
정답 및 해설

전류를 30% 늘리려면 저항을 0.77배로 감소시켜야 한다.

전압이 일정하면 전류는 저항에 반비례한다.
R′=V1.3I=R1.3≈0.77RR'=\dfrac{V}{1.3I}=\dfrac{R}{1.3}\approx0.77R

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 저항을 2배로 늘리면 전류가 절반으로 줄어든다.
  • 저항을 1.2배로 늘리면 전류가 줄어든다.
  • 저항을 그대로 두면 전류가 변하지 않는다.
문제 33
그림과 같은 회로에서 정상 전류(i)는 얼마인가? (단, Vdc = 20, R = 20Ω, L = 0.2H 이다.)
1i=2A
2i=4A
3i=1A
4i=6A
정답 및 해설

정상 전류는 i=1i=1 A 이다.

그림은 스위치 SW 로 직류 전원 VdcV_{dc} 에 R·L 이 직렬 연결된 회로다. 정상 상태에서는 전류 변화가 없어 Ldidt=0L\dfrac{di}{dt}=0, 즉 L 은 단락과 같다.
i=VdcR=2020=1i=\dfrac{V_{dc}}{R}=\dfrac{20}{20}=1 A (L 값은 시정수 LR=0.01\dfrac{L}{R}=0.01 s 에만 영향)

  • 2A 보기는 계산값과 다르다.
  • 4A 보기는 계산값과 다르다.
  • 6A 보기는 계산값과 다르다.
문제 34
RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr공진 각 주파수이다.)
1ωrC/R
2ωrL/R 
3ωr/R
4ωrR/L 
정답 및 해설

RLC 직렬 공진회로의 선택도는 Q=ωrLRQ=\dfrac{\omega_rL}{R}이다.

직렬 공진에서 공진 시 리액턴스 ωrL\omega_rL과 저항 RR의 비가 Q이며, Q=1ωrCRQ=\dfrac{1}{\omega_rCR}과 같다.
Q는 무차원이므로 차원으로 따져도 판별된다.

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • ωrC/R\omega_rC/R은 차원이 무차원이 아니므로 Q가 될 수 없다.
  • ωr/R\omega_r/R은 차원이 무차원이 아니므로 Q가 될 수 없다.
  • ωrR/L\omega_rR/L은 차원이 무차원이 아니므로 Q가 될 수 없다.
문제 35
다음 함수에 관한 설명 중 틀린 것은? (단, T는 주기이다.)
1f(t)=f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
2f(t)=-f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 기함수이다.
3f(t)=-f(t+T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 반파대칭인 주기파이다.
4f(t)=f(t±T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
정답 및 해설

틀린 설명은 f(t)=f(t±T/2)f(t)=f(t\pm T/2)이면 우함수라는 서술이다.

이 관계는 함수가 주기 T/2T/2로 반복된다는 뜻일 뿐 대칭성과는 별개이다. 예를 들어 f(t)=sin⁡4πtTf(t)=\sin\dfrac{4\pi t}{T}는 이 관계를 만족하지만 기함수이다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • f(t)=f(−t)f(t)=f(-t)가 모든 t에서 성립하면 우함수라는 서술은 옳다.
  • f(t)=−f(−t)f(t)=-f(-t)가 모든 t에서 성립하면 기함수라는 서술은 옳다.
  • f(t)=−f(t+T/2)f(t)=-f(t+T/2)가 성립하면 반파대칭인 주기파라는 서술은 옳다.
문제 36
저항(R) 8Ω과 정전용량(C) 500μF을 직렬로 연결하고 교류전압 v=200√2sin120πt[V]을 인가하였다. 이때 이 회로의 전압과 전류의 위상차는 약 몇 도(°) 인가?
127°
234°
356°
460°
정답 및 해설

RC 직렬회로에서 전류가 전압을 앞서가므로(용량성), 전압과 전류의 위상차는 약 34°다.

RC 직렬회로에서 위상차는 tan⁡ϕ=XCR\tan\phi = \frac{X_C}{R}로 구하며, 여기서 XCX_C는 용량성 리액턴스다.

주어진 전압식 v=2002sin⁡120πtv=200\sqrt{2}\sin120\pi t에서 각속도 ω=120π\omega = 120\pi rad/s이므로 f=ω2π=60f = \frac{\omega}{2\pi} = 60 Hz다.
용량성 리액턴스는 XC=1ωC=1120π×500×10−6=10.06π≈10.1885≈5.3X_C = \frac{1}{\omega C} = \frac{1}{120\pi \times 500 \times 10^{-6}} = \frac{1}{0.06\pi} \approx \frac{1}{0.1885} \approx 5.3 Ω다.
따라서 tan⁡ϕ=5.38≈0.6625\tan\phi = \frac{5.3}{8} \approx 0.6625이고, ϕ=arctan⁡(0.6625)≈33.7°≈34°\phi = \arctan(0.6625) \approx 33.7° \approx 34°다.

문제 37
그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C값은 몇 F 인가? (단, R=1Ω, L=200mH 이다.)
10.1
20.2
31
42
정답 및 해설

정저항 회로가 되는 C 는 0.2 F 이다.

그림은 R∥LR\parallel L 과 R∥CR\parallel C 를 직렬로 연결한 회로다. a=jωLR, b=jωRCa=\dfrac{j\omega L}{R},\ b=j\omega RC 로 두면
Z=R(a1+a+11+b)Z=R\left(\dfrac{a}{1+a}+\dfrac{1}{1+b}\right)

모든 주파수에서 Z=RZ=R 이려면 a1+a=b1+b\dfrac{a}{1+a}=\dfrac{b}{1+b}, 즉 a=ba=b 여야 하므로 LR=RC\dfrac{L}{R}=RC (R2=LCR^2=\dfrac{L}{C} 조건)이다.
C=LR2=0.212=0.2C=\dfrac{L}{R^2}=\dfrac{0.2}{1^2}=0.2 F

  • 0.1F 보기는 계산값과 다르다.
  • 1F 보기는 계산값과 다르다.
  • 2F 보기는 계산값과 다르다.
문제 38
다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
1A = 7
2B = 48
3C = 6
4D = 7
정답 및 해설

틀린 보기는 C=6C=6 이며, 계산하면 C=1C=1 이다.

그림은 직렬 4Ω–병렬 4Ω–직렬 4Ω 의 T형과 병렬 12Ω–직렬 12Ω–병렬 12Ω 의 π형이 종속 접속된 회로다.
T=[1401][10141][1401]=[212142]T=\begin{bmatrix}1&4\\ 0&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&0\\ \frac{1}{4}&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&4\\ 0&1\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}2&12\\ \frac{1}{4}&2\end{bmatrix}
Π=[101121][11201][101121]=[212142]\Pi=\begin{bmatrix}1&0\\ \frac{1}{12}&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&12\\ 0&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&0\\ \frac{1}{12}&1\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}2&12\\ \frac{1}{4}&2\end{bmatrix}

종속 접속은 행렬 곱이므로
T⋅Π=[2⋅2+12⋅142⋅12+12⋅214⋅2+2⋅1414⋅12+2⋅2]=[74817]T\cdot\Pi=\begin{bmatrix}2\cdot2+12\cdot\frac{1}{4}&2\cdot12+12\cdot2\\ \frac{1}{4}\cdot2+2\cdot\frac{1}{4}&\frac{1}{4}\cdot12+2\cdot2\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}7&48\\ 1&7\end{bmatrix}
검산: AD−BC=49−48=1AD-BC=49-48=1

  • A=7A=7 보기는 계산값과 일치하는 옳은 값이다.
  • B=48B=48 보기는 계산값과 일치하는 옳은 값이다.
  • D=7D=7 보기는 계산값과 일치하는 옳은 값이다.
문제 39
원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?
1원점을 지나는 직선이 된다.
2원점을 지나는 원이 된다.
3원점을 지나지 않는 직선이 된다.
4원점을 지나지 않는 원이 된다.
정답 및 해설

원점을 지나지 않는 직선의 반전변환은 항상 원점을 지나는 원이 된다는 것이 반전변환의 기본 성질이다. 따라서 정답은 원점을 지나는 원이다.

역궤적(inverse locus)은 반전변환(inversion)을 적용한 도형의 자취를 말한다. 반전변환에서 점 PP를 중심 OO, 반전상수 kk에 대해 변환하면 OP⋅OP′=kOP \cdot OP' = k를 만족하는 점 P′P'로 매핑된다.

이는 원점에서 직선까지의 최단거리를 dd라 하면, 직선 위의 점들이 반전에 의해 원 위의 점들로 변환되는데, 직선 위의 무한원점이 반전에 의해 원점으로 수렴하고, 직선상의 모든 유한한 점들이 원 위의 점으로 매핑되기 때문이다.

문제 40
그림에서 a-b간에 25V의 전압을 가할 때 5A의 전류가 흐른다. r1 및 r2에 흐르는 전류비를 1:3으로 하려면 r1 및 r2의 저항은 몇 Ω 인가?
1r1=12, r2=4
2r1=24, r2=8
3r1=6, r2=2
4r1=2, r2=6
정답 및 해설

전체 전압 25V, 전류 5A이므로 합성저항은 25/5=5Ω이며, 2Ω을 제외한 병렬부분 저항은 5-2=3Ω이다.

r₁과 r₂에 흐르는 전류비가 1:3이므로 저항비는 그 역수인 r₁:r₂=3:1이 되어야 하며, 병렬합성저항 r1r2r1+r2=3\dfrac{r_1 r_2}{r_1+r_2}=3을 만족해야 한다.
r₁=3k, r₂=k로 놓으면 3k24k=3\dfrac{3k^2}{4k}=3에서 k=4k=4이므로
r₁=12Ω, r₂=4Ω이 되어 병렬합성저항은 12×416=3Ω\dfrac{12\times4}{16}=3Ω으로 확인된다.

문제 41
무귀환 시 전압이득이 30 이고, 고역 차단 주파수가 20kHz인 증폭기에 귀환을 걸어 전압이득이 20으로 되었다면 이때의 차단주파수는 몇 kHz 인가?
110
220
330
440
정답 및 해설

귀환 증폭기에서 이득-대역폭 곱(gain-bandwidth product)은 일정하게 유지된다는 특성을 적용한다. 무귀환 상태에서 이득×차단주파수 = 30 × 20 kHz = 600 kHz이고, 귀환 후 이득이 20으로 변했을 때도 같은 곱이 유지되므로 20 × f_c = 600 kHz, 따라서 f_c = 30 kHz이다. 귀환을 적용하면 이득은 감소하지만 대역폭이 확장되는 트레이드오프 관계를 보여주는 전형적인 사례다.

문제 42
이상적인 연산 증폭기에 대한 설명 중 틀린것은?
1출력의 일부를 반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 감소시키는 것을 부귀환이라 한다.
2출력의 일부를 비반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 증가시키는 것을 정귀환이라 한다.
3개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 직접화로 이루어진 증폭기이다.
4매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계가 되었다.
문제 43
그림과 같은 NOR 게이트로 구성된 기본적인 플립플롭회로에서 S=0, R=1인 상태일 때 Q, 의 상태는? (단, 클록펄스(CP)가 1일 경우로 가정한다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

S=0, R=1, 클록 1 이면 출력은 Q=0, Q‾=1Q=0,\ \overline{Q}=1 인 리셋 상태가 된다.

그림에서 R 과 클록(펄스 전이 검출기 출력)은 AND 게이트 G3 에, S 와 클록은 AND 게이트 G4 에 들어간다. G3 출력은 NOR 게이트 G1(출력 Q)로, G4 출력은 NOR 게이트 G2(출력 Q‾\overline{Q})로 들어가고, G1·G2 출력이 서로의 나머지 입력으로 교차 궤환된다.

G3=R⋅CP=1⋅1=1,G4=S⋅CP=0⋅1=0G_3 = R \cdot CP = 1 \cdot 1 = 1,\quad G_4 = S \cdot CP = 0 \cdot 1 = 0
G1 은 입력에 1 이 있으므로 Q=1+Q‾‾=0Q = \overline{1 + \overline{Q}} = 0
G2 는 두 입력이 모두 0 이므로 Q‾=G4+Q‾=0+0‾=1\overline{Q} = \overline{G_4 + Q} = \overline{0 + 0} = 1

  • Q=0, Q‾=0Q=0,\ \overline{Q}=0 보기는 G2 의 두 입력이 모두 0 이라 Q‾\overline{Q} 가 1 이 되므로 추적 결과와 다르다.
  • Q=1, Q‾=1Q=1,\ \overline{Q}=1 보기는 G1 에 G3 의 출력 1 이 들어가 Q 가 0 이 되므로 추적 결과와 다르다.
  • Q=1, Q‾=0Q=1,\ \overline{Q}=0 보기는 G1 출력이 0 으로 정해지는 이번 입력 조건과 맞지 않으며, S=1·R=0 일 때의 세트 상태에 해당한다.
문제 44
고주파 증폭회로의 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1트랜지스터의 베이스 폭이 얇을수록 고주파 증폭에 적합하다.
2컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스는 감소한다.
3컬렉터 용량의 영향으로 출력이 귀환된다.
4컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다.
정답 및 해설

고주파 증폭회로의 트랜지스터에서 틀린 설명은 컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다는 서술이다.

컬렉터 용량이 크면 밀러 효과로 입력 쪽 등가 용량이 커지고 출력이 입력으로 귀환되는 양도 늘어, 높은 주파수에서 이득이 감소하므로 고주파 특성은 나빠진다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 베이스 폭이 얇을수록 캐리어 주행 시간이 짧아져 고주파 증폭에 적합하다는 서술은 옳다.
  • 컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스가 감소한다는 서술은 옳다.
  • 컬렉터 용량을 통해 출력의 일부가 입력으로 귀환된다는 서술은 옳다.
문제 45
입력 주파수 192Hz를 T형 플립플롭 3개에 종속 접속하면 출력 주파수는 몇 Hz 인가?
1586
264
348
424
정답 및 해설

T형 플립플롭 3개를 종속 접속하면 출력 주파수는 24Hz이다.

T형 플립플롭 한 개는 입력 주파수를 1/2로 줄이므로 3단이면 232^3분주이다.
fo=19223=24 Hzf_o=\dfrac{192}{2^3}=24\,\mathrm{Hz}

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 586Hz는 계산값과 다르다.
  • 64Hz는 계산값과 다르다.
  • 48Hz는 계산값과 다르다.
문제 46
전력 증폭기 회로의 직류공급 전압이 12 V, 전류가 400 mA이고, 능률이 60%일 때 부하에서 출력전력은 몇 W 인가?
10.8
21.44
32.88
44.9
정답 및 해설

부하 출력전력은 직류 입력전력에 능률을 곱한 2.88 W이다.

Pdc=VCCIC=12×0.4=4.8 WP_{dc}=V_{CC}I_C=12\times0.4=4.8\,\mathrm{W}
Po=ηPdc=0.6×4.8=2.88 WP_o=\eta P_{dc}=0.6\times4.8=2.88\,\mathrm{W}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 0.8 W는 계산값과 다르다.
  • 1.44 W는 계산값과 다르다.
  • 4.9 W는 계산값과 다르다.
문제 47
그림의 비안정 멀티바이브레이터에서 R1 = R2 = R, C1 = C2 = C라고 하면 발진주파수는 대략 어떻게 표시되는가?
10.7/RC
20.5/RC
30.7/RLC
40.5/RLC
정답 및 해설

대칭형 비안정 멀티바이브레이터의 발진주파수는 대략 f≈0.7RCf \approx \dfrac{0.7}{RC} 이다.

그림에서 Q1·Q2 컬렉터에는 부하 RLR_L 이 달리고, 각 컬렉터는 결합 커패시터(C2C_2, C1C_1)를 거쳐 상대 트랜지스터의 베이스로 이어지며, 그 베이스는 R2R_2, R1R_1 을 통해 +Vcc 에 연결된다. 한쪽이 켜져 컬렉터가 Vcc 에서 0 으로 떨어지면 커패시터 반대편(상대 베이스)이 약 −VCC-V_{CC} 로 끌려 내려갔다가 베이스 저항 R 을 통한 RC 충전으로 올라가고, 약 0V 에 이르면 상대 트랜지스터가 다시 켜진다.

vB(t)=VCC−2VCC e−t/RC=0  ⇒  t1=RCln⁡2≈0.69RCv_B(t) = V_{CC} - 2V_{CC}\,e^{-t/RC} = 0 \;\Rightarrow\; t_1 = RC\ln 2 \approx 0.69RC
T=2RCln⁡2≈1.39RC,f=1T≈0.72RC≈0.7RCT = 2RC\ln 2 \approx 1.39RC,\quad f = \dfrac{1}{T} \approx \dfrac{0.72}{RC} \approx \dfrac{0.7}{RC}
(베이스-이미터 전압과 포화 전압을 무시한 근사이며, 문제에서 '대략'이라고 한 까닭이다.)

  • 0.5RC\dfrac{0.5}{RC} 보기는 계산값과 다르다.
  • 0.7RLC\dfrac{0.7}{R_L C} 보기는 반주기를 정하는 시정수가 베이스 저항 R 과 C 의 곱이고 컬렉터 부하 RLR_L 은 이 충전 경로에 들어가지 않으므로 맞지 않다.
  • 0.5RLC\dfrac{0.5}{R_L C} 보기는 계수도 계산값과 다르고, 시정수에 컬렉터 부하 RLR_L 을 쓴 점도 충전 경로와 맞지 않는다.
문제 48
mod-8 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
12개
24개
38개
416개
정답 및 해설

mod-8 존슨 카운터는 4개의 플립플롭을 사용하여 8개의 상태(000, 0001, 0011, 0111, 1111, 1110, 1100, 1000)를 2클록씩 반복 생성하므로, 최소 필요한 플립플롭은 4개이다.

mod-8 존슨 카운터는 8개의 서로 다른 상태를 가져야 하므로, 필요한 플립플롭의 수는 2n≥82^n \geq 8을 만족하는 최소 n값을 구하면 된다. 23=82^3 = 8이므로 이론상으로는 3개가 필요하다.

그러나 존슨 카운터(Johnson counter)는 시프트 레지스터 구조로 동작하며 최상위 비트의 보수를 최하위에 피드백하는 방식으로 상태를 순환한다.

문제 49
부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로를 무엇이라 하는가?
1인코더
2디코더
3플립플롭
4멀티플렉서
정답 및 해설

복수 개의 입력을 2진 코드로 바꾸는 조합 논리회로는 인코더(부호기)이다.

인코더는 활성화된 입력선 하나에 대응하는 2진 코드를 출력하는 부호화 회로이다.

나머지 보기는 다른 기능의 회로이다.

  • 디코더는 2진 코드를 해독해 해당하는 출력선 하나를 활성화하는 회로이다.
  • 플립플롭은 1비트를 기억하는 순서 논리회로의 기본 소자이다.
  • 멀티플렉서는 여러 입력 중 하나를 선택해 단일 출력으로 내보내는 회로이다.
문제 50
JFET에서 IDSS = 12mA, VP = -4V 이고, VGS = -2V일 때 드레인 전류 ID는 몇 mA 인가?
11.5
22.7
33
45
정답 및 해설

JFET의 드레인 전류는 3 mA이며, 제곱 법칙 식으로 구한다.

ID=IDSS(1−VGSVP)2I_D=I_{DSS}\left(1-\dfrac{V_{GS}}{V_P}\right)^2
=12(1−−2−4)2=12×0.52=12\left(1-\dfrac{-2}{-4}\right)^2=12\times0.5^2
=3 mA=3\,\mathrm{mA}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 1.5 mA는 계산값과 다르다.
  • 2.7 mA는 계산값과 다르다.
  • 5 mA는 계산값과 다르다.
문제 51
트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2 μA에서 239.2 μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
11.2
22.2
34.2
46.3
문제 52
FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
2변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
3변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
4신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.
정답 및 해설

FM에서는 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.

FM의 신호 대 잡음비 개선은 변조지수 mfm_f가 클수록 커지며, 변조지수는 신호파 진폭에 비례하므로 대역폭을 넓혀 잡음 개선을 얻는 방식이다.

나머지 보기는 이 관계와 맞지 않는다.

  • 변조지수와 잡음 개선과는 관계없다는 서술은 개선율이 변조지수에 따라 커지므로 틀리다.
  • 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다는 서술은 방향이 반대이다.
  • 신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다는 서술은 신호파가 작으면 변조지수도 작아져 개선이 줄어드므로 틀리다.
문제 53
귀환이 없는 경우의 전압이득이 40dB 인 증폭기에 귀환율(β)이 0.09의 부귀환을 걸면 증폭기의 전압이득은 몇 dB 인가?
110
220
330
440
정답 및 해설

부귀환을 걸면 전압이득은 20 dB이 된다.

A=1040/20=100A=10^{40/20}=100
Aβ=100×0.09=9A\beta=100\times0.09=9
Af=A1+Aβ=10010=10A_f=\dfrac{A}{1+A\beta}=\dfrac{100}{10}=10
20log⁡1010=20 dB20\log_{10}10=20\,\mathrm{dB}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 10 dB는 계산값과 다르다.
  • 30 dB는 계산값과 다르다.
  • 40 dB는 귀환을 걸기 전의 이득이며 부귀환 후 값과 다르다.
문제 54
다음 진리표를 만족하는 논리회로는?
1
2
3
4
정답 및 해설

진리표를 만족하는 회로는 출력에 버블이 달린 NAND 게이트이다.

표에서 Y 는 A=0·B=0, A=0·B=1, A=1·B=0 에서 1 이고 A=1, B=1 일 때만 0 이다. 이는 Y=A⋅B‾Y = \overline{A \cdot B} 의 진리표와 같다.

  • AND 게이트 그림(버블 없는 D 모양) 보기는 Y=A⋅BY = A \cdot B 로 A=0·B=0 에서 0 을 내므로 표의 1 과 다르다.
  • OR 게이트 그림(곡선 입력 한 겹) 보기는 Y=A+BY = A + B 로 A=0·B=0 에서 0 을 내므로 표의 1 과 다르다.
  • XOR 게이트 그림(입력 쪽 곡선 두 겹) 보기는 Y=A⊕BY = A \oplus B 로 A=0·B=0 에서 0 을 내므로 표의 1 과 다르다.
문제 55
발진 회로의 발진의 조건으로 옳은 것은?
1귀환 루프의 위상 천이가 0° 이다.
2귀환 루프의 위상 천이가 180° 이다.
3귀환 루프의 이득이 0 이다.
4귀환 루프의 이득이 1/2이다.
문제 56
전압이득이 60dB, 왜율이 10%인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1%로 개선하기 위해서는 귀환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?
10.9
20.1
30.099
40.011
정답 및 해설

귀환 증폭기에서 왜율은 폐루프 왜율 = 개루프 왜율 / (1 + 루프이득)으로 감소한다. 먼저 개루프 이득을 구하면, 60dB = 20log₁₀(A₀)에서 A₀ = 10³ = 1000이다. 루프이득은 Aβ = A₀ × β이므로 폐루프 왜율 식은 D_f = D₀/(1 + A₀β)이다. 주어진 조건을 대입하면 0.1 = 10/(1 + 1000β)에서 1 + 1000β = 100, β = 0.099이다.

문제 57
변압기가 결합한 A급 증폭기에서 1차:2차(12:1) 변압기가 16Ω 부하저항에 연결되어 있을 때 1차 측에서 보는 실효저항(R1)은 약 몇 kΩ 인가?
11.8
22.1
32.3
42.5
정답 및 해설

1차 측에서 본 실효저항은 권선비의 제곱을 부하에 곱한 약 2.3 kΩ이다.

R1=(N1N2)2RLR_1=\left(\dfrac{N_1}{N_2}\right)^2R_L
=122×16=144×16=12^2\times16=144\times16
=2304 Ω≈2.3 kΩ=2304\,\Omega\approx2.3\,\mathrm{k\Omega}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 1.8 kΩ은 계산값과 다르다.
  • 2.1 kΩ은 계산값과 다르다.
  • 2.5 kΩ은 계산값과 다르다.
문제 58
연산 증폭기의 종류에 대한 설명 중 틀린 것은?
1반전 증폭기는 비반전 입력단은 접지로 하고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
2단위 이득 증폭기는 비반전 입력단은 출력과 단락시키고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
3비반전 증폭기는 반전 입력단은 저항을 이용하여 접지로 하고 비반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
4적분기는 반전 증폭회로에서 귀환 소자인 저항 대신에 커패시터를 사용한 것이다.
정답 및 해설

연산 증폭기 종류의 설명 중 틀린 것은 단위 이득 증폭기에 관한 서술이다.

단위 이득 증폭기(전압 팔로어)는 신호원을 비반전 입력단에 넣고 출력을 반전 입력단에 직접 되돌린다. 비반전 입력단을 출력과 단락한다는 서술은 이 구성과 맞지 않는다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 반전 증폭기는 비반전 입력단을 접지하고 반전 입력단에 신호원을 연결하는 구성이다.
  • 비반전 증폭기는 반전 입력단을 저항으로 접지하고 비반전 입력단에 신호를 넣는 구성이다.
  • 적분기는 반전 증폭회로의 귀환 저항 자리에 커패시터를 넣은 구성이다.
문제 59
다음 그림은 π모델을 이용해서 공통 이미터 트랜지스터의 단락 전류이득을 구하기 위한 등가 회로이다. 단락 전류이득을 주파수 함수로 표시한 것으로 옳은 것은?
1
2
3
4
정답 및 해설

단락 전류이득은 Ai=−gmgb′e+jω(Ce+Cc)A_i = \dfrac{-g_m}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)} 이다.

그림에서 입력 B'–E 사이에 컨덕턴스 gb′eg_{b'e} 와 커패시턴스 Ce+CcC_e + C_c 가 병렬로 있고, 출력 쪽은 C 에서 E 로 향하는 종속 전류원 gmVb′eg_m V_{b'e} 와, C–E 를 잇는 단락선(아래 방향 출력 전류 IoI_o)으로 되어 있다. C 마디에서 전류원 전류 gmVb′eg_m V_{b'e} 와 출력 전류 IoI_o 가 모두 C 에서 빠져나가는 방향으로 표시되어 있으므로 두 전류의 합이 0 이 되어 Io=−gmVb′eI_o = -g_m V_{b'e} 이다.

B' 단자로 들어가는 입력 전류(그림의 Ie)를 IiI_i 라 하면
Vb′e=Iigb′e+jω(Ce+Cc)V_{b'e} = \dfrac{I_i}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)}
Ai=IoIi=−gmgb′e+jω(Ce+Cc)A_i = \dfrac{I_o}{I_i} = \dfrac{-g_m}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)}
전류이득은 전류의 비이므로 무차원이어야 하고, 이 식은 컨덕턴스를 컨덕턴스로 나눈 꼴이라 무차원이다.

  • −gmgb′egb′e+jω(Ce+Cc)\dfrac{-g_m g_{b'e}}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)} 보기는 분자에 컨덕턴스가 하나 더 곱해져 결과가 컨덕턴스 차원으로 남으므로 전류이득이 될 수 없다.
  • −gmgb′ejω(Ce+Cc)\dfrac{-g_m g_{b'e}}{j\omega(C_e + C_c)} 보기는 역시 컨덕턴스 차원이 남고, 분모에서 병렬 컨덕턴스 gb′eg_{b'e} 도 빠져 있어 입력 어드미턴스와 맞지 않는다.
  • −gmVb′egb′e+jω(Ce+Cc)\dfrac{-g_m V_{b'e}}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)} 보기는 분자가 전류, 분모가 어드미턴스라 결과가 전압 차원이 되므로 전류의 비가 아니다.
문제 60
다음 555 회로에서 출력주파수는 몇 kHz 인가?
15.64
26.64
34.64
47.64
문제 61
전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?
1금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
2금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
3금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
4금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 chottky 효과라 한다.
문제 62
공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?
1반도체내의 전하밀도가 매우 크기 때문
2공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문
3금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문
4공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문
문제 63
실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
1동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
2일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
3SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
4무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
문제 64
바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
1걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.
2걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
3걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.
4걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전류를 흡수한다.
정답 및 해설

바리스터는 걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져 과잉전류를 흡수한다.

바리스터는 전압에 따라 저항이 급격히 변하는 비선형 저항 소자이다. 서지 전압이 걸리면 저항이 낮아져 전류를 바이패스시키고, 전압이 내려가면 원래의 높은 저항으로 돌아온다.

나머지 보기는 이 동작과 맞지 않는다.

  • 전압이 높을수록 저항이 커진다는 서술은 저항 변화 방향이 반대이다.
  • 절연파괴로 단락된다는 서술은 비가역 파손을 말하는 것이며, 바리스터의 동작은 전압이 내려가면 높은 저항으로 되돌아오는 가역적 비선형 전도이다.
  • 정전용량이 달라져 충격전류를 흡수한다는 서술은 가변 용량 다이오드의 원리이며, 바리스터의 흡수 원리는 저항 감소이다.
문제 65
전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하량은 1.602×10-19[C] 이다.)
11.75×1017[m/s2]
21.95×1016[m/s2]
32.05×1016[m/s2]
42.35×1014[m/s2]
문제 66
pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?
1접합부에는 전압이 생긴다.
2접합 저항은 외부전압에 따라 변한다.
3접합 저항은 전류에 반비례한다.
4접합 전압은 온도와 무관하다.
정답 및 해설

pn 접합부의 특성으로 틀린 것은 접합 전압이 온도와 무관하다는 서술이다.

접합(접촉) 전위차는 V0=VTln⁡NANDni2V_0=V_T\ln\dfrac{N_AN_D}{n_i^2}이고, VT=kT/qV_T=kT/q와 nin_i가 모두 온도에 따라 변하므로 접합 전압은 온도에 의존한다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 접합부에는 접촉 전위차에 해당하는 전압이 생긴다.
  • 접합 저항은 외부전압에 따라 바이어스 조건이 달라지므로 변한다.
  • 접합 저항은 r=VT/Ir=V_T/I로 전류에 반비례한다.
문제 67
트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
1Early
2Tunnel
3Drift
4Punch-Through
정답 및 해설

트랜지스터에서 컬렉터 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 확대되다가, 결국 이미터 접합의 공핍층과 만나서 베이스 중성영역이 완전히 소멸하는 현상을 Punch-Through라고 한다.

이 때 베이스-컬렉터 전압이 Punch-Through 전압(V_PT)에 도달하며, 이를 초과하면 베이스를 통하지 않고도 이미터에서 컬렉터로 직접 주입된 소수캐리어들이 베이스 영역 없이 수집되어 급격한 누설전류 증가가 발생한다.

  • Early: 유한한 출력 임피던스 현상이다.
  • Tunnel: 터널링 붕괴이다.
  • Drift: 베이스 내 불순물 농도 기울기에 의한 효과이다.
문제 68
300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?
10.02
20.08
30.2
40.8
정답 및 해설

페르미-디랙 분포의 채움 확률로 구하면 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 약 0.02 eV이다.

채움 확률 f=11+e(EA−EF)/kT=0.32f=\dfrac{1}{1+e^{(E_A-E_F)/kT}}=0.32
e(EA−EF)/kT=10.32−1=2.125e^{(E_A-E_F)/kT}=\dfrac{1}{0.32}-1=2.125
EA−EF=kTln⁡2.125≈0.0259×0.754≈0.0195 eVE_A-E_F=kT\ln2.125\approx0.0259\times0.754\approx0.0195\,\mathrm{eV}
따라서 반올림하면 0.02 eV0.02\,\mathrm{eV}이다. 억셉터 준위의 축퇴 인자 4를 넣어 계산해도 차이는 약 0.016 eV0.016\,\mathrm{eV}로 같은 값에 해당한다.

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 0.08 eV는 계산값과 다르다.
  • 0.2 eV는 계산값과 다르다.
  • 0.8 eV는 계산값과 다르다.
문제 69
물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
1열을 가한다.
2빛을 가한다.
3전계를 가한다.
4압축을 한다.
문제 70
진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
1도너 준위에 접근한다.
2금지대 중앙에 위치한다.
3전도대 쪽으로 접근한다.
4가전자대 쪽으로 접근한다.
문제 71
반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?
1결정구조의 결함은 이동도를 감소시킨다.
2직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
3캐리어의 확산 길이는 이동도와 수명시간에 따라 변한다.
4p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 상온에서 정(+)으로 이온화된다.
정답 및 해설

반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은 억셉터 원자가 정(+)으로 이온화된다는 서술이다.

억셉터 원자는 가전자대의 전자를 받아 정공을 만들면서 자신은 음(−)으로 이온화된다. 양(+)으로 이온화되는 쪽은 전자를 내놓는 도너이다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 결정구조의 결함은 캐리어를 산란시켜 이동도를 감소시킨다.
  • 직접 재결합률은 전자밀도와 정공밀도의 곱에 비례한다.
  • 캐리어의 확산 길이는 L=DτL=\sqrt{D\tau}이고 DD가 이동도에 비례하므로 이동도와 수명에 따라 변한다.
문제 72
실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?
10 V
20.7 V
37 V
470 V
정답 및 해설

실리콘 PN 접합다이오드의 컷인 전압은 약 0.7 V이다.

순방향 전류가 뚜렷이 흐르기 시작하는 컷인 전압은 접합의 전위 장벽에 의해 정해진다. 실리콘의 금지대 폭은 약 1.1 eV이고 접촉 전위차는 금지대 폭에 해당하는 전압을 넘을 수 없으므로, 컷인 전압은 0보다 크고 약 1.1 V보다 작은 범위에 있다.

나머지 보기는 이 범위를 벗어난다.

  • 0 V는 전위 장벽이 없다는 뜻이므로 접촉 전위차가 존재하는 PN 접합과 맞지 않다.
  • 7 V는 금지대 폭으로 정해지는 장벽 전위의 상한을 크게 넘는다.
  • 70 V는 금지대 폭으로 정해지는 장벽 전위의 상한을 크게 넘는다.
문제 73
3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m]이다.)
10.12eV
20.012eV
30.24eV
40.024eV
정답 및 해설

음극 표면의 일함수 감소는 Schottky 효과(표면 장벽 저하)로 설명되며, 감소량은 Δϕ=eE4πϵ0\Delta\phi = \sqrt{\frac{e E}{4\pi\epsilon_0}}로 계산된다. 여기서 EE는 전극 표면의 전계 강도이다. 주어진 조건에서 E=Vd=3000 V0.03 m=100,000 V/mE = \frac{V}{d} = \frac{3000\text{ V}}{0.03\text{ m}} = 100,000\text{ V/m}이다.
Δϕ=1.6×10−19×1054π×8.85×10−12=1.6×10−141.112×10−10=1.438×10−4≈0.012 V=0.012 eV\Delta\phi = \sqrt{\frac{1.6 \times 10^{-19} \times 10^5}{4\pi \times 8.85 \times 10^{-12}}} = \sqrt{\frac{1.6 \times 10^{-14}}{1.112 \times 10^{-10}}} = \sqrt{1.438 \times 10^{-4}} \approx 0.012\text{ V} = 0.012\text{ eV}
따라서 음극의 일함수 감소량은 0.012 eV이다.

문제 74
금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?
1표면 전위장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하는 에너지이다.
2금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식이다.
3전자의 구속 에너지와 같다.
4최소한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.
문제 75
Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1최고허용온도가 높다.
2차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
3역방향전류와 잡음지수가 크다.
4고주파 고출력 특성이 좋다.
문제 76
Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
1Fermi-Dirac
2Bose-Einstein
3Gauss-error function
4Maxwell-Boltzmann
정답 및 해설

Pauli의 배타 원리를 만족하는 분포 함수는 Fermi-Dirac 분포이다.

배타 원리에 따라 한 양자 상태에는 전자가 하나만 들어갈 수 있고, 이를 따르는 입자(페르미온)의 통계가 Fermi-Dirac 분포이다.

나머지 보기는 배타 원리를 따르는 분포가 아니다.

  • Bose-Einstein 분포는 한 상태에 여러 입자가 들어갈 수 있는 보손의 통계이다.
  • Gauss-error function은 가우스 함수의 적분으로 정의되는 함수이며 입자 통계 분포가 아니다.
  • Maxwell-Boltzmann 분포는 입자를 구별 가능하다고 보는 고전 통계이다.
문제 77
선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
1포화영역 부근에 설정한다.
2차단영역 부근에 설정한다.
3포화영역 이상에 설정한다.
4차단영역과 포화영역 중간 지점에 설정한다.
정답 및 해설

선형적(선형) 증폭을 위해서는 트랜지스터의 동작점을 차단영역과 포화영역 중간 지점(활성영역의 중앙부)에 설정해야 한다. 포화영역이나 차단영역 부근에 설정하면 신호의 한쪽 끝이 잘려나가는 클리핑이 발생하고 비선형 왜곡이 생기기 때문이다. 활성영역 중간에 Q점(정지점)을 설정하면 입력신호의 양쪽 방향으로 충분한 여유공간이 확보되어 신호가 선형적으로 증폭된다.

문제 78
SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는가?
1Holding Current
2Latching Current
3Trigger Current
4Induction Current
문제 79
2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J・s]이다.)
11.46×10-34
22.23×10-8
35.53×10-5
41.95×10-12
정답 및 해설

de Broglie 파장은 1.95×10−12 m1.95\times10^{-12}\,\mathrm{m}이며 h/mv로 구한다.

λ=hmv\lambda=\dfrac{h}{mv}
=6.63×10−341.7×10−27×2×105=\dfrac{6.63\times10^{-34}}{1.7\times10^{-27}\times2\times10^{5}}
=6.63×10−343.4×10−22≈1.95×10−12 m=\dfrac{6.63\times10^{-34}}{3.4\times10^{-22}}\approx1.95\times10^{-12}\,\mathrm{m}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 1.46×10−34 m1.46\times10^{-34}\,\mathrm{m}는 계산값과 다르다.
  • 2.23×10−8 m2.23\times10^{-8}\,\mathrm{m}는 계산값과 다르다.
  • 5.53×10−5 m5.53\times10^{-5}\,\mathrm{m}는 계산값과 다르다.
문제 80
다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
1인듐(In)
2안티몬(Sb)
3붕소(B)
4알루미늄(Al)
정답 및 해설

P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은 안티몬(Sb)이다.

안티몬은 5가 원소로 전자를 내놓는 도너이므로 N형을 만든다. P형은 3가 원소(억셉터)를 첨가한다.

나머지 보기는 P형을 만드는 3가 불순물이다.

  • 인듐(In)은 3가 원소로 P형 불순물이다.
  • 붕소(B)는 3가 원소로 P형 불순물이다.
  • 알루미늄(Al)은 3가 원소로 P형 불순물이다.
문제 81
부동 소수점(Floating point number) 표현 방식으로 틀린 것은?
1부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
2지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
3부호, 지수부, 소수부의 3개의 필드로 구성되어 있다.
432비트에서 부동 소수점 수를 표현할 때 부호는 2비트를 사용한다.
정답 및 해설

부동 소수점 표현으로 틀린 보기는 32비트 형식에서 부호에 2비트를 쓴다는 서술이다.

부동 소수점 수는 부호, 지수부, 소수부 세 필드로 구성되며 양수·음수만 구분하면 되므로 부호는 1비트만 사용한다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
  • 지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
  • 부동 소수점 수는 부호, 지수부, 소수부의 3개 필드로 구성된다.
문제 82
논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
1OR
2AND
3EX-OR
4NOT
정답 및 해설

마스크 동작은 특정 비트 위치만 선택하여 그 값을 확인하거나 추출하는 연산으로, AND 연산과 동일하다. AND 연산은 두 피연산자의 해당 비트가 모두 1일 때만 결과가 1이 되므로, 마스크 패턴을 AND 연산하면 원하는 비트 위치만 통과시키고 나머지는 0으로 만들 수 있다. 예를 들어 데이터 1101과 마스크 0011을 AND 연산하면 0001이 되어 하위 2비트만 추출된다.

문제 83
다음 논리 함수를 간소화 한 결과는?
1X
2XY
3X+Y
4Y
정답 및 해설

X(X+Y)X(X+Y) 를 간소화하면 X 이다.

분배 법칙과 흡수 법칙을 차례로 적용한다.
X(X+Y)=XX+XY=X+XY=X(1+Y)=XX(X+Y) = XX + XY = X + XY = X(1 + Y) = X

  • XYXY 보기는 X=1, Y=0 일 때 0 이 되어 원식의 값 1 과 다르다.
  • X+YX+Y 보기는 X=0, Y=1 일 때 1 이 되어 원식의 값 0 과 다르다.
  • YY 보기는 X=1, Y=0 일 때 0 이 되어 원식의 값 1 과 다르다.
문제 84
데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?
1단순 연결 리스트(singly linked list)
2이중 연결 리스트(doubly linked list)
3다중 연결 리스트(multi linked list)
4환형 연결 리스트(circular linked list)
문제 85
0-주소 명령어 형식이 사용될 수 있는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?
1단일 누산기 구조
2이중 누산기 구조
3범용 레지스터 구조
4스택 구조
문제 86
다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
1Z=AB+C
2
3
4Z=A+BC
문제 87
컴퓨터의 워드(word) 길이에 대한 설명으로 틀린것은?
1일반적으로 더욱 많은 명령어를 제공할 수 있다.
2일반적으로 워드 길이가 길면 컴퓨터 성능이 좋아진다.
3일반적으로 워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다.
4주소를 지정할 수 있는 수의 범위가 크므로 큰 기억용량이 필요하다.
정답 및 해설

워드 길이가 길수록 한 번에 처리할 수 있는 데이터량이 증가하여 처리 속도는 일반적으로 향상된다. 따라서 3번 "워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다"는 틀린 설명이다. 1번은 더 큰 워드로 더 많은 명령어를 표현할 수 있고, 2번은 한 사이클에 더 많은 데이터 처리로 성능이 향상되며, 4번은 더 긴 주소 필드로 더 많은 메모리 공간을 주소 지정할 수 있으므로 모두 올바른 설명이다.

문제 88
전자계산기의 주요 장치에 대한 설명으로 틀린것은?
1연산 장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
2보조기억 장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
3제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
4입출력 장치 : 필요한 정보의 입출력을 담당하는 장치이다.
정답 및 해설

주요 장치에 대한 설명으로 틀린 것은 보조기억 장치에 관한 서술이다.

데이터나 프로그램을 일시적으로 기억하는 장치는 주기억장치이다. 보조기억 장치는 전원이 꺼져도 내용을 오래 보존하는 대용량 저장 장치이다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 연산 장치는 산술 및 논리연산을 처리한다.
  • 제어장치는 명령어(기계어)를 해독하고 각 장치의 동작을 제어한다.
  • 입출력 장치는 필요한 정보의 입력과 출력을 담당한다.
문제 89
프로그램 카운터가 없는 컴퓨터에서 op code는 3비트이고 메모리는 4096워드(word)일 때 하나의 명령이 한 워드에 저장된다면 워드 당 몇 비트인가? (단, 이 컴퓨터의 명령어는 op code, operand, 어드레스로 구성되어 있다.)
112비트
215비트
327비트
430비트
정답 및 해설

메모리 크기 4096워드에서 주소를 나타내는 데 필요한 비트 수는 log⁡24096=12\log_2 4096 = 12비트이다. 프로그램 카운터가 없으므로 명령어에는 다음 명령어의 주소를 명시적으로 포함해야 한다. 따라서 한 명령어는 op code(3비트) + operand 주소(12비트) + 다음 명령어 주소(12비트)로 구성되며, 총 3 + 12 + 12 = 27비트가 된다. 하나의 명령이 한 워드에 저장되므로 워드 당 27비트이다.

문제 90
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
1인코더
2디코더
3디멀티플렉서
4멀티플렉서
정답 및 해설

부호화된 데이터를 해독하는 조합논리 회로는 디코더이다.

디코더는 n비트 2진 코드를 입력받아 해당하는 출력선 하나를 활성화하는 해독 회로이다.

나머지 보기는 다른 기능의 회로이다.

  • 인코더는 입력을 2진 코드로 바꾸는 부호화 회로이다.
  • 디멀티플렉서는 한 입력을 여러 출력 중 선택한 곳으로 내보내는 분배 회로이다.
  • 멀티플렉서는 여러 입력 중 하나를 선택해 하나의 출력으로 내보내는 선택 회로이다.
문제 91
컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
1CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.
2폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
3CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
4컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.
정답 및 해설

컴퓨터구조 설명으로 가장 옳지 않은 것은 CAE에 관한 서술이다.

CAE(computer aided engineering)는 컴퓨터를 이용해 공학 설계·해석·시뮬레이션을 수행하는 컴퓨터 지원 공학이며, 집적회로로 프로그램을 개발하는 것이 아니다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 폰노이만 구조의 컴퓨터는 제어장치, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
  • CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
  • 컴퓨터 소자는 트랜지스터에서 소규모, 대규모, 초대규모 집적회로로 발달하였다.
문제 92
간접 주소(Indirect Addressing) 방식을 설명한 것은?
1명령어내의 번지는 실제 데이터가 위치하고 있는 주소를 나타낸다.
2프로그램 카운터가 명령어의 주소부분과 더해져서 유효주소가 결정된다.
3명령어의 실제 주소를 나타내는 유효주소는 명령어의 주소 필드가 가르키는 주소에 존재한다.
4인덱스값을 갖는 특별한 레지스터의 내용이 명령어의 주소 부분과 더해져서 유효주소가 얻어진다.
정답 및 해설

간접 주소 방식은 유효주소가 명령어의 주소 필드가 가리키는 주소에 있는 방식이다.

간접 주소 지정에서는 주소 필드가 가리키는 기억장소를 한 번 더 읽어 유효주소를 얻고, 그 주소에서 데이터를 가져온다.

나머지 보기는 다른 주소 지정 방식의 설명이다.

  • 명령어의 번지가 실제 데이터 주소인 방식은 직접 주소 방식이다.
  • 프로그램 카운터를 주소 부분과 더해 유효주소를 정하는 방식은 상대 주소 방식이다.
  • 인덱스 레지스터의 내용을 주소 부분과 더하는 방식은 인덱스 주소 방식이다.
문제 93
C 언어에 대한 설명으로 옳은 것은?
1함수 호출이 아닌 함수 본체의 시작과 끝은 각각 '('과 ')'로 표기한다.
2대화형 언어로서 프로그램을 코딩용지 등에 작성해서 입력해야 한다.
3한 줄에 여러 개의 명령문을 기술할 경우 명령문 사이에 세미콜론(;)을 사용해야 한다.
4프로그램은 반드시 END문으로 끝난다.
정답 및 해설

C 언어에 대한 옳은 설명은 한 줄에 여러 문장을 쓸 때 세미콜론으로 구분한다는 서술이다.

C 언어에서 각 문장은 세미콜론(;)으로 끝나므로 한 줄에 여러 문장을 쓸 때에도 문장 사이를 세미콜론으로 구분한다.

나머지 보기는 C 언어의 특징과 맞지 않는다.

  • 함수 본체의 시작과 끝은 소괄호가 아니라 중괄호로 표기하므로 틀리다.
  • C 언어는 컴파일하여 실행하는 언어이며 대화형 언어가 아니므로 틀리다.
  • C 프로그램은 END문 없이 main 함수의 끝으로 종료되므로 틀리다.
문제 94
서브루틴과 연관되어 사용되는 명령으로 가장 옳은 것은?
1Shift와 Rotate
2Call과 Return
3Skip과 Jump
4Increment와 Decrement
정답 및 해설

서브루틴과 연관된 명령은 Call과 Return이다.

Call은 서브루틴으로 분기하면서 복귀 주소를 저장하고, Return은 저장한 복귀 주소로 돌아온다.

나머지 보기는 서브루틴 호출·복귀와 직접 관련이 없다.

  • Shift와 Rotate는 레지스터 내용을 비트 단위로 이동시키는 명령이다.
  • Skip과 Jump는 조건에 따라 명령어를 건너뛰거나 분기하는 명령이다.
  • Increment와 Decrement는 값을 1 증가·감소시키는 명령이다.
문제 95
다음 C 프로그램을 수행하였을 때 결과 값은?
112
210
31
40
정답 및 해설

프로그램은 12 를 출력한다.

코드는 printf 로 (int)sqrt(pow(12,2)) 의 값을 정수 형식(%d)으로 출력한다. 안쪽부터 계산하면 pow(12,2) 는 122=144.012^2 = 144.0, sqrt(144.0) 은 144.0=12.0\sqrt{144.0} = 12.0 이고, (int) 형 변환으로 12.0 이 정수 12 가 된다.

  • 10 을 출력한다는 보기는 계산값과 다르다.
  • 1 을 출력한다는 보기는 계산값과 다르다.
  • 0 을 출력한다는 보기는 계산값과 다르다.
문제 96
피연산자의 기억 장소에 따른 명령어 형식의 분류에 속하지 않는 것은?
1스택 명령어 형식
2레지스터-레지스터 명령어 형식
3레지스터-메모리 명령어 형식
4스택-메모리 명령어 형식
문제 97
DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다.
2빠른 속도로 자료들을 입출력할 때 사용하는 방식이다.
3DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
4DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 cycle stealing을 행한다.
정답 및 해설

DMA 에 대한 설명으로 옳지 않은 것은 자료 전송 시 CPU 의 레지스터를 직접 사용한다는 서술이다.

DMA 는 DMA 제어기가 기억장치와 주변장치 사이에서 자료를 직접 주고받게 하므로, 전송 중에는 CPU 레지스터를 거치지 않는다.

나머지는 모두 DMA 에 대해 옳은 내용이다.

  • 빠른 속도로 자료를 입출력할 때 사용한다는 서술은 대량 블록을 CPU 개입 없이 고속 전송하는 DMA 의 용도와 같다.
  • DMA 가 기억장치와 주변장치 사이에서 직접 자료를 전송한다는 서술은 DMA 의 정의와 같다.
  • DMA 가 주기억장치에 접근하기 위해 사이클 스틸링을 한다는 서술은 CPU 의 기억장치 사이클을 DMA 가 빌려 쓰는 동작과 같다.
문제 98
언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
1assembler
2interpreter
3compiler
4linkage editor
문제 99
C 언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은?
1-3
2-4
33
44
정답 및 해설

C 언어의 abs\mathrm{abs} 는 정수 절댓값 함수이므로 abs(3.562)\mathrm{abs}(3.562) 의 값은 3 이다.

표준 abs\mathrm{abs} 는 int\mathrm{int} 를 받아 int\mathrm{int} 를 돌려준다.
실수 3.562 는 0 쪽으로 소수부가 잘려 3 이 되고, 그 절댓값은 3 이다.

나머지 보기에 대한 설명이다.

  • −3-3 은 절댓값 함수의 결과가 될 수 없다. 절댓값은 음수가 아니다.
  • −4-4 도 절댓값 함수의 결과가 될 수 없다. 절댓값은 음수가 아니다.
  • 44 는 소수부를 0 쪽으로 자르는 변환과 다르다. 올림이나 반올림이 일어나지 않는다.
문제 100
직렬 덧셈 회로에 꼭 필요한 것은?
1Shift Register
2Buffer Memory
3Operand
4Cache Memory
전자기사 필기 기출문제모두CBT · moducbt.com
17년 2회차
총 100문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
그림과 같은 히스테리시스 루프를 가진 철심이 강한 평등자계에 의해 매초 60Hz로 자화할 경우 히스테리스 손실은 몇 W 인가? (단, 철심의 체적은 20cm3, Br=5Wb/m2, Hc=2AT/m이다.)
11.2×10-2
22.4×10-2
33.6×10-2
44.8×10-2
정답 및 해설

히스테리시스 손실은 루프 면적 × 체적 × 주파수로 구하며, 결과는 4.8×10−24.8\times10^{-2} W이다.

그림의 루프는 위·아래 변이 ±Br\pm B_r, 빗변이 H축과 ±Hc\pm H_c에서 만나는 평행사변형이다. 어느 높이에서나 가로 폭이 2Hc2H_c이고 높이가 2Br2B_r이므로 한 주기당 단위 체적 손실은
w=2Hc×2Br=4BrHc=4×5×2=40w = 2H_c \times 2B_r = 4B_rH_c = 4\times5\times2 = 40 J/m³

P=w v f=40×(20×10−6)×60=4.8×10−2P = w\,v\,f = 40\times(20\times10^{-6})\times60 = 4.8\times10^{-2} W

  • 1.2×10−21.2\times10^{-2} W 보기는 계산값과 다르다.
  • 2.4×10−22.4\times10^{-2} W 보기는 계산값과 다르다.
  • 3.6×10−23.6\times10^{-2} W 보기는 계산값과 다르다.
문제 2
유전율 ε=8.855×10<sup>-12</sup>-(F/m)인 진공 중을 전자파가 전파할 때 진공 중의 투자율(H/m)은?
17.58×10-5
27.58×10-7
312.56×10-5
412.56×10-7
문제 3
그림과 같은 길이가 1m인 동축 원통 사이의 정전용량(F/m)은?
1
2
3
4
정답 및 해설

내부 반지름 a, 외부 반지름 b인 동축 원통의 단위 길이당 정전용량은 C=2πϵln⁡baC=\dfrac{2\pi\epsilon}{\ln\frac{b}{a}}이다.

그림은 길이 1m, 안쪽 원통 반지름 a, 바깥 원통 반지름 b, 사이 유전율 ϵ\epsilon이다. 단위 길이당 전하 λ\lambda에 가우스 법칙을 쓰면
E=λ2πϵr,V=∫abE dr=λ2πϵln⁡baE=\dfrac{\lambda}{2\pi\epsilon r},\quad V=\int_a^b E\,dr=\dfrac{\lambda}{2\pi\epsilon}\ln\dfrac{b}{a}
C=λV=2πϵln⁡baC=\dfrac{\lambda}{V}=\dfrac{2\pi\epsilon}{\ln\frac{b}{a}}

  • 분자가 2π2\pi이고 분모에 ϵ\epsilon이 있는 보기는 정전용량이 유전율에 반비례하게 되어 차원(F/m)이 맞지 않는다.
  • 분자가 ϵ\epsilon이고 분모에 2π2\pi가 있는 보기는 원통 둘레 2πr2\pi r에서 오는 계수 위치가 뒤바뀐 식으로 유도 결과와 다르다.
  • 로그 안이 ab\frac{a}{b}인 보기는 a가 b보다 작아 로그값이 음수가 되므로 정전용량이 음수가 되어 성립하지 않는다.
문제 4
철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속(Wb)은?
14×10-3
24×10-4
38×10-3
48×10-4
정답 및 해설

철심 내의 자속은 8×10−3 Wb8\times10^{-3}\,\mathrm{Wb}이다.

자속은 기자력을 자기저항으로 나눈 값이며, 자로 길이는 ℓ=2πr\ell=2\pi r, 단면적은 S=10−3 m2S=10^{-3}\,\mathrm{m^2}이다.
Φ=μ0μrSNIℓ=4π×10−7×4000×10−3×500×22π×0.1=8×10−3 Wb\Phi=\dfrac{\mu_0\mu_r S NI}{\ell}=\dfrac{4\pi\times10^{-7}\times4000\times10^{-3}\times500\times2}{2\pi\times0.1}=8\times10^{-3}\,\mathrm{Wb}

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 4×10−3 Wb4\times10^{-3}\,\mathrm{Wb}는 계산값과 다르다.
  • 4×10−4 Wb4\times10^{-4}\,\mathrm{Wb}는 계산값과 다르다.
  • 8×10−4 Wb8\times10^{-4}\,\mathrm{Wb}는 계산값과 다르다.
문제 5
원통좌표계에서 전류밀도j=Kr2az(A/m2)일 때 암페어의 법칙을 사용한 자계의 세기 H(AT/m)는? (단, K는 상수이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

암페어 법칙으로 구하면 H=K4r3 aϕH=\dfrac{K}{4}r^3\,a_\phi이다.

z 방향 전류에 대해 반지름 r의 원형 경로를 잡으면 자계는 원주(aϕa_\phi) 방향이다.
H⋅2πr=∫0rKr′2⋅2πr′ dr′=2πKr44H\cdot 2\pi r=\int_0^r Kr'^2\cdot 2\pi r'\,dr'=\dfrac{2\pi K r^4}{4}
H=Kr34H=\dfrac{K r^3}{4}

  • K4r4aϕ\dfrac{K}{4}r^4a_\phi 보기는 방향은 같으나 r의 지수가 하나 커서 계산값과 다르다.
  • K4r4az\dfrac{K}{4}r^4a_z 보기는 크기도 계산값과 다르고, z 방향 전류가 만드는 자계는 전류를 감싸는 원주 방향이므로 방향도 틀리다.
  • K4r3az\dfrac{K}{4}r^3a_z 보기는 크기는 같으나 자계 방향을 전류와 같은 z 방향으로 두어 틀리다.
문제 6
정전용량이 Co(F)인 평행판 공기콘덴서가 있다. 이것의 극판에 평행으로 판간격 d(m)의 1/2 두께인 유리판을 삽입하였을 때의 정전용량(F)은? (단, 유리판의 유전율은 ε(F/m)이라 한다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

공기층과 유리층이 직렬 콘덴서를 이루므로 정전용량은 2C01+ϵ0ϵ\dfrac{2C_0}{1+\frac{\epsilon_0}{\epsilon}}이다.

C0=ϵ0SdC_0=\dfrac{\epsilon_0S}{d}일 때 두께 d2\frac{d}{2}인 각 층은
공기층 C1=ϵ0Sd/2=2C0C_1=\dfrac{\epsilon_0S}{d/2}=2C_0, 유리층 C2=ϵSd/2=2C0ϵϵ0C_2=\dfrac{\epsilon S}{d/2}=2C_0\dfrac{\epsilon}{\epsilon_0}
1C=12C0(1+ϵ0ϵ)  ⇒  C=2C01+ϵ0ϵ\dfrac{1}{C}=\dfrac{1}{2C_0}\left(1+\dfrac{\epsilon_0}{\epsilon}\right)\;\Rightarrow\;C=\dfrac{2C_0}{1+\frac{\epsilon_0}{\epsilon}}

  • 분모가 1+1ϵ1+\frac{1}{\epsilon}이고 분자가 2C02C_0인 보기는 유전율 ϵ\epsilon(F/m)의 역수를 무차원 1에 더하는 꼴이라 차원이 맞지 않는다.
  • 분모가 1+1ϵ1+\frac{1}{\epsilon}이고 분자가 C0C_0인 보기도 같은 이유로 차원이 맞지 않는다.
  • 2πϵ1+ϵϵ0\dfrac{2\pi\epsilon}{1+\frac{\epsilon}{\epsilon_0}} 보기는 C0C_0가 없어 단위가 F/m가 되므로 정전용량(F)과 차원이 다르다.
문제 7
점전하에 의한 전계의 세기(V/m)를 나타내는 식은? (단, r은 거리, Q는 전하량, λ는 선전하 밀도, σ는 표면전하밀도이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

점전하 Q에서 거리 r인 점의 전계는 E=14πϵ0Qr2E=\dfrac{1}{4\pi\epsilon_0}\dfrac{Q}{r^2}이다.

반지름 r인 구면에 가우스 법칙을 적용하면 E⋅4πr2=Qϵ0E\cdot4\pi r^2=\dfrac{Q}{\epsilon_0}이므로 위 식이 나온다.

  • 14πϵ0σr2\dfrac{1}{4\pi\epsilon_0}\dfrac{\sigma}{r^2} 보기는 표면전하밀도(C/m²)를 거리 제곱으로 나누어 전계(V/m)와 차원이 맞지 않는다.
  • 12πϵ0Qr2\dfrac{1}{2\pi\epsilon_0}\dfrac{Q}{r^2} 보기는 구 표면적 4πr24\pi r^2에서 나오는 계수와 달라 계산값의 2배가 된다.
  • 12πϵ0σQr2\dfrac{1}{2\pi\epsilon_0}\dfrac{\sigma Q}{r^2} 보기는 전하량과 면전하밀도를 곱해 전계와 차원이 맞지 않는다.
문제 8
어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 이라고 할 때 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도 ρ는 약 몇 pC/m3 인가?
1-20
2-40
3-160
4-320
정답 및 해설

전하밀도는 포아송 방정식 ρ=−ε∇2V\rho = -\varepsilon \nabla^2 V로 구한다.

V=1x+2xy2V=\frac{1}{x}+2xy^2에서 ∂2V∂x2=2x3\frac{\partial^2 V}{\partial x^2} = \frac{2}{x^3}, ∂2V∂y2=4x\frac{\partial^2 V}{\partial y^2} = 4x이므로
∇2V=2x3+4x\nabla^2 V = \frac{2}{x^3}+4x
점 (x,y)=(1/2,2)(x,y)=(1/2,2)에서 2(1/2)3=16\frac{2}{(1/2)^3}=16, 4×12=24\times\frac{1}{2}=2이므로 ∇2V=18\nabla^2 V = 18
따라서 ρ=−ε0εr∇2V=−8.855×10−12×2×18≈−318.8×10−12≈\rho = -\varepsilon_0\varepsilon_r \nabla^2 V = -8.855\times10^{-12}\times2\times18 \approx -318.8\times10^{-12} \approx 이다.

문제 9
유전율 ε, 투자율 μ인 매질에서의 전파속도 v는?
1
2
3
4
정답 및 해설

유전율 ϵ\epsilon, 투자율 μ\mu인 매질의 전파속도는 v=1ϵμv=\dfrac{1}{\sqrt{\epsilon\mu}}이다.

맥스웰 방정식에서 얻는 파동방정식 ∇2E=μϵ∂2E∂t2\nabla^2E=\mu\epsilon\dfrac{\partial^2E}{\partial t^2}의 계수가 1v2\dfrac{1}{v^2}이므로 v=1μϵv=\dfrac{1}{\sqrt{\mu\epsilon}}이며, 단위는 m/s이다.

  • ϵμ\sqrt{\epsilon\mu} 보기는 단위가 s/m로 속도의 역수이다.
  • ϵμ\sqrt{\dfrac{\epsilon}{\mu}} 보기는 고유 임피던스의 역수(어드미턴스, S)로 속도가 아니다.
  • μϵ\sqrt{\dfrac{\mu}{\epsilon}} 보기는 고유 임피던스(Ω)로 속도가 아니다.
문제 10
벡터 포텐샬 A=3x2yaz+2xay-z3az(Wb/m)일 때의 자계의 세기 H(A/m)는? (단, μ는 투자율이라 한다.)
1
2
3
4
문제 11
전계 E(V/m), 전속밀도 DC/m2), 유전율 Є=Є0Єs(F/m), 분극의 세기 P(C/m2) 사이의 관계는?
1P=D+Є0E
2P=D-Є0E
3
4
정답 및 해설

전속밀도의 정의 D=ϵ0E+PD=\epsilon_0E+P에서 분극의 세기는 P=D−ϵ0EP=D-\epsilon_0E이다.

유전체 안의 전속밀도는 진공 부분 ϵ0E\epsilon_0E에 분극 PP가 더해진 것이므로, 이항하면 P=D−ϵ0EP=D-\epsilon_0E이고 ϵ=ϵ0ϵs\epsilon=\epsilon_0\epsilon_s를 쓰면 P=ϵ0(ϵs−1)EP=\epsilon_0(\epsilon_s-1)E로도 쓸 수 있다.

  • P=D+ϵ0EP=D+\epsilon_0E 보기는 이항할 때 부호가 반대로 되어 정의식과 맞지 않는다.
  • P=D+Eϵ0P=\dfrac{D+E}{\epsilon_0} 보기는 단위가 다른 D(C/m²)와 E(V/m)를 더해 차원이 맞지 않는다.
  • P=D−Eϵ0P=\dfrac{D-E}{\epsilon_0} 보기도 D와 E를 직접 빼므로 차원이 맞지 않는다.
문제 12
내부도체 반지름이 10mm, 외부도체의 내반지름이 20mm인 동축케이블에서 내부도체 표면에 전류 I가 흐르고, 얇은 외부도체에 반대방향인 전류가 흐를 때 단위 길이당 외부 인덕턴스는 약 몇 H/m 인가?
10.28×10-7
21.39×10-7
32.03×10-7
42.78×10-7
정답 및 해설

동축케이블의 단위 길이당 외부 인덕턴스는 내부도체와 외부도체 사이의 자기장에 의해 결정된다. 동축케이블의 외부 인덕턴스 공식은 Lext=μ02πln⁡(ba)L_{ext} = \frac{\mu_0}{2\pi} \ln\left(\frac{b}{a}\right)이다. 여기서 a=10 mm=10×10−3 ma = 10 \text{ mm} = 10 \times 10^{-3} \text{ m}(내부도체 반지름), b=20 mm=20×10−3 mb = 20 \text{ mm} = 20 \times 10^{-3} \text{ m}(외부도체 내반지름), μ0=4π×10−7 H/m\mu_0 = 4\pi \times 10^{-7} \text{ H/m}이다.
Lext=4π×10−72πln⁡(20×10−310×10−3)=2×10−7ln⁡(2)L_{ext} = \frac{4\pi \times 10^{-7}}{2\pi} \ln\left(\frac{20 \times 10^{-3}}{10 \times 10^{-3}}\right) = 2 \times 10^{-7} \ln(2)를 계산하면, ln⁡(2)≈0.693\ln(2) \approx 0.693이므로 Lext=2×10−7×0.693=1.386×10−7≈1.39×10−7 H/mL_{ext} = 2 \times 10^{-7} \times 0.693 = 1.386 \times 10^{-7} \approx 1.39 \times 10^{-7} \text{ H/m}이다.

문제 13
그림과 같이 무한평면 도체 앞 a(m) 거리에 점전하 Q(C)가 있다. 점 0에서 x(m)인 P점의 전하밀도 σ(C/m2)는?
1
2
3
4
정답 및 해설

영상전하법으로 구한 P점 전하밀도의 크기는 Q2π⋅a(a2+x2)3/2\dfrac{Q}{2\pi}\cdot\dfrac{a}{(a^2+x^2)^{3/2}}이다. 실제 유도 전하는 음(−)이지만 보기는 모두 부호 없이 크기로 나타냈으므로 크기로 비교한다.

그림에서 Q는 도체면에서 a 떨어져 있고 P는 수선의 발 O에서 면을 따라 x 떨어진 점이다. 도체 반대편 a 위치에 영상전하 −Q를 두면 P까지 거리는 r=a2+x2r=\sqrt{a^2+x^2}이고, 두 전하의 면 수직 성분이 더해진다.
E=2⋅Q4πϵ0r2⋅ar=Qa2πϵ0(a2+x2)3/2E=2\cdot\dfrac{Q}{4\pi\epsilon_0r^2}\cdot\dfrac{a}{r}=\dfrac{Qa}{2\pi\epsilon_0(a^2+x^2)^{3/2}}
∣σ∣=ϵ0E=Qa2π(a2+x2)3/2|\sigma|=\epsilon_0E=\dfrac{Qa}{2\pi(a^2+x^2)^{3/2}}

  • 계수가 Q4\frac{Q}{4}인 보기는 계산값과 다르다.
  • 계수가 Q4π\frac{Q}{4\pi}이고 지수가 23\frac{2}{3}인 보기는 단위가 C/m²가 되지 않아 차원이 맞지 않는다.
  • 계수가 Q2π\frac{Q}{2\pi}이고 지수가 23\frac{2}{3}인 보기도 거리 지수가 달라 차원이 맞지 않는다.
문제 14
그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N・m 인가?
12.66 × 10-4ax
25.66 × 10-4ax
32.66 × 10-4az
45.66 × 10-4az
정답 및 해설

자기 모멘트와 자속밀도의 외적으로 구하면 토크는 5.66×10−4 az5.66\times10^{-4}\,a_z N·m이다.

그림의 코일은 yz 평면에서 y는 −0.04m~0, z는 0~0.08m인 직사각형이고, 전류는 z축을 따라 위로, 윗변에서 −y 방향, 왼변에서 아래로 흐른다. 이 방향은 +x 쪽에서 볼 때 반시계 방향이므로 자기 모멘트는 +ax+a_x 방향이다.
m=IS ax=5×(0.04×0.08) ax=0.016 axm=IS\,a_x=5\times(0.04\times0.08)\,a_x=0.016\,a_x

τ=m×B=0.016 ax×0.05ax+ay2=0.016×0.052 az≈5.66×10−4 az\tau=m\times B=0.016\,a_x\times0.05\dfrac{a_x+a_y}{\sqrt2}=\dfrac{0.016\times0.05}{\sqrt2}\,a_z\approx5.66\times10^{-4}\,a_z
(ax×ax=0,  ax×ay=aza_x\times a_x=0,\;a_x\times a_y=a_z)

  • 2.66×10−4 ax2.66\times10^{-4}\,a_x 보기는 크기가 계산값과 다르고, 토크는 axa_x 방향인 m과 수직이라 x 성분이 생길 수 없다.
  • 5.66×10−4 ax5.66\times10^{-4}\,a_x 보기는 크기는 같으나 방향이 x로 되어 외적 결과와 다르다.
  • 2.66×10−4 az2.66\times10^{-4}\,a_z 보기는 방향은 같으나 크기가 계산값과 다르다.
문제 15
무한 평면에 일정한 전류가 표면에 한 방향으로 흐르고 있다. 평면으로부터 r만큼 떨어진 점과 2r만큼 떨어진 점과의 자계의 비는 얼마인가?
11
2√2
32
44
정답 및 해설

무한 평면 전류의 자계는 거리와 무관하므로 두 점의 자계 비는 1이다.

표면 전류밀도를 KK라 하면 암페어 법칙으로 평면 양쪽의 자계는 H=K2H=\dfrac{K}{2}로 거리에 무관한 균일한 값이다.
H(r)H(2r)=1\dfrac{H(r)}{H(2r)}=1

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 비 2\sqrt2는 계산값과 다르다. 자계가 거리에 따라 변하지 않는다.
  • 비 2는 계산값과 다르다. 자계가 거리에 따라 변하지 않는다.
  • 비 4는 계산값과 다르다. 자계가 거리에 따라 변하지 않는다.
문제 16
막대자석 위쪽에 동축도체 원판을 놓고 회로의 한 끝은 원판의 주변에 접촉시켜 회전하도록 해놓은 그림과 같은 패러데이 원판 실험을 할 때 검류계에 전류가 흐르지 않는 경우는?
1자석만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
2원판만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
3자석을 축 방향으로 전진시킨 후 후퇴시킬 때
4원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때
정답 및 해설

공식 정답은 원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때이다. 출제 의도는 원판과 자석 사이에 상대운동이 없으면 기전력이 생기지 않는다는 것이다.

다만 물리적으로는 쟁점이 있다. 축대칭인 막대자석의 자계는 자석이 돌아도 변하지 않아 자석만 회전시킬 때 오히려 기전력이 생기지 않고, 원판이 정지한 회로에 대해 돌면 자석과 함께 돌아도 기전력이 생긴다(패러데이 역설).

  • 원판만 회전: 원판의 반지름 방향 도체가 자속을 끊어 기전력이 생긴다.
  • 자석을 축 방향으로 전진·후퇴: 회로와 쇄교하는 자속이 변해 순간적으로 전류가 흐른다.

시험에서는 공고된 정답대로 상대운동이 없는 경우를 고르면 된다.

문제 17
최대 정전용량 C0(F)인 그림과 같은 콘덴서의 정전용량이 각도에 비례하여 변화한다고 한다. 이 콘덴서를 전압 V(V)로 충전했을 때 회전자에 작용하는 토크는?
1
2
3
4
정답 및 해설

회전자에 작용하는 토크는 T=C0V22πT=\dfrac{C_0V^2}{2\pi} (N·m) 이다.

그림의 두 전극은 반원판이라 겹치는 각이 0에서 π\pi rad 까지 변하고, 완전히 겹칠 때 최대 정전용량 C0C_0 가 된다. 정전용량이 각도에 비례하므로 C(θ)=C0πθC(\theta)=\dfrac{C_0}{\pi}\theta, 즉 dCdθ=C0π\dfrac{dC}{d\theta}=\dfrac{C_0}{\pi} 이다.

전압 일정 조건의 정전 에너지 W=12CV2W=\dfrac{1}{2}CV^2 를 각도로 미분하면
T=12V2dCdθ=12V2⋅C0π=C0V22πT=\dfrac{1}{2}V^2\dfrac{dC}{d\theta}=\dfrac{1}{2}V^2\cdot\dfrac{C_0}{\pi}=\dfrac{C_0V^2}{2\pi}

  • C0V22\dfrac{C_0V^2}{2} 보기는 각도 변화율 1π\dfrac{1}{\pi} 이 빠져 계산값과 다르다.
  • C02V2π\dfrac{C_0^2V}{2\pi} 보기는 정전용량의 제곱과 전압의 곱이라 에너지(토크) 차원이 되지 않는다.
  • C0V2π\dfrac{C_0V^2}{\pi} 보기는 계산값의 2배로 계산값과 다르다.
문제 18
자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?
1자기회로의 길이에 비례
2자기회로의 단면적에 비례
3자성체의 비투자율에 비례
4자성체의 비투자율의 제곱에 비례
정답 및 해설

자기저항은 자기회로의 길이에 비례한다.

자기저항은 Rm=ℓμSR_m=\dfrac{\ell}{\mu S}이므로 길이에 비례하고 투자율과 단면적에는 반비례한다.

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 자기저항은 단면적에 비례하지 않고 반비례한다.
  • 자기저항은 비투자율에 비례하지 않고 반비례한다.
  • 자기저항은 비투자율에 반비례하며 제곱에 비례하는 관계는 없다.
문제 19
그림과 같은 정방형관 단면의 격자점 ⑥의 전위를 반복법으로 구하면 약 몇 V 인가?
16.3
29.4
318.8
453.2
문제 20
서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?
1
2
3
4
정답 및 해설

알맞은 식은 보강 쪽 L1L_1 이 상쇄 쪽 L2L_2 보다 크고 ∣M∣=L1−L24|M|=\dfrac{L_1-L_2}{4} 인 식이다.

자속이 보강되는 가동 결합은 L1=Lc1+Lc2+2∣M∣L_1=L_{c1}+L_{c2}+2|M|, 상쇄되는 차동 결합은 L2=Lc1+Lc2−2∣M∣L_2=L_{c1}+L_{c2}-2|M| 이다.
두 식을 빼면 L1−L2=4∣M∣L_1-L_2=4|M| 이므로 ∣M∣=L1−L24|M|=\dfrac{L_1-L_2}{4}, 그리고 ∣M∣|M| 이 0 이 아니면 항상 L1L_1 이 L2L_2 보다 크다.

  • L1L_1 이 L2L_2 보다 작고 ∣M∣=L2+L14|M|=\dfrac{L_2+L_1}{4} 인 보기는 대소 관계가 반대이고, 두 값을 더하면 2(Lc1+Lc2)2(L_{c1}+L_{c2}) 가 되어 상호인덕턴스가 남지 않는다.
  • L1L_1 이 L2L_2 보다 크고 ∣M∣=L1+L24|M|=\dfrac{L_1+L_2}{4} 인 보기는 대소 관계는 맞지만 합은 자기인덕턴스 합에 비례할 뿐 ∣M∣|M| 이 아니다.
  • L1L_1 이 L2L_2 보다 작고 ∣M∣=L2−L14|M|=\dfrac{L_2-L_1}{4} 인 보기는 보강 쪽이 더 크다는 관계와 반대이며 이 식은 음수가 된다.
문제 21
△결선된 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)
19배로 증가한다.
20.1배로 줄어든다.
33배로 증가한다.
40.3배로 줄어든다.
정답 및 해설

Δ결선 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 1/3배(약 0.3배)로 줄어든다.

선간 전압 VV가 일정할 때 상저항 RR에 대해
PΔ=3V2RP_\Delta=3\dfrac{V^2}{R}, PY=3(V/3)2R=V2RP_Y=3\dfrac{(V/\sqrt3)^2}{R}=\dfrac{V^2}{R}
PYPΔ=13≈0.3\dfrac{P_Y}{P_\Delta}=\dfrac13\approx0.3

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 9배로 증가한다는 값은 계산값과 다르다.
  • 0.1배로 줄어든다는 값은 계산값 1/3과 다르다.
  • 3배로 증가한다는 값은 Y결선을 Δ결선으로 바꿀 때의 배율이어서 방향이 반대이다.
문제 22
그림과 같은 회로에서 영상 임피던스 Z01, Z02의 값은 약 몇 Ω 인가?
1Z01 = 8, Z02 = 4.96
2Z01 = 8, Z02 = 9.92
3Z01 = 16, Z02 = 4.96
4Z01 = 16, Z02 = 9.92
정답 및 해설

영상 임피던스는 Z01≈16Z_{01}\approx 16 Ω, Z02≈9.92Z_{02}\approx 9.92 Ω 이다.

그림은 직렬 R1=10R_1=10 Ω, 출력 쪽 병렬 R2=16R_2=16 Ω 인 L형 회로라 4단자 정수는
A=1+1016=1.625, B=10, C=116, D=1A=1+\dfrac{10}{16}=1.625,\ B=10,\ C=\dfrac{1}{16},\ D=1

영상 임피던스 공식에 대입하면
Z01=ABCD=1.625×10×16=260≈16.1Z_{01}=\sqrt{\dfrac{AB}{CD}}=\sqrt{1.625\times10\times16}=\sqrt{260}\approx16.1
Z02=BDAC=101.625/16≈9.92Z_{02}=\sqrt{\dfrac{BD}{AC}}=\sqrt{\dfrac{10}{1.625/16}}\approx9.92

  • Z01=8, Z02=4.96Z_{01}=8,\ Z_{02}=4.96 보기는 두 값 모두 계산값과 다르다.
  • Z01=8, Z02=9.92Z_{01}=8,\ Z_{02}=9.92 보기는 Z01Z_{01} 이 계산값과 다르다.
  • Z01=16, Z02=4.96Z_{01}=16,\ Z_{02}=4.96 보기는 Z02Z_{02} 가 계산값과 다르다.
문제 23
다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?
1
2
3
4
정답 및 해설

그림 파형의 라플라스 변환은 H(s)=1s−e−2ssH(s)=\dfrac{1}{s}-\dfrac{e^{-2s}}{s} 이다.

그림은 t=0t=0 에서 높이 1 로 올라가 t=2t=2 에서 0 으로 떨어지는 구형 펄스라 h(t)=u(t)−u(t−2)h(t)=u(t)-u(t-2) 로 쓴다.
단위 계단은 1s\dfrac{1}{s}, 2 만큼 늦은 계단은 시간 추이 정리로 e−2ss\dfrac{e^{-2s}}{s} 이므로 차를 취하면 위 결과가 된다.

  • 2e−2ss+2\dfrac{2e^{-2s}}{s+2} 보기는 계산값과 다르며, 초깃값 정리로 h(0+)=0h(0^+)=0 이 되어 시작 높이 1 과 맞지 않는다.
  • s−se−2ss-se^{-2s} 보기는 계산값과 다르며, ss 항은 임펄스의 미분에 해당해 유한한 구형 펄스가 아니다.
  • e−2ss(s+2)\dfrac{e^{-2s}}{s(s+2)} 보기는 계산값과 다르며, e−2se^{-2s} 인자만 있어 t=2t=2 이전 값이 0 이 되므로 0~2 구간 높이 1 과 맞지 않는다.
문제 24
신호 f(t)에 여현파 신호 cosω0t를 곱한 값인 f(t)cosω0t을 Fourier 변환하면?
1
2
3
4
정답 및 해설

f(t)cos⁡ω0tf(t)\cos\omega_0 t 의 푸리에 변환은 12[F(ω+ω0)+F(ω−ω0)]\dfrac{1}{2}[F(\omega+\omega_0)+F(\omega-\omega_0)] 이다.

오일러 공식으로 cos⁡ω0t=ejω0t+e−jω0t2\cos\omega_0 t=\dfrac{e^{j\omega_0 t}+e^{-j\omega_0 t}}{2} 이고, e±jω0te^{\pm j\omega_0 t} 를 곱하면 스펙트럼이 ω∓ω0\omega\mp\omega_0 로 이동한다(주파수 추이).
따라서 F[f(t)cos⁡ω0t]=12F(ω−ω0)+12F(ω+ω0)\mathcal{F}[f(t)\cos\omega_0 t]=\dfrac{1}{2}F(\omega-\omega_0)+\dfrac{1}{2}F(\omega+\omega_0) 이다.

  • 2[F(ω+ω0)+F(ω−ω0)]2[F(\omega+\omega_0)+F(\omega-\omega_0)] 보기는 계수가 계산값과 다르다.
  • π[F(ω+ω0)+F(ω−ω0)]\pi[F(\omega+\omega_0)+F(\omega-\omega_0)] 보기는 계수가 계산값과 다르다.
  • 12[F(ω+ω0)−F(ω−ω0)]\dfrac{1}{2}[F(\omega+\omega_0)-F(\omega-\omega_0)] 보기는 두 항이 모두 양의 계수로 더해지는 계산값과 부호가 다르다.
문제 25
자계 코일에 권수(N)는 1000회, 저항(R)은 6Ω에서 전류(I)가 10A로 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2 Wb이다. 이 회로의 시정수는 몇 초(sec) 인가?
11
22
310
412
정답 및 해설

이 회로의 시정수는 1초이다.

코일의 인덕턴스는 쇄교 자속을 전류로 나눈 값이고, 시정수는 인덕턴스를 저항으로 나눈 값이다.
L=NϕI=1000×6×10−210=6 HL=\dfrac{N\phi}{I}=\dfrac{1000\times6\times10^{-2}}{10}=6\,\mathrm{H}
τ=LR=66=1 s\tau=\dfrac{L}{R}=\dfrac{6}{6}=1\,\mathrm{s}

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 2초는 계산값과 다르다.
  • 10초는 계산값과 다르다.
  • 12초는 계산값과 다르다.
문제 26
그림과 같은 회로의 4단자 정수는?
1
2
3
4
정답 및 해설

직렬 임피던스 하나뿐인 회로의 4단자 정수는 A=1, B=Z, C=0, D=1A=1,\ B=Z,\ C=0,\ D=1 이다.

그림은 입력과 출력 사이에 직렬 임피던스 ZZ 만 있으므로 I1=I2I_1=I_2, V1=V2+ZI2V_1=V_2+ZI_2 이다.
V1=AV2+BI2, I1=CV2+DI2V_1=AV_2+BI_2,\ I_1=CV_2+DI_2 와 비교하면 위 값이 나온다.

  • A=0, B=Z, C=1, D=1A=0,\ B=Z,\ C=1,\ D=1 보기는 CC 가 어드미턴스 차원이어야 하는데 무차원 1 이고, A=0A=0 이면 출력 개방 시 V1=0V_1=0 이 되어 맞지 않는다.
  • A=1, B=0, C=1Z, D=1A=1,\ B=0,\ C=\dfrac{1}{Z},\ D=1 보기는 ZZ 가 병렬로 들어간 회로의 정수이다.
  • A=1, B=0, C=1, D=1ZA=1,\ B=0,\ C=1,\ D=\dfrac{1}{Z} 보기는 무차원이어야 할 DD 가 어드미턴스 차원이라 차원이 맞지 않는다.
문제 27
R=80Ω, XL=60Ω인 R-L 병렬회로에 v=220∠45°V의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
13.67∠45°
25.75∠90°
33.67∠-45°
45.75∠-90°
정답 및 해설

인덕터 전류는 전압보다 위상이 90° 뒤짐이므로, IL=VXL∠(45°−90°)I_L = \dfrac{V}{X_L}\angle(45° - 90°)로 계산한다. 크기는 IL=22060=3.67 AI_L = \dfrac{220}{60} = 3.67\,A이고 위상은 45°−90°=−45°45° - 90° = -45°이므로 3.67∠-45° A가 된다.

문제 28
다음 운동 방정식으로 표시되는 계의 계수 행렬 A는 어떻게 표시되는가?
1
2
3
4
문제 29
이상 변압기의 1차측 권선수:2차측 권선수가 1:2 일 때 부하 저항은 50Ω이다. 입력에서 본 등가 임피던스는 몇 Ω 인가?
150
225
312.5
46.25
정답 및 해설

입력에서 본 등가 임피던스는 12.5Ω이다.

이상 변압기의 2차측 부하는 권수비의 제곱에 비례하여 1차측으로 환산된다.
Zin=(N1N2)2RL=(12)2×50=12.5 ΩZ_{in}=\left(\dfrac{N_1}{N_2}\right)^2R_L=\left(\dfrac12\right)^2\times50=12.5\,\Omega

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 50Ω은 계산값과 다르다.
  • 25Ω은 계산값과 다르다.
  • 6.25Ω은 계산값과 다르다.
문제 30
그림과 같은 이상 변압기에서 Ri=300Ω, RL=75Ω일 때, 권선비 n1:n2는 얼마인가?
11:2
21:4
32:1
44:1
정답 및 해설

권선비 n1:n2n_1:n_2 는 2:1 이다.

이상 변압기는 2차 부하를 1차에서 권선비 제곱배로 본다: Ri=(n1n2)2RLR_i=\left(\dfrac{n_1}{n_2}\right)^2R_L.
(n1n2)2=30075=4 ⇒ n1n2=2\left(\dfrac{n_1}{n_2}\right)^2=\dfrac{300}{75}=4\ \Rightarrow\ \dfrac{n_1}{n_2}=2

  • 1:2 보기는 Ri=754=18.75R_i=\dfrac{75}{4}=18.75 Ω 가 되어 계산값과 다르다.
  • 1:4 보기는 Ri=7516≈4.7R_i=\dfrac{75}{16}\approx4.7 Ω 가 되어 계산값과 다르다.
  • 4:1 보기는 Ri=16×75=1200R_i=16\times75=1200 Ω 가 되어 계산값과 다르다.
문제 31
R-L-C 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는 어떤 회로로 동작하는가?
1유도성 회로
2용량성 회로
3저항성 회로
4탱크 회로
문제 32
직류 전압원에 저항을 접속하고 전류를 흐를 때 이 전류 값을 30% 증가시키기 위해서는 저항값은 어떻게 하여야 하는가?
12배로 증가시킨다.
21.2배로 증가시킨다.
3저항값을 그대로 유지시킨다.
40.77배로 감소시킨다.
정답 및 해설

전류를 30% 늘리려면 저항을 0.77배로 감소시켜야 한다.

전압이 일정하면 전류는 저항에 반비례한다.
R′=V1.3I=R1.3≈0.77RR'=\dfrac{V}{1.3I}=\dfrac{R}{1.3}\approx0.77R

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 저항을 2배로 늘리면 전류가 절반으로 줄어든다.
  • 저항을 1.2배로 늘리면 전류가 줄어든다.
  • 저항을 그대로 두면 전류가 변하지 않는다.
문제 33
그림과 같은 회로에서 정상 전류(i)는 얼마인가? (단, Vdc = 20, R = 20Ω, L = 0.2H 이다.)
1i=2A
2i=4A
3i=1A
4i=6A
정답 및 해설

정상 전류는 i=1i=1 A 이다.

그림은 스위치 SW 로 직류 전원 VdcV_{dc} 에 R·L 이 직렬 연결된 회로다. 정상 상태에서는 전류 변화가 없어 Ldidt=0L\dfrac{di}{dt}=0, 즉 L 은 단락과 같다.
i=VdcR=2020=1i=\dfrac{V_{dc}}{R}=\dfrac{20}{20}=1 A (L 값은 시정수 LR=0.01\dfrac{L}{R}=0.01 s 에만 영향)

  • 2A 보기는 계산값과 다르다.
  • 4A 보기는 계산값과 다르다.
  • 6A 보기는 계산값과 다르다.
문제 34
RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr공진 각 주파수이다.)
1ωrC/R
2ωrL/R 
3ωr/R
4ωrR/L 
정답 및 해설

RLC 직렬 공진회로의 선택도는 Q=ωrLRQ=\dfrac{\omega_rL}{R}이다.

직렬 공진에서 공진 시 리액턴스 ωrL\omega_rL과 저항 RR의 비가 Q이며, Q=1ωrCRQ=\dfrac{1}{\omega_rCR}과 같다.
Q는 무차원이므로 차원으로 따져도 판별된다.

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • ωrC/R\omega_rC/R은 차원이 무차원이 아니므로 Q가 될 수 없다.
  • ωr/R\omega_r/R은 차원이 무차원이 아니므로 Q가 될 수 없다.
  • ωrR/L\omega_rR/L은 차원이 무차원이 아니므로 Q가 될 수 없다.
문제 35
다음 함수에 관한 설명 중 틀린 것은? (단, T는 주기이다.)
1f(t)=f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
2f(t)=-f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 기함수이다.
3f(t)=-f(t+T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 반파대칭인 주기파이다.
4f(t)=f(t±T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
정답 및 해설

틀린 설명은 f(t)=f(t±T/2)f(t)=f(t\pm T/2)이면 우함수라는 서술이다.

이 관계는 함수가 주기 T/2T/2로 반복된다는 뜻일 뿐 대칭성과는 별개이다. 예를 들어 f(t)=sin⁡4πtTf(t)=\sin\dfrac{4\pi t}{T}는 이 관계를 만족하지만 기함수이다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • f(t)=f(−t)f(t)=f(-t)가 모든 t에서 성립하면 우함수라는 서술은 옳다.
  • f(t)=−f(−t)f(t)=-f(-t)가 모든 t에서 성립하면 기함수라는 서술은 옳다.
  • f(t)=−f(t+T/2)f(t)=-f(t+T/2)가 성립하면 반파대칭인 주기파라는 서술은 옳다.
문제 36
저항(R) 8Ω과 정전용량(C) 500μF을 직렬로 연결하고 교류전압 v=200√2sin120πt[V]을 인가하였다. 이때 이 회로의 전압과 전류의 위상차는 약 몇 도(°) 인가?
127°
234°
356°
460°
정답 및 해설

RC 직렬회로에서 전류가 전압을 앞서가므로(용량성), 전압과 전류의 위상차는 약 34°다.

RC 직렬회로에서 위상차는 tan⁡ϕ=XCR\tan\phi = \frac{X_C}{R}로 구하며, 여기서 XCX_C는 용량성 리액턴스다.

주어진 전압식 v=2002sin⁡120πtv=200\sqrt{2}\sin120\pi t에서 각속도 ω=120π\omega = 120\pi rad/s이므로 f=ω2π=60f = \frac{\omega}{2\pi} = 60 Hz다.
용량성 리액턴스는 XC=1ωC=1120π×500×10−6=10.06π≈10.1885≈5.3X_C = \frac{1}{\omega C} = \frac{1}{120\pi \times 500 \times 10^{-6}} = \frac{1}{0.06\pi} \approx \frac{1}{0.1885} \approx 5.3 Ω다.
따라서 tan⁡ϕ=5.38≈0.6625\tan\phi = \frac{5.3}{8} \approx 0.6625이고, ϕ=arctan⁡(0.6625)≈33.7°≈34°\phi = \arctan(0.6625) \approx 33.7° \approx 34°다.

문제 37
그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C값은 몇 F 인가? (단, R=1Ω, L=200mH 이다.)
10.1
20.2
31
42
정답 및 해설

정저항 회로가 되는 C 는 0.2 F 이다.

그림은 R∥LR\parallel L 과 R∥CR\parallel C 를 직렬로 연결한 회로다. a=jωLR, b=jωRCa=\dfrac{j\omega L}{R},\ b=j\omega RC 로 두면
Z=R(a1+a+11+b)Z=R\left(\dfrac{a}{1+a}+\dfrac{1}{1+b}\right)

모든 주파수에서 Z=RZ=R 이려면 a1+a=b1+b\dfrac{a}{1+a}=\dfrac{b}{1+b}, 즉 a=ba=b 여야 하므로 LR=RC\dfrac{L}{R}=RC (R2=LCR^2=\dfrac{L}{C} 조건)이다.
C=LR2=0.212=0.2C=\dfrac{L}{R^2}=\dfrac{0.2}{1^2}=0.2 F

  • 0.1F 보기는 계산값과 다르다.
  • 1F 보기는 계산값과 다르다.
  • 2F 보기는 계산값과 다르다.
문제 38
다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
1A = 7
2B = 48
3C = 6
4D = 7
정답 및 해설

틀린 보기는 C=6C=6 이며, 계산하면 C=1C=1 이다.

그림은 직렬 4Ω–병렬 4Ω–직렬 4Ω 의 T형과 병렬 12Ω–직렬 12Ω–병렬 12Ω 의 π형이 종속 접속된 회로다.
T=[1401][10141][1401]=[212142]T=\begin{bmatrix}1&4\\ 0&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&0\\ \frac{1}{4}&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&4\\ 0&1\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}2&12\\ \frac{1}{4}&2\end{bmatrix}
Π=[101121][11201][101121]=[212142]\Pi=\begin{bmatrix}1&0\\ \frac{1}{12}&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&12\\ 0&1\end{bmatrix}\begin{bmatrix}1&0\\ \frac{1}{12}&1\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}2&12\\ \frac{1}{4}&2\end{bmatrix}

종속 접속은 행렬 곱이므로
T⋅Π=[2⋅2+12⋅142⋅12+12⋅214⋅2+2⋅1414⋅12+2⋅2]=[74817]T\cdot\Pi=\begin{bmatrix}2\cdot2+12\cdot\frac{1}{4}&2\cdot12+12\cdot2\\ \frac{1}{4}\cdot2+2\cdot\frac{1}{4}&\frac{1}{4}\cdot12+2\cdot2\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}7&48\\ 1&7\end{bmatrix}
검산: AD−BC=49−48=1AD-BC=49-48=1

  • A=7A=7 보기는 계산값과 일치하는 옳은 값이다.
  • B=48B=48 보기는 계산값과 일치하는 옳은 값이다.
  • D=7D=7 보기는 계산값과 일치하는 옳은 값이다.
문제 39
원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?
1원점을 지나는 직선이 된다.
2원점을 지나는 원이 된다.
3원점을 지나지 않는 직선이 된다.
4원점을 지나지 않는 원이 된다.
정답 및 해설

원점을 지나지 않는 직선의 반전변환은 항상 원점을 지나는 원이 된다는 것이 반전변환의 기본 성질이다. 따라서 정답은 원점을 지나는 원이다.

역궤적(inverse locus)은 반전변환(inversion)을 적용한 도형의 자취를 말한다. 반전변환에서 점 PP를 중심 OO, 반전상수 kk에 대해 변환하면 OP⋅OP′=kOP \cdot OP' = k를 만족하는 점 P′P'로 매핑된다.

이는 원점에서 직선까지의 최단거리를 dd라 하면, 직선 위의 점들이 반전에 의해 원 위의 점들로 변환되는데, 직선 위의 무한원점이 반전에 의해 원점으로 수렴하고, 직선상의 모든 유한한 점들이 원 위의 점으로 매핑되기 때문이다.

문제 40
그림에서 a-b간에 25V의 전압을 가할 때 5A의 전류가 흐른다. r1 및 r2에 흐르는 전류비를 1:3으로 하려면 r1 및 r2의 저항은 몇 Ω 인가?
1r1=12, r2=4
2r1=24, r2=8
3r1=6, r2=2
4r1=2, r2=6
정답 및 해설

전체 전압 25V, 전류 5A이므로 합성저항은 25/5=5Ω이며, 2Ω을 제외한 병렬부분 저항은 5-2=3Ω이다.

r₁과 r₂에 흐르는 전류비가 1:3이므로 저항비는 그 역수인 r₁:r₂=3:1이 되어야 하며, 병렬합성저항 r1r2r1+r2=3\dfrac{r_1 r_2}{r_1+r_2}=3을 만족해야 한다.
r₁=3k, r₂=k로 놓으면 3k24k=3\dfrac{3k^2}{4k}=3에서 k=4k=4이므로
r₁=12Ω, r₂=4Ω이 되어 병렬합성저항은 12×416=3Ω\dfrac{12\times4}{16}=3Ω으로 확인된다.

문제 41
무귀환 시 전압이득이 30 이고, 고역 차단 주파수가 20kHz인 증폭기에 귀환을 걸어 전압이득이 20으로 되었다면 이때의 차단주파수는 몇 kHz 인가?
110
220
330
440
정답 및 해설

귀환 증폭기에서 이득-대역폭 곱(gain-bandwidth product)은 일정하게 유지된다는 특성을 적용한다. 무귀환 상태에서 이득×차단주파수 = 30 × 20 kHz = 600 kHz이고, 귀환 후 이득이 20으로 변했을 때도 같은 곱이 유지되므로 20 × f_c = 600 kHz, 따라서 f_c = 30 kHz이다. 귀환을 적용하면 이득은 감소하지만 대역폭이 확장되는 트레이드오프 관계를 보여주는 전형적인 사례다.

문제 42
이상적인 연산 증폭기에 대한 설명 중 틀린것은?
1출력의 일부를 반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 감소시키는 것을 부귀환이라 한다.
2출력의 일부를 비반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 증가시키는 것을 정귀환이라 한다.
3개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 직접화로 이루어진 증폭기이다.
4매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계가 되었다.
문제 43
그림과 같은 NOR 게이트로 구성된 기본적인 플립플롭회로에서 S=0, R=1인 상태일 때 Q, 의 상태는? (단, 클록펄스(CP)가 1일 경우로 가정한다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

S=0, R=1, 클록 1 이면 출력은 Q=0, Q‾=1Q=0,\ \overline{Q}=1 인 리셋 상태가 된다.

그림에서 R 과 클록(펄스 전이 검출기 출력)은 AND 게이트 G3 에, S 와 클록은 AND 게이트 G4 에 들어간다. G3 출력은 NOR 게이트 G1(출력 Q)로, G4 출력은 NOR 게이트 G2(출력 Q‾\overline{Q})로 들어가고, G1·G2 출력이 서로의 나머지 입력으로 교차 궤환된다.

G3=R⋅CP=1⋅1=1,G4=S⋅CP=0⋅1=0G_3 = R \cdot CP = 1 \cdot 1 = 1,\quad G_4 = S \cdot CP = 0 \cdot 1 = 0
G1 은 입력에 1 이 있으므로 Q=1+Q‾‾=0Q = \overline{1 + \overline{Q}} = 0
G2 는 두 입력이 모두 0 이므로 Q‾=G4+Q‾=0+0‾=1\overline{Q} = \overline{G_4 + Q} = \overline{0 + 0} = 1

  • Q=0, Q‾=0Q=0,\ \overline{Q}=0 보기는 G2 의 두 입력이 모두 0 이라 Q‾\overline{Q} 가 1 이 되므로 추적 결과와 다르다.
  • Q=1, Q‾=1Q=1,\ \overline{Q}=1 보기는 G1 에 G3 의 출력 1 이 들어가 Q 가 0 이 되므로 추적 결과와 다르다.
  • Q=1, Q‾=0Q=1,\ \overline{Q}=0 보기는 G1 출력이 0 으로 정해지는 이번 입력 조건과 맞지 않으며, S=1·R=0 일 때의 세트 상태에 해당한다.
문제 44
고주파 증폭회로의 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1트랜지스터의 베이스 폭이 얇을수록 고주파 증폭에 적합하다.
2컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스는 감소한다.
3컬렉터 용량의 영향으로 출력이 귀환된다.
4컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다.
정답 및 해설

고주파 증폭회로의 트랜지스터에서 틀린 설명은 컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다는 서술이다.

컬렉터 용량이 크면 밀러 효과로 입력 쪽 등가 용량이 커지고 출력이 입력으로 귀환되는 양도 늘어, 높은 주파수에서 이득이 감소하므로 고주파 특성은 나빠진다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 베이스 폭이 얇을수록 캐리어 주행 시간이 짧아져 고주파 증폭에 적합하다는 서술은 옳다.
  • 컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스가 감소한다는 서술은 옳다.
  • 컬렉터 용량을 통해 출력의 일부가 입력으로 귀환된다는 서술은 옳다.
문제 45
입력 주파수 192Hz를 T형 플립플롭 3개에 종속 접속하면 출력 주파수는 몇 Hz 인가?
1586
264
348
424
정답 및 해설

T형 플립플롭 3개를 종속 접속하면 출력 주파수는 24Hz이다.

T형 플립플롭 한 개는 입력 주파수를 1/2로 줄이므로 3단이면 232^3분주이다.
fo=19223=24 Hzf_o=\dfrac{192}{2^3}=24\,\mathrm{Hz}

나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.

  • 586Hz는 계산값과 다르다.
  • 64Hz는 계산값과 다르다.
  • 48Hz는 계산값과 다르다.
문제 46
전력 증폭기 회로의 직류공급 전압이 12 V, 전류가 400 mA이고, 능률이 60%일 때 부하에서 출력전력은 몇 W 인가?
10.8
21.44
32.88
44.9
정답 및 해설

부하 출력전력은 직류 입력전력에 능률을 곱한 2.88 W이다.

Pdc=VCCIC=12×0.4=4.8 WP_{dc}=V_{CC}I_C=12\times0.4=4.8\,\mathrm{W}
Po=ηPdc=0.6×4.8=2.88 WP_o=\eta P_{dc}=0.6\times4.8=2.88\,\mathrm{W}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 0.8 W는 계산값과 다르다.
  • 1.44 W는 계산값과 다르다.
  • 4.9 W는 계산값과 다르다.
문제 47
그림의 비안정 멀티바이브레이터에서 R1 = R2 = R, C1 = C2 = C라고 하면 발진주파수는 대략 어떻게 표시되는가?
10.7/RC
20.5/RC
30.7/RLC
40.5/RLC
정답 및 해설

대칭형 비안정 멀티바이브레이터의 발진주파수는 대략 f≈0.7RCf \approx \dfrac{0.7}{RC} 이다.

그림에서 Q1·Q2 컬렉터에는 부하 RLR_L 이 달리고, 각 컬렉터는 결합 커패시터(C2C_2, C1C_1)를 거쳐 상대 트랜지스터의 베이스로 이어지며, 그 베이스는 R2R_2, R1R_1 을 통해 +Vcc 에 연결된다. 한쪽이 켜져 컬렉터가 Vcc 에서 0 으로 떨어지면 커패시터 반대편(상대 베이스)이 약 −VCC-V_{CC} 로 끌려 내려갔다가 베이스 저항 R 을 통한 RC 충전으로 올라가고, 약 0V 에 이르면 상대 트랜지스터가 다시 켜진다.

vB(t)=VCC−2VCC e−t/RC=0  ⇒  t1=RCln⁡2≈0.69RCv_B(t) = V_{CC} - 2V_{CC}\,e^{-t/RC} = 0 \;\Rightarrow\; t_1 = RC\ln 2 \approx 0.69RC
T=2RCln⁡2≈1.39RC,f=1T≈0.72RC≈0.7RCT = 2RC\ln 2 \approx 1.39RC,\quad f = \dfrac{1}{T} \approx \dfrac{0.72}{RC} \approx \dfrac{0.7}{RC}
(베이스-이미터 전압과 포화 전압을 무시한 근사이며, 문제에서 '대략'이라고 한 까닭이다.)

  • 0.5RC\dfrac{0.5}{RC} 보기는 계산값과 다르다.
  • 0.7RLC\dfrac{0.7}{R_L C} 보기는 반주기를 정하는 시정수가 베이스 저항 R 과 C 의 곱이고 컬렉터 부하 RLR_L 은 이 충전 경로에 들어가지 않으므로 맞지 않다.
  • 0.5RLC\dfrac{0.5}{R_L C} 보기는 계수도 계산값과 다르고, 시정수에 컬렉터 부하 RLR_L 을 쓴 점도 충전 경로와 맞지 않는다.
문제 48
mod-8 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
12개
24개
38개
416개
정답 및 해설

mod-8 존슨 카운터는 4개의 플립플롭을 사용하여 8개의 상태(000, 0001, 0011, 0111, 1111, 1110, 1100, 1000)를 2클록씩 반복 생성하므로, 최소 필요한 플립플롭은 4개이다.

mod-8 존슨 카운터는 8개의 서로 다른 상태를 가져야 하므로, 필요한 플립플롭의 수는 2n≥82^n \geq 8을 만족하는 최소 n값을 구하면 된다. 23=82^3 = 8이므로 이론상으로는 3개가 필요하다.

그러나 존슨 카운터(Johnson counter)는 시프트 레지스터 구조로 동작하며 최상위 비트의 보수를 최하위에 피드백하는 방식으로 상태를 순환한다.

문제 49
부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로를 무엇이라 하는가?
1인코더
2디코더
3플립플롭
4멀티플렉서
정답 및 해설

복수 개의 입력을 2진 코드로 바꾸는 조합 논리회로는 인코더(부호기)이다.

인코더는 활성화된 입력선 하나에 대응하는 2진 코드를 출력하는 부호화 회로이다.

나머지 보기는 다른 기능의 회로이다.

  • 디코더는 2진 코드를 해독해 해당하는 출력선 하나를 활성화하는 회로이다.
  • 플립플롭은 1비트를 기억하는 순서 논리회로의 기본 소자이다.
  • 멀티플렉서는 여러 입력 중 하나를 선택해 단일 출력으로 내보내는 회로이다.
문제 50
JFET에서 IDSS = 12mA, VP = -4V 이고, VGS = -2V일 때 드레인 전류 ID는 몇 mA 인가?
11.5
22.7
33
45
정답 및 해설

JFET의 드레인 전류는 3 mA이며, 제곱 법칙 식으로 구한다.

ID=IDSS(1−VGSVP)2I_D=I_{DSS}\left(1-\dfrac{V_{GS}}{V_P}\right)^2
=12(1−−2−4)2=12×0.52=12\left(1-\dfrac{-2}{-4}\right)^2=12\times0.5^2
=3 mA=3\,\mathrm{mA}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 1.5 mA는 계산값과 다르다.
  • 2.7 mA는 계산값과 다르다.
  • 5 mA는 계산값과 다르다.
문제 51
트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2 μA에서 239.2 μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
11.2
22.2
34.2
46.3
문제 52
FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
2변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
3변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
4신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.
정답 및 해설

FM에서는 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.

FM의 신호 대 잡음비 개선은 변조지수 mfm_f가 클수록 커지며, 변조지수는 신호파 진폭에 비례하므로 대역폭을 넓혀 잡음 개선을 얻는 방식이다.

나머지 보기는 이 관계와 맞지 않는다.

  • 변조지수와 잡음 개선과는 관계없다는 서술은 개선율이 변조지수에 따라 커지므로 틀리다.
  • 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다는 서술은 방향이 반대이다.
  • 신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다는 서술은 신호파가 작으면 변조지수도 작아져 개선이 줄어드므로 틀리다.
문제 53
귀환이 없는 경우의 전압이득이 40dB 인 증폭기에 귀환율(β)이 0.09의 부귀환을 걸면 증폭기의 전압이득은 몇 dB 인가?
110
220
330
440
정답 및 해설

부귀환을 걸면 전압이득은 20 dB이 된다.

A=1040/20=100A=10^{40/20}=100
Aβ=100×0.09=9A\beta=100\times0.09=9
Af=A1+Aβ=10010=10A_f=\dfrac{A}{1+A\beta}=\dfrac{100}{10}=10
20log⁡1010=20 dB20\log_{10}10=20\,\mathrm{dB}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 10 dB는 계산값과 다르다.
  • 30 dB는 계산값과 다르다.
  • 40 dB는 귀환을 걸기 전의 이득이며 부귀환 후 값과 다르다.
문제 54
다음 진리표를 만족하는 논리회로는?
1
2
3
4
정답 및 해설

진리표를 만족하는 회로는 출력에 버블이 달린 NAND 게이트이다.

표에서 Y 는 A=0·B=0, A=0·B=1, A=1·B=0 에서 1 이고 A=1, B=1 일 때만 0 이다. 이는 Y=A⋅B‾Y = \overline{A \cdot B} 의 진리표와 같다.

  • AND 게이트 그림(버블 없는 D 모양) 보기는 Y=A⋅BY = A \cdot B 로 A=0·B=0 에서 0 을 내므로 표의 1 과 다르다.
  • OR 게이트 그림(곡선 입력 한 겹) 보기는 Y=A+BY = A + B 로 A=0·B=0 에서 0 을 내므로 표의 1 과 다르다.
  • XOR 게이트 그림(입력 쪽 곡선 두 겹) 보기는 Y=A⊕BY = A \oplus B 로 A=0·B=0 에서 0 을 내므로 표의 1 과 다르다.
문제 55
발진 회로의 발진의 조건으로 옳은 것은?
1귀환 루프의 위상 천이가 0° 이다.
2귀환 루프의 위상 천이가 180° 이다.
3귀환 루프의 이득이 0 이다.
4귀환 루프의 이득이 1/2이다.
문제 56
전압이득이 60dB, 왜율이 10%인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1%로 개선하기 위해서는 귀환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?
10.9
20.1
30.099
40.011
정답 및 해설

귀환 증폭기에서 왜율은 폐루프 왜율 = 개루프 왜율 / (1 + 루프이득)으로 감소한다. 먼저 개루프 이득을 구하면, 60dB = 20log₁₀(A₀)에서 A₀ = 10³ = 1000이다. 루프이득은 Aβ = A₀ × β이므로 폐루프 왜율 식은 D_f = D₀/(1 + A₀β)이다. 주어진 조건을 대입하면 0.1 = 10/(1 + 1000β)에서 1 + 1000β = 100, β = 0.099이다.

문제 57
변압기가 결합한 A급 증폭기에서 1차:2차(12:1) 변압기가 16Ω 부하저항에 연결되어 있을 때 1차 측에서 보는 실효저항(R1)은 약 몇 kΩ 인가?
11.8
22.1
32.3
42.5
정답 및 해설

1차 측에서 본 실효저항은 권선비의 제곱을 부하에 곱한 약 2.3 kΩ이다.

R1=(N1N2)2RLR_1=\left(\dfrac{N_1}{N_2}\right)^2R_L
=122×16=144×16=12^2\times16=144\times16
=2304 Ω≈2.3 kΩ=2304\,\Omega\approx2.3\,\mathrm{k\Omega}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 1.8 kΩ은 계산값과 다르다.
  • 2.1 kΩ은 계산값과 다르다.
  • 2.5 kΩ은 계산값과 다르다.
문제 58
연산 증폭기의 종류에 대한 설명 중 틀린 것은?
1반전 증폭기는 비반전 입력단은 접지로 하고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
2단위 이득 증폭기는 비반전 입력단은 출력과 단락시키고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
3비반전 증폭기는 반전 입력단은 저항을 이용하여 접지로 하고 비반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
4적분기는 반전 증폭회로에서 귀환 소자인 저항 대신에 커패시터를 사용한 것이다.
정답 및 해설

연산 증폭기 종류의 설명 중 틀린 것은 단위 이득 증폭기에 관한 서술이다.

단위 이득 증폭기(전압 팔로어)는 신호원을 비반전 입력단에 넣고 출력을 반전 입력단에 직접 되돌린다. 비반전 입력단을 출력과 단락한다는 서술은 이 구성과 맞지 않는다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 반전 증폭기는 비반전 입력단을 접지하고 반전 입력단에 신호원을 연결하는 구성이다.
  • 비반전 증폭기는 반전 입력단을 저항으로 접지하고 비반전 입력단에 신호를 넣는 구성이다.
  • 적분기는 반전 증폭회로의 귀환 저항 자리에 커패시터를 넣은 구성이다.
문제 59
다음 그림은 π모델을 이용해서 공통 이미터 트랜지스터의 단락 전류이득을 구하기 위한 등가 회로이다. 단락 전류이득을 주파수 함수로 표시한 것으로 옳은 것은?
1
2
3
4
정답 및 해설

단락 전류이득은 Ai=−gmgb′e+jω(Ce+Cc)A_i = \dfrac{-g_m}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)} 이다.

그림에서 입력 B'–E 사이에 컨덕턴스 gb′eg_{b'e} 와 커패시턴스 Ce+CcC_e + C_c 가 병렬로 있고, 출력 쪽은 C 에서 E 로 향하는 종속 전류원 gmVb′eg_m V_{b'e} 와, C–E 를 잇는 단락선(아래 방향 출력 전류 IoI_o)으로 되어 있다. C 마디에서 전류원 전류 gmVb′eg_m V_{b'e} 와 출력 전류 IoI_o 가 모두 C 에서 빠져나가는 방향으로 표시되어 있으므로 두 전류의 합이 0 이 되어 Io=−gmVb′eI_o = -g_m V_{b'e} 이다.

B' 단자로 들어가는 입력 전류(그림의 Ie)를 IiI_i 라 하면
Vb′e=Iigb′e+jω(Ce+Cc)V_{b'e} = \dfrac{I_i}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)}
Ai=IoIi=−gmgb′e+jω(Ce+Cc)A_i = \dfrac{I_o}{I_i} = \dfrac{-g_m}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)}
전류이득은 전류의 비이므로 무차원이어야 하고, 이 식은 컨덕턴스를 컨덕턴스로 나눈 꼴이라 무차원이다.

  • −gmgb′egb′e+jω(Ce+Cc)\dfrac{-g_m g_{b'e}}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)} 보기는 분자에 컨덕턴스가 하나 더 곱해져 결과가 컨덕턴스 차원으로 남으므로 전류이득이 될 수 없다.
  • −gmgb′ejω(Ce+Cc)\dfrac{-g_m g_{b'e}}{j\omega(C_e + C_c)} 보기는 역시 컨덕턴스 차원이 남고, 분모에서 병렬 컨덕턴스 gb′eg_{b'e} 도 빠져 있어 입력 어드미턴스와 맞지 않는다.
  • −gmVb′egb′e+jω(Ce+Cc)\dfrac{-g_m V_{b'e}}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)} 보기는 분자가 전류, 분모가 어드미턴스라 결과가 전압 차원이 되므로 전류의 비가 아니다.
문제 60
다음 555 회로에서 출력주파수는 몇 kHz 인가?
15.64
26.64
34.64
47.64
문제 61
전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?
1금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
2금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
3금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
4금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 chottky 효과라 한다.
문제 62
공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?
1반도체내의 전하밀도가 매우 크기 때문
2공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문
3금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문
4공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문
문제 63
실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
1동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
2일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
3SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
4무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
문제 64
바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
1걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.
2걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
3걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.
4걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전류를 흡수한다.
정답 및 해설

바리스터는 걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져 과잉전류를 흡수한다.

바리스터는 전압에 따라 저항이 급격히 변하는 비선형 저항 소자이다. 서지 전압이 걸리면 저항이 낮아져 전류를 바이패스시키고, 전압이 내려가면 원래의 높은 저항으로 돌아온다.

나머지 보기는 이 동작과 맞지 않는다.

  • 전압이 높을수록 저항이 커진다는 서술은 저항 변화 방향이 반대이다.
  • 절연파괴로 단락된다는 서술은 비가역 파손을 말하는 것이며, 바리스터의 동작은 전압이 내려가면 높은 저항으로 되돌아오는 가역적 비선형 전도이다.
  • 정전용량이 달라져 충격전류를 흡수한다는 서술은 가변 용량 다이오드의 원리이며, 바리스터의 흡수 원리는 저항 감소이다.
문제 65
전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하량은 1.602×10-19[C] 이다.)
11.75×1017[m/s2]
21.95×1016[m/s2]
32.05×1016[m/s2]
42.35×1014[m/s2]
문제 66
pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?
1접합부에는 전압이 생긴다.
2접합 저항은 외부전압에 따라 변한다.
3접합 저항은 전류에 반비례한다.
4접합 전압은 온도와 무관하다.
정답 및 해설

pn 접합부의 특성으로 틀린 것은 접합 전압이 온도와 무관하다는 서술이다.

접합(접촉) 전위차는 V0=VTln⁡NANDni2V_0=V_T\ln\dfrac{N_AN_D}{n_i^2}이고, VT=kT/qV_T=kT/q와 nin_i가 모두 온도에 따라 변하므로 접합 전압은 온도에 의존한다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 접합부에는 접촉 전위차에 해당하는 전압이 생긴다.
  • 접합 저항은 외부전압에 따라 바이어스 조건이 달라지므로 변한다.
  • 접합 저항은 r=VT/Ir=V_T/I로 전류에 반비례한다.
문제 67
트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
1Early
2Tunnel
3Drift
4Punch-Through
정답 및 해설

트랜지스터에서 컬렉터 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 확대되다가, 결국 이미터 접합의 공핍층과 만나서 베이스 중성영역이 완전히 소멸하는 현상을 Punch-Through라고 한다.

이 때 베이스-컬렉터 전압이 Punch-Through 전압(V_PT)에 도달하며, 이를 초과하면 베이스를 통하지 않고도 이미터에서 컬렉터로 직접 주입된 소수캐리어들이 베이스 영역 없이 수집되어 급격한 누설전류 증가가 발생한다.

  • Early: 유한한 출력 임피던스 현상이다.
  • Tunnel: 터널링 붕괴이다.
  • Drift: 베이스 내 불순물 농도 기울기에 의한 효과이다.
문제 68
300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?
10.02
20.08
30.2
40.8
정답 및 해설

페르미-디랙 분포의 채움 확률로 구하면 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 약 0.02 eV이다.

채움 확률 f=11+e(EA−EF)/kT=0.32f=\dfrac{1}{1+e^{(E_A-E_F)/kT}}=0.32
e(EA−EF)/kT=10.32−1=2.125e^{(E_A-E_F)/kT}=\dfrac{1}{0.32}-1=2.125
EA−EF=kTln⁡2.125≈0.0259×0.754≈0.0195 eVE_A-E_F=kT\ln2.125\approx0.0259\times0.754\approx0.0195\,\mathrm{eV}
따라서 반올림하면 0.02 eV0.02\,\mathrm{eV}이다. 억셉터 준위의 축퇴 인자 4를 넣어 계산해도 차이는 약 0.016 eV0.016\,\mathrm{eV}로 같은 값에 해당한다.

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 0.08 eV는 계산값과 다르다.
  • 0.2 eV는 계산값과 다르다.
  • 0.8 eV는 계산값과 다르다.
문제 69
물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
1열을 가한다.
2빛을 가한다.
3전계를 가한다.
4압축을 한다.
문제 70
진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
1도너 준위에 접근한다.
2금지대 중앙에 위치한다.
3전도대 쪽으로 접근한다.
4가전자대 쪽으로 접근한다.
문제 71
반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?
1결정구조의 결함은 이동도를 감소시킨다.
2직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
3캐리어의 확산 길이는 이동도와 수명시간에 따라 변한다.
4p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 상온에서 정(+)으로 이온화된다.
정답 및 해설

반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은 억셉터 원자가 정(+)으로 이온화된다는 서술이다.

억셉터 원자는 가전자대의 전자를 받아 정공을 만들면서 자신은 음(−)으로 이온화된다. 양(+)으로 이온화되는 쪽은 전자를 내놓는 도너이다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 결정구조의 결함은 캐리어를 산란시켜 이동도를 감소시킨다.
  • 직접 재결합률은 전자밀도와 정공밀도의 곱에 비례한다.
  • 캐리어의 확산 길이는 L=DτL=\sqrt{D\tau}이고 DD가 이동도에 비례하므로 이동도와 수명에 따라 변한다.
문제 72
실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?
10 V
20.7 V
37 V
470 V
정답 및 해설

실리콘 PN 접합다이오드의 컷인 전압은 약 0.7 V이다.

순방향 전류가 뚜렷이 흐르기 시작하는 컷인 전압은 접합의 전위 장벽에 의해 정해진다. 실리콘의 금지대 폭은 약 1.1 eV이고 접촉 전위차는 금지대 폭에 해당하는 전압을 넘을 수 없으므로, 컷인 전압은 0보다 크고 약 1.1 V보다 작은 범위에 있다.

나머지 보기는 이 범위를 벗어난다.

  • 0 V는 전위 장벽이 없다는 뜻이므로 접촉 전위차가 존재하는 PN 접합과 맞지 않다.
  • 7 V는 금지대 폭으로 정해지는 장벽 전위의 상한을 크게 넘는다.
  • 70 V는 금지대 폭으로 정해지는 장벽 전위의 상한을 크게 넘는다.
문제 73
3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m]이다.)
10.12eV
20.012eV
30.24eV
40.024eV
정답 및 해설

음극 표면의 일함수 감소는 Schottky 효과(표면 장벽 저하)로 설명되며, 감소량은 Δϕ=eE4πϵ0\Delta\phi = \sqrt{\frac{e E}{4\pi\epsilon_0}}로 계산된다. 여기서 EE는 전극 표면의 전계 강도이다. 주어진 조건에서 E=Vd=3000 V0.03 m=100,000 V/mE = \frac{V}{d} = \frac{3000\text{ V}}{0.03\text{ m}} = 100,000\text{ V/m}이다.
Δϕ=1.6×10−19×1054π×8.85×10−12=1.6×10−141.112×10−10=1.438×10−4≈0.012 V=0.012 eV\Delta\phi = \sqrt{\frac{1.6 \times 10^{-19} \times 10^5}{4\pi \times 8.85 \times 10^{-12}}} = \sqrt{\frac{1.6 \times 10^{-14}}{1.112 \times 10^{-10}}} = \sqrt{1.438 \times 10^{-4}} \approx 0.012\text{ V} = 0.012\text{ eV}
따라서 음극의 일함수 감소량은 0.012 eV이다.

문제 74
금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?
1표면 전위장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하는 에너지이다.
2금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식이다.
3전자의 구속 에너지와 같다.
4최소한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.
문제 75
Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1최고허용온도가 높다.
2차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
3역방향전류와 잡음지수가 크다.
4고주파 고출력 특성이 좋다.
문제 76
Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
1Fermi-Dirac
2Bose-Einstein
3Gauss-error function
4Maxwell-Boltzmann
정답 및 해설

Pauli의 배타 원리를 만족하는 분포 함수는 Fermi-Dirac 분포이다.

배타 원리에 따라 한 양자 상태에는 전자가 하나만 들어갈 수 있고, 이를 따르는 입자(페르미온)의 통계가 Fermi-Dirac 분포이다.

나머지 보기는 배타 원리를 따르는 분포가 아니다.

  • Bose-Einstein 분포는 한 상태에 여러 입자가 들어갈 수 있는 보손의 통계이다.
  • Gauss-error function은 가우스 함수의 적분으로 정의되는 함수이며 입자 통계 분포가 아니다.
  • Maxwell-Boltzmann 분포는 입자를 구별 가능하다고 보는 고전 통계이다.
문제 77
선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
1포화영역 부근에 설정한다.
2차단영역 부근에 설정한다.
3포화영역 이상에 설정한다.
4차단영역과 포화영역 중간 지점에 설정한다.
정답 및 해설

선형적(선형) 증폭을 위해서는 트랜지스터의 동작점을 차단영역과 포화영역 중간 지점(활성영역의 중앙부)에 설정해야 한다. 포화영역이나 차단영역 부근에 설정하면 신호의 한쪽 끝이 잘려나가는 클리핑이 발생하고 비선형 왜곡이 생기기 때문이다. 활성영역 중간에 Q점(정지점)을 설정하면 입력신호의 양쪽 방향으로 충분한 여유공간이 확보되어 신호가 선형적으로 증폭된다.

문제 78
SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는가?
1Holding Current
2Latching Current
3Trigger Current
4Induction Current
문제 79
2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J・s]이다.)
11.46×10-34
22.23×10-8
35.53×10-5
41.95×10-12
정답 및 해설

de Broglie 파장은 1.95×10−12 m1.95\times10^{-12}\,\mathrm{m}이며 h/mv로 구한다.

λ=hmv\lambda=\dfrac{h}{mv}
=6.63×10−341.7×10−27×2×105=\dfrac{6.63\times10^{-34}}{1.7\times10^{-27}\times2\times10^{5}}
=6.63×10−343.4×10−22≈1.95×10−12 m=\dfrac{6.63\times10^{-34}}{3.4\times10^{-22}}\approx1.95\times10^{-12}\,\mathrm{m}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 1.46×10−34 m1.46\times10^{-34}\,\mathrm{m}는 계산값과 다르다.
  • 2.23×10−8 m2.23\times10^{-8}\,\mathrm{m}는 계산값과 다르다.
  • 5.53×10−5 m5.53\times10^{-5}\,\mathrm{m}는 계산값과 다르다.
문제 80
다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
1인듐(In)
2안티몬(Sb)
3붕소(B)
4알루미늄(Al)
정답 및 해설

P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은 안티몬(Sb)이다.

안티몬은 5가 원소로 전자를 내놓는 도너이므로 N형을 만든다. P형은 3가 원소(억셉터)를 첨가한다.

나머지 보기는 P형을 만드는 3가 불순물이다.

  • 인듐(In)은 3가 원소로 P형 불순물이다.
  • 붕소(B)는 3가 원소로 P형 불순물이다.
  • 알루미늄(Al)은 3가 원소로 P형 불순물이다.
문제 81
부동 소수점(Floating point number) 표현 방식으로 틀린 것은?
1부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
2지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
3부호, 지수부, 소수부의 3개의 필드로 구성되어 있다.
432비트에서 부동 소수점 수를 표현할 때 부호는 2비트를 사용한다.
정답 및 해설

부동 소수점 표현으로 틀린 보기는 32비트 형식에서 부호에 2비트를 쓴다는 서술이다.

부동 소수점 수는 부호, 지수부, 소수부 세 필드로 구성되며 양수·음수만 구분하면 되므로 부호는 1비트만 사용한다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
  • 지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
  • 부동 소수점 수는 부호, 지수부, 소수부의 3개 필드로 구성된다.
문제 82
논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
1OR
2AND
3EX-OR
4NOT
정답 및 해설

마스크 동작은 특정 비트 위치만 선택하여 그 값을 확인하거나 추출하는 연산으로, AND 연산과 동일하다. AND 연산은 두 피연산자의 해당 비트가 모두 1일 때만 결과가 1이 되므로, 마스크 패턴을 AND 연산하면 원하는 비트 위치만 통과시키고 나머지는 0으로 만들 수 있다. 예를 들어 데이터 1101과 마스크 0011을 AND 연산하면 0001이 되어 하위 2비트만 추출된다.

문제 83
다음 논리 함수를 간소화 한 결과는?
1X
2XY
3X+Y
4Y
정답 및 해설

X(X+Y)X(X+Y) 를 간소화하면 X 이다.

분배 법칙과 흡수 법칙을 차례로 적용한다.
X(X+Y)=XX+XY=X+XY=X(1+Y)=XX(X+Y) = XX + XY = X + XY = X(1 + Y) = X

  • XYXY 보기는 X=1, Y=0 일 때 0 이 되어 원식의 값 1 과 다르다.
  • X+YX+Y 보기는 X=0, Y=1 일 때 1 이 되어 원식의 값 0 과 다르다.
  • YY 보기는 X=1, Y=0 일 때 0 이 되어 원식의 값 1 과 다르다.
문제 84
데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?
1단순 연결 리스트(singly linked list)
2이중 연결 리스트(doubly linked list)
3다중 연결 리스트(multi linked list)
4환형 연결 리스트(circular linked list)
문제 85
0-주소 명령어 형식이 사용될 수 있는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?
1단일 누산기 구조
2이중 누산기 구조
3범용 레지스터 구조
4스택 구조
문제 86
다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
1Z=AB+C
2
3
4Z=A+BC
문제 87
컴퓨터의 워드(word) 길이에 대한 설명으로 틀린것은?
1일반적으로 더욱 많은 명령어를 제공할 수 있다.
2일반적으로 워드 길이가 길면 컴퓨터 성능이 좋아진다.
3일반적으로 워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다.
4주소를 지정할 수 있는 수의 범위가 크므로 큰 기억용량이 필요하다.
정답 및 해설

워드 길이가 길수록 한 번에 처리할 수 있는 데이터량이 증가하여 처리 속도는 일반적으로 향상된다. 따라서 3번 "워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다"는 틀린 설명이다. 1번은 더 큰 워드로 더 많은 명령어를 표현할 수 있고, 2번은 한 사이클에 더 많은 데이터 처리로 성능이 향상되며, 4번은 더 긴 주소 필드로 더 많은 메모리 공간을 주소 지정할 수 있으므로 모두 올바른 설명이다.

문제 88
전자계산기의 주요 장치에 대한 설명으로 틀린것은?
1연산 장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
2보조기억 장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
3제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
4입출력 장치 : 필요한 정보의 입출력을 담당하는 장치이다.
정답 및 해설

주요 장치에 대한 설명으로 틀린 것은 보조기억 장치에 관한 서술이다.

데이터나 프로그램을 일시적으로 기억하는 장치는 주기억장치이다. 보조기억 장치는 전원이 꺼져도 내용을 오래 보존하는 대용량 저장 장치이다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 연산 장치는 산술 및 논리연산을 처리한다.
  • 제어장치는 명령어(기계어)를 해독하고 각 장치의 동작을 제어한다.
  • 입출력 장치는 필요한 정보의 입력과 출력을 담당한다.
문제 89
프로그램 카운터가 없는 컴퓨터에서 op code는 3비트이고 메모리는 4096워드(word)일 때 하나의 명령이 한 워드에 저장된다면 워드 당 몇 비트인가? (단, 이 컴퓨터의 명령어는 op code, operand, 어드레스로 구성되어 있다.)
112비트
215비트
327비트
430비트
정답 및 해설

메모리 크기 4096워드에서 주소를 나타내는 데 필요한 비트 수는 log⁡24096=12\log_2 4096 = 12비트이다. 프로그램 카운터가 없으므로 명령어에는 다음 명령어의 주소를 명시적으로 포함해야 한다. 따라서 한 명령어는 op code(3비트) + operand 주소(12비트) + 다음 명령어 주소(12비트)로 구성되며, 총 3 + 12 + 12 = 27비트가 된다. 하나의 명령이 한 워드에 저장되므로 워드 당 27비트이다.

문제 90
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
1인코더
2디코더
3디멀티플렉서
4멀티플렉서
정답 및 해설

부호화된 데이터를 해독하는 조합논리 회로는 디코더이다.

디코더는 n비트 2진 코드를 입력받아 해당하는 출력선 하나를 활성화하는 해독 회로이다.

나머지 보기는 다른 기능의 회로이다.

  • 인코더는 입력을 2진 코드로 바꾸는 부호화 회로이다.
  • 디멀티플렉서는 한 입력을 여러 출력 중 선택한 곳으로 내보내는 분배 회로이다.
  • 멀티플렉서는 여러 입력 중 하나를 선택해 하나의 출력으로 내보내는 선택 회로이다.
문제 91
컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
1CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.
2폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
3CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
4컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.
정답 및 해설

컴퓨터구조 설명으로 가장 옳지 않은 것은 CAE에 관한 서술이다.

CAE(computer aided engineering)는 컴퓨터를 이용해 공학 설계·해석·시뮬레이션을 수행하는 컴퓨터 지원 공학이며, 집적회로로 프로그램을 개발하는 것이 아니다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

  • 폰노이만 구조의 컴퓨터는 제어장치, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
  • CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
  • 컴퓨터 소자는 트랜지스터에서 소규모, 대규모, 초대규모 집적회로로 발달하였다.
문제 92
간접 주소(Indirect Addressing) 방식을 설명한 것은?
1명령어내의 번지는 실제 데이터가 위치하고 있는 주소를 나타낸다.
2프로그램 카운터가 명령어의 주소부분과 더해져서 유효주소가 결정된다.
3명령어의 실제 주소를 나타내는 유효주소는 명령어의 주소 필드가 가르키는 주소에 존재한다.
4인덱스값을 갖는 특별한 레지스터의 내용이 명령어의 주소 부분과 더해져서 유효주소가 얻어진다.
정답 및 해설

간접 주소 방식은 유효주소가 명령어의 주소 필드가 가리키는 주소에 있는 방식이다.

간접 주소 지정에서는 주소 필드가 가리키는 기억장소를 한 번 더 읽어 유효주소를 얻고, 그 주소에서 데이터를 가져온다.

나머지 보기는 다른 주소 지정 방식의 설명이다.

  • 명령어의 번지가 실제 데이터 주소인 방식은 직접 주소 방식이다.
  • 프로그램 카운터를 주소 부분과 더해 유효주소를 정하는 방식은 상대 주소 방식이다.
  • 인덱스 레지스터의 내용을 주소 부분과 더하는 방식은 인덱스 주소 방식이다.
문제 93
C 언어에 대한 설명으로 옳은 것은?
1함수 호출이 아닌 함수 본체의 시작과 끝은 각각 '('과 ')'로 표기한다.
2대화형 언어로서 프로그램을 코딩용지 등에 작성해서 입력해야 한다.
3한 줄에 여러 개의 명령문을 기술할 경우 명령문 사이에 세미콜론(;)을 사용해야 한다.
4프로그램은 반드시 END문으로 끝난다.
정답 및 해설

C 언어에 대한 옳은 설명은 한 줄에 여러 문장을 쓸 때 세미콜론으로 구분한다는 서술이다.

C 언어에서 각 문장은 세미콜론(;)으로 끝나므로 한 줄에 여러 문장을 쓸 때에도 문장 사이를 세미콜론으로 구분한다.

나머지 보기는 C 언어의 특징과 맞지 않는다.

  • 함수 본체의 시작과 끝은 소괄호가 아니라 중괄호로 표기하므로 틀리다.
  • C 언어는 컴파일하여 실행하는 언어이며 대화형 언어가 아니므로 틀리다.
  • C 프로그램은 END문 없이 main 함수의 끝으로 종료되므로 틀리다.
문제 94
서브루틴과 연관되어 사용되는 명령으로 가장 옳은 것은?
1Shift와 Rotate
2Call과 Return
3Skip과 Jump
4Increment와 Decrement
정답 및 해설

서브루틴과 연관된 명령은 Call과 Return이다.

Call은 서브루틴으로 분기하면서 복귀 주소를 저장하고, Return은 저장한 복귀 주소로 돌아온다.

나머지 보기는 서브루틴 호출·복귀와 직접 관련이 없다.

  • Shift와 Rotate는 레지스터 내용을 비트 단위로 이동시키는 명령이다.
  • Skip과 Jump는 조건에 따라 명령어를 건너뛰거나 분기하는 명령이다.
  • Increment와 Decrement는 값을 1 증가·감소시키는 명령이다.
문제 95
다음 C 프로그램을 수행하였을 때 결과 값은?
112
210
31
40
정답 및 해설

프로그램은 12 를 출력한다.

코드는 printf 로 (int)sqrt(pow(12,2)) 의 값을 정수 형식(%d)으로 출력한다. 안쪽부터 계산하면 pow(12,2) 는 122=144.012^2 = 144.0, sqrt(144.0) 은 144.0=12.0\sqrt{144.0} = 12.0 이고, (int) 형 변환으로 12.0 이 정수 12 가 된다.

  • 10 을 출력한다는 보기는 계산값과 다르다.
  • 1 을 출력한다는 보기는 계산값과 다르다.
  • 0 을 출력한다는 보기는 계산값과 다르다.
문제 96
피연산자의 기억 장소에 따른 명령어 형식의 분류에 속하지 않는 것은?
1스택 명령어 형식
2레지스터-레지스터 명령어 형식
3레지스터-메모리 명령어 형식
4스택-메모리 명령어 형식
문제 97
DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다.
2빠른 속도로 자료들을 입출력할 때 사용하는 방식이다.
3DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
4DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 cycle stealing을 행한다.
정답 및 해설

DMA 에 대한 설명으로 옳지 않은 것은 자료 전송 시 CPU 의 레지스터를 직접 사용한다는 서술이다.

DMA 는 DMA 제어기가 기억장치와 주변장치 사이에서 자료를 직접 주고받게 하므로, 전송 중에는 CPU 레지스터를 거치지 않는다.

나머지는 모두 DMA 에 대해 옳은 내용이다.

  • 빠른 속도로 자료를 입출력할 때 사용한다는 서술은 대량 블록을 CPU 개입 없이 고속 전송하는 DMA 의 용도와 같다.
  • DMA 가 기억장치와 주변장치 사이에서 직접 자료를 전송한다는 서술은 DMA 의 정의와 같다.
  • DMA 가 주기억장치에 접근하기 위해 사이클 스틸링을 한다는 서술은 CPU 의 기억장치 사이클을 DMA 가 빌려 쓰는 동작과 같다.
문제 98
언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
1assembler
2interpreter
3compiler
4linkage editor
문제 99
C 언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은?
1-3
2-4
33
44
정답 및 해설

C 언어의 abs\mathrm{abs} 는 정수 절댓값 함수이므로 abs(3.562)\mathrm{abs}(3.562) 의 값은 3 이다.

표준 abs\mathrm{abs} 는 int\mathrm{int} 를 받아 int\mathrm{int} 를 돌려준다.
실수 3.562 는 0 쪽으로 소수부가 잘려 3 이 되고, 그 절댓값은 3 이다.

나머지 보기에 대한 설명이다.

  • −3-3 은 절댓값 함수의 결과가 될 수 없다. 절댓값은 음수가 아니다.
  • −4-4 도 절댓값 함수의 결과가 될 수 없다. 절댓값은 음수가 아니다.
  • 44 는 소수부를 0 쪽으로 자르는 변환과 다르다. 올림이나 반올림이 일어나지 않는다.
문제 100
직렬 덧셈 회로에 꼭 필요한 것은?
1Shift Register
2Buffer Memory
3Operand
4Cache Memory