[전자기사 필기] 17년 2회차 시험지 PDF 다운로드

[전자기사 필기] 17년 2회차
1/ 1 페이지•A4 출력 미리보기
드래그하거나 버튼으로 페이지 이동
💡 최적 출력을 위한 프린트 설정
용지크기: A4 • 여백: 기본 • 배경그래픽: 체크 • 머릿말/바닥글: 사용안함
일부 브라우저(카카오톡 인앱브라우저 등)에서는 출력이 제대로 되지 않을 수 있어요 — Chrome 브라우저 사용을 권장합니다.
문제 1
그림과 같은 히스테리시스 루프를 가진 철심이 강한 평등자계에 의해 매초 60Hz로 자화할 경우 히스테리스 손실은 몇 W 인가? (단, 철심의 체적은 20cm3, Br=5Wb/m2, Hc=2AT/m이다.)
11.2×10-2
22.4×10-2
33.6×10-2
44.8×10-2
문제 2
유전율 ε=8.855×10<sup>-12</sup>-(F/m)인 진공 중을 전자파가 전파할 때 진공 중의 투자율(H/m)은?
17.58×10-5
27.58×10-7
312.56×10-5
412.56×10-7
문제 3
그림과 같은 길이가 1m인 동축 원통 사이의 정전용량(F/m)은?
1
2
3
4
문제 4
철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속(Wb)은?
14×10-3
24×10-4
38×10-3
48×10-4
문제 5
원통좌표계에서 전류밀도j=Kr2az(A/m2)일 때 암페어의 법칙을 사용한 자계의 세기 H(AT/m)는? (단, K는 상수이다.)
1
2
3
4
문제 6
정전용량이 Co(F)인 평행판 공기콘덴서가 있다. 이것의 극판에 평행으로 판간격 d(m)의 1/2 두께인 유리판을 삽입하였을 때의 정전용량(F)은? (단, 유리판의 유전율은 ε(F/m)이라 한다.)
1
2
3
4
문제 7
점전하에 의한 전계의 세기(V/m)를 나타내는 식은? (단, r은 거리, Q는 전하량, λ는 선전하 밀도, σ는 표면전하밀도이다.)
1
2
3
4
문제 8
어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 이라고 할 때 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도 ρ는 약 몇 pC/m3 인가?
1-20
2-40
3-160
4-320
문제 9
유전율 ε, 투자율 μ인 매질에서의 전파속도 v는?
1
2
3
4
문제 10
벡터 포텐샬 A=3x2yaz+2xay-z3az(Wb/m)일 때의 자계의 세기 H(A/m)는? (단, μ는 투자율이라 한다.)
1
2
3
4
문제 11
전계 E(V/m), 전속밀도 DC/m2), 유전율 Є=Є0Єs(F/m), 분극의 세기 P(C/m2) 사이의 관계는?
1P=D+Є0E
2P=D-Є0E
3
4
문제 12
내부도체 반지름이 10mm, 외부도체의 내반지름이 20mm인 동축케이블에서 내부도체 표면에 전류 I가 흐르고, 얇은 외부도체에 반대방향인 전류가 흐를 때 단위 길이당 외부 인덕턴스는 약 몇 H/m 인가?
10.28×10-7
21.39×10-7
32.03×10-7
42.78×10-7
문제 13
그림과 같이 무한평면 도체 앞 a(m) 거리에 점전하 Q(C)가 있다. 점 0에서 x(m)인 P점의 전하밀도 σ(C/m2)는?
1
2
3
4
문제 14
그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N･m 인가?
12.66 × 10-4ax
25.66 × 10-4ax
32.66 × 10-4az
45.66 × 10-4az
문제 15
무한 평면에 일정한 전류가 표면에 한 방향으로 흐르고 있다. 평면으로부터 r만큼 떨어진 점과 2r만큼 떨어진 점과의 자계의 비는 얼마인가?
11
2√2
32
44
문제 16
막대자석 위쪽에 동축도체 원판을 놓고 회로의 한 끝은 원판의 주변에 접촉시켜 회전하도록 해놓은 그림과 같은 패러데이 원판 실험을 할 때 검류계에 전류가 흐르지 않는 경우는?
1자석만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
2원판만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
3자석을 축 방향으로 전진시킨 후 후퇴시킬 때
4원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때
문제 17
최대 정전용량 C0(F)인 그림과 같은 콘덴서의 정전용량이 각도에 비례하여 변화한다고 한다. 이 콘덴서를 전압 V(V)로 충전했을 때 회전자에 작용하는 토크는?
1
2
3
4
문제 18
자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?
1자기회로의 길이에 비례
2자기회로의 단면적에 비례
3자성체의 비투자율에 비례
4자성체의 비투자율의 제곱에 비례
문제 19
그림과 같은 정방형관 단면의 격자점 ⑥의 전위를 반복법으로 구하면 약 몇 V 인가?
16.3
29.4
318.8
453.2
문제 20
서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?
1
2
3
4
문제 21
△결선된 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)
19배로 증가한다.
20.1배로 줄어든다.
33배로 증가한다.
40.3배로 줄어든다.
문제 22
그림과 같은 회로에서 영상 임피던스 Z01, Z02의 값은 약 몇 Ω 인가?
1Z01 = 8, Z02 = 4.96
2Z01 = 8, Z02 = 9.92
3Z01 = 16, Z02 = 4.96
4Z01 = 16, Z02 = 9.92
문제 23
다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?
1
2
3
4
문제 24
신호 f(t)에 여현파 신호 cosω0t를 곱한 값인 f(t)cosω0t을 Fourier 변환하면?
1
2
3
4
문제 25
자계 코일에 권수(N)는 1000회, 저항(R)은 6Ω에서 전류(I)가 10A로 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2 Wb이다. 이 회로의 시정수는 몇 초(sec) 인가?
11
22
310
412
문제 26
그림과 같은 회로의 4단자 정수는?
1
2
3
4
문제 27
R=80Ω, XL=60Ω인 R-L 병렬회로에 v=220∠45°V의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
13.67∠45°
25.75∠90°
33.67∠-45°
45.75∠-90°
문제 28
다음 운동 방정식으로 표시되는 계의 계수 행렬 A는 어떻게 표시되는가?
1
2
3
4
문제 29
이상 변압기의 1차측 권선수:2차측 권선수가 1:2 일 때 부하 저항은 50Ω이다. 입력에서 본 등가 임피던스는 몇 Ω 인가?
150
225
312.5
46.25
문제 30
그림과 같은 이상 변압기에서 Ri=300Ω, RL=75Ω일 때, 권선비 n1:n2는 얼마인가?
11:2
21:4
32:1
44:1
문제 31
R-L-C 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는 어떤 회로로 동작하는가?
1유도성 회로
2용량성 회로
3저항성 회로
4탱크 회로
문제 32
직류 전압원에 저항을 접속하고 전류를 흐를 때 이 전류 값을 30% 증가시키기 위해서는 저항값은 어떻게 하여야 하는가?
12배로 증가시킨다.
21.2배로 증가시킨다.
3저항값을 그대로 유지시킨다.
40.77배로 감소시킨다.
문제 33
그림과 같은 회로에서 정상 전류(i)는 얼마인가? (단, Vdc = 20, R = 20Ω, L = 0.2H 이다.)
1i=2A
2i=4A
3i=1A
4i=6A
문제 34
RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr공진 각 주파수이다.)
1ωrC/R
2ωrL/R 
3ωr/R
4ωrR/L 
문제 35
다음 함수에 관한 설명 중 틀린 것은? (단, T는 주기이다.)
1f(t)=f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
2f(t)=-f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 기함수이다.
3f(t)=-f(t+T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 반파대칭인 주기파이다.
4f(t)=f(t±T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
문제 36
저항(R) 8Ω과 정전용량(C) 500μF을 직렬로 연결하고 교류전압 v=200√2sin120πt[V]을 인가하였다. 이때 이 회로의 전압과 전류의 위상차는 약 몇 도(°) 인가?
127°
234°
356°
460°
문제 37
그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C값은 몇 F 인가? (단, R=1Ω, L=200mH 이다.)
10.1
20.2
31
42
문제 38
다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
1A = 7
2B = 48
3C = 6
4D = 7
문제 39
원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?
1원점을 지나는 직선이 된다.
2원점을 지나는 원이 된다.
3원점을 지나지 않는 직선이 된다.
4원점을 지나지 않는 원이 된다.
문제 40
그림에서 a-b간에 25V의 전압을 가할 때 5A의 전류가 흐른다. r1 및 r2에 흐르는 전류비를 1:3으로 하려면 r1 및 r2의 저항은 몇 Ω 인가?
1r1=12, r2=4
2r1=24, r2=8
3r1=6, r2=2
4r1=2, r2=6
문제 41
무귀환 시 전압이득이 30 이고, 고역 차단 주파수가 20kHz인 증폭기에 귀환을 걸어 전압이득이 20으로 되었다면 이때의 차단주파수는 몇 kHz 인가?
110
220
330
440
문제 42
이상적인 연산 증폭기에 대한 설명 중 틀린것은?
1출력의 일부를 반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 감소시키는 것을 부귀환이라 한다.
2출력의 일부를 비반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 증가시키는 것을 정귀환이라 한다.
3개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 직접화로 이루어진 증폭기이다.
4매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계가 되었다.
문제 43
그림과 같은 NOR 게이트로 구성된 기본적인 플립플롭회로에서 S=0, R=1인 상태일 때 Q, 의 상태는? (단, 클록펄스(CP)가 1일 경우로 가정한다.)
1
2
3
4
문제 44
고주파 증폭회로의 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1트랜지스터의 베이스 폭이 얇을수록 고주파 증폭에 적합하다.
2컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스는 감소한다.
3컬렉터 용량의 영향으로 출력이 귀환된다.
4컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다.
문제 45
입력 주파수 192Hz를 T형 플립플롭 3개에 종속 접속하면 출력 주파수는 몇 Hz 인가?
1586
264
348
424
문제 46
전력 증폭기 회로의 직류공급 전압이 12 V, 전류가 400 mA이고, 능률이 60%일 때 부하에서 출력전력은 몇 W 인가?
10.8
21.44
32.88
44.9
문제 47
그림의 비안정 멀티바이브레이터에서 R1 = R2 = R, C1 = C2 = C라고 하면 발진주파수는 대략 어떻게 표시되는가?
10.7/RC
20.5/RC
30.7/RLC
40.5/RLC
문제 48
mod-8 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
12개
24개
38개
416개
문제 49
부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로를 무엇이라 하는가?
1인코더
2디코더
3플립플롭
4멀티플렉서
문제 50
JFET에서 IDSS = 12mA, VP = -4V 이고, VGS = -2V일 때 드레인 전류 ID는 몇 mA 인가?
11.5
22.7
33
45
문제 51
트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2 μA에서 239.2 μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
11.2
22.2
34.2
46.3
문제 52
FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
2변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
3변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
4신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.
문제 53
귀환이 없는 경우의 전압이득이 40dB 인 증폭기에 귀환율(β)이 0.09의 부귀환을 걸면 증폭기의 전압이득은 몇 dB 인가?
110
220
330
440
문제 54
다음 진리표를 만족하는 논리회로는?
1
2
3
4
문제 55
발진 회로의 발진의 조건으로 옳은 것은?
1귀환 루프의 위상 천이가 0° 이다.
2귀환 루프의 위상 천이가 180° 이다.
3귀환 루프의 이득이 0 이다.
4귀환 루프의 이득이 1/2이다.
문제 56
전압이득이 60dB, 왜율이 10%인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1%로 개선하기 위해서는 귀환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?
10.9
20.1
30.099
40.011
문제 57
변압기가 결합한 A급 증폭기에서 1차:2차(12:1) 변압기가 16Ω 부하저항에 연결되어 있을 때 1차 측에서 보는 실효저항(R1)은 약 몇 kΩ 인가?
11.8
22.1
32.3
42.5
문제 58
연산 증폭기의 종류에 대한 설명 중 틀린 것은?
1반전 증폭기는 비반전 입력단은 접지로 하고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
2단위 이득 증폭기는 비반전 입력단은 출력과 단락시키고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
3비반전 증폭기는 반전 입력단은 저항을 이용하여 접지로 하고 비반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
4적분기는 반전 증폭회로에서 귀환 소자인 저항 대신에 커패시터를 사용한 것이다.
문제 59
다음 그림은 π모델을 이용해서 공통 이미터 트랜지스터의 단락 전류이득을 구하기 위한 등가 회로이다. 단락 전류이득을 주파수 함수로 표시한 것으로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 60
다음 555 회로에서 출력주파수는 몇 kHz 인가?
15.64
26.64
34.64
47.64
문제 61
전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?
1금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
2금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
3금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
4금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 chottky 효과라 한다.
문제 62
공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?
1반도체내의 전하밀도가 매우 크기 때문
2공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문
3금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문
4공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문
문제 63
실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
1동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
2일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
3SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
4무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
문제 64
바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
1걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.
2걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
3걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.
4걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전류를 흡수한다.
문제 65
전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하량은 1.602×10-19[C] 이다.)
11.75×1017[m/s2]
21.95×1016[m/s2]
32.05×1016[m/s2]
42.35×1014[m/s2]
문제 66
pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?
1접합부에는 전압이 생긴다.
2접합 저항은 외부전압에 따라 변한다.
3접합 저항은 전류에 반비례한다.
4접합 전압은 온도와 무관하다.
문제 67
트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
1Early
2Tunnel
3Drift
4Punch-Through
문제 68
300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?
10.02
20.08
30.2
40.8
문제 69
물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
1열을 가한다.
2빛을 가한다.
3전계를 가한다.
4압축을 한다.
문제 70
진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
1도너 준위에 접근한다.
2금지대 중앙에 위치한다.
3전도대 쪽으로 접근한다.
4가전자대 쪽으로 접근한다.
문제 71
반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?
1결정구조의 결함은 이동도를 감소시킨다.
2직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
3캐리어의 확산 길이는 이동도와 수명시간에 따라 변한다.
4p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 상온에서 정(+)으로 이온화된다.
문제 72
실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?
10 V
20.7 V
37 V
470 V
문제 73
3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m]이다.)
10.12eV
20.012eV
30.24eV
40.024eV
문제 74
금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?
1표면 전위장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하는 에너지이다.
2금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식이다.
3전자의 구속 에너지와 같다.
4최소한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.
문제 75
Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1최고허용온도가 높다.
2차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
3역방향전류와 잡음지수가 크다.
4고주파 고출력 특성이 좋다.
문제 76
Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
1Fermi-Dirac
2Bose-Einstein
3Gauss-error function
4Maxwell-Boltzmann
문제 77
선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
1포화영역 부근에 설정한다.
2차단영역 부근에 설정한다.
3포화영역 이상에 설정한다.
4차단영역과 포화영역 중간 지점에 설정한다.
문제 78
SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는가?
1Holding Current
2Latching Current
3Trigger Current
4Induction Current
문제 79
2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J･s]이다.)
11.46×10-34
22.23×10-8
35.53×10-5
41.95×10-12
문제 80
다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
1인듐(In)
2안티몬(Sb)
3붕소(B)
4알루미늄(Al)
문제 81
부동 소수점(Floating point number) 표현 방식으로 틀린 것은?
1부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
2지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
3부호, 지수부, 소수부의 3개의 필드로 구성되어 있다.
432비트에서 부동 소수점 수를 표현할 때 부호는 2비트를 사용한다.
문제 82
논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
1OR
2AND
3EX-OR
4NOT
문제 83
다음 논리 함수를 간소화 한 결과는?
1X
2XY
3X+Y
4Y
문제 84
데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?
1단순 연결 리스트(singly linked list)
2이중 연결 리스트(doubly linked list)
3다중 연결 리스트(multi linked list)
4환형 연결 리스트(circular linked list)
문제 85
0-주소 명령어 형식이 사용될 수 있는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?
1단일 누산기 구조
2이중 누산기 구조
3범용 레지스터 구조
4스택 구조
문제 86
다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
1Z=AB+C
2
3
4Z=A+BC
문제 87
컴퓨터의 워드(word) 길이에 대한 설명으로 틀린것은?
1일반적으로 더욱 많은 명령어를 제공할 수 있다.
2일반적으로 워드 길이가 길면 컴퓨터 성능이 좋아진다.
3일반적으로 워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다.
4주소를 지정할 수 있는 수의 범위가 크므로 큰 기억용량이 필요하다.
문제 88
전자계산기의 주요 장치에 대한 설명으로 틀린것은?
1연산 장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
2보조기억 장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
3제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
4입출력 장치 : 필요한 정보의 입출력을 담당하는 장치이다.
문제 89
프로그램 카운터가 없는 컴퓨터에서 op code는 3비트이고 메모리는 4096워드(word)일 때 하나의 명령이 한 워드에 저장된다면 워드 당 몇 비트인가? (단, 이 컴퓨터의 명령어는 op code, operand, 어드레스로 구성되어 있다.)
112비트
215비트
327비트
430비트
문제 90
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
1인코더
2디코더
3디멀티플렉서
4멀티플렉서
문제 91
컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
1CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.
2폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
3CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
4컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.
문제 92
간접 주소(Indirect Addressing) 방식을 설명한 것은?
1명령어내의 번지는 실제 데이터가 위치하고 있는 주소를 나타낸다.
2프로그램 카운터가 명령어의 주소부분과 더해져서 유효주소가 결정된다.
3명령어의 실제 주소를 나타내는 유효주소는 명령어의 주소 필드가 가르키는 주소에 존재한다.
4인덱스값을 갖는 특별한 레지스터의 내용이 명령어의 주소 부분과 더해져서 유효주소가 얻어진다.
문제 93
C 언어에 대한 설명으로 옳은 것은?
1함수 호출이 아닌 함수 본체의 시작과 끝은 각각 '('과 ')'로 표기한다.
2대화형 언어로서 프로그램을 코딩용지 등에 작성해서 입력해야 한다.
3한 줄에 여러 개의 명령문을 기술할 경우 명령문 사이에 세미콜론(;)을 사용해야 한다.
4프로그램은 반드시 END문으로 끝난다.
문제 94
서브루틴과 연관되어 사용되는 명령으로 가장 옳은 것은?
1Shift와 Rotate
2Call과 Return
3Skip과 Jump
4Increment와 Decrement
문제 95
다음 C 프로그램을 수행하였을 때 결과 값은?
112
210
31
40
문제 96
피연산자의 기억 장소에 따른 명령어 형식의 분류에 속하지 않는 것은?
1스택 명령어 형식
2레지스터-레지스터 명령어 형식
3레지스터-메모리 명령어 형식
4스택-메모리 명령어 형식
문제 97
DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다.
2빠른 속도로 자료들을 입출력할 때 사용하는 방식이다.
3DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
4DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 cycle stealing을 행한다.
문제 98
언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
1assembler
2interpreter
3compiler
4linkage editor
문제 99
C 언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은?
1-3
2-4
33
44
문제 100
직렬 덧셈 회로에 꼭 필요한 것은?
1Shift Register
2Buffer Memory
3Operand
4Cache Memory
문제 1
그림과 같은 히스테리시스 루프를 가진 철심이 강한 평등자계에 의해 매초 60Hz로 자화할 경우 히스테리스 손실은 몇 W 인가? (단, 철심의 체적은 20cm3, Br=5Wb/m2, Hc=2AT/m이다.)
11.2×10-2
22.4×10-2
33.6×10-2
44.8×10-2
문제 2
유전율 ε=8.855×10<sup>-12</sup>-(F/m)인 진공 중을 전자파가 전파할 때 진공 중의 투자율(H/m)은?
17.58×10-5
27.58×10-7
312.56×10-5
412.56×10-7
문제 3
그림과 같은 길이가 1m인 동축 원통 사이의 정전용량(F/m)은?
1
2
3
4
문제 4
철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속(Wb)은?
14×10-3
24×10-4
38×10-3
48×10-4
문제 5
원통좌표계에서 전류밀도j=Kr2az(A/m2)일 때 암페어의 법칙을 사용한 자계의 세기 H(AT/m)는? (단, K는 상수이다.)
1
2
3
4
문제 6
정전용량이 Co(F)인 평행판 공기콘덴서가 있다. 이것의 극판에 평행으로 판간격 d(m)의 1/2 두께인 유리판을 삽입하였을 때의 정전용량(F)은? (단, 유리판의 유전율은 ε(F/m)이라 한다.)
1
2
3
4
문제 7
점전하에 의한 전계의 세기(V/m)를 나타내는 식은? (단, r은 거리, Q는 전하량, λ는 선전하 밀도, σ는 표면전하밀도이다.)
1
2
3
4
문제 8
어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 이라고 할 때 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도 ρ는 약 몇 pC/m3 인가?
1-20
2-40
3-160
4-320
문제 9
유전율 ε, 투자율 μ인 매질에서의 전파속도 v는?
1
2
3
4
문제 10
벡터 포텐샬 A=3x2yaz+2xay-z3az(Wb/m)일 때의 자계의 세기 H(A/m)는? (단, μ는 투자율이라 한다.)
1
2
3
4
문제 11
전계 E(V/m), 전속밀도 DC/m2), 유전율 Є=Є0Єs(F/m), 분극의 세기 P(C/m2) 사이의 관계는?
1P=D+Є0E
2P=D-Є0E
3
4
문제 12
내부도체 반지름이 10mm, 외부도체의 내반지름이 20mm인 동축케이블에서 내부도체 표면에 전류 I가 흐르고, 얇은 외부도체에 반대방향인 전류가 흐를 때 단위 길이당 외부 인덕턴스는 약 몇 H/m 인가?
10.28×10-7
21.39×10-7
32.03×10-7
42.78×10-7
문제 13
그림과 같이 무한평면 도체 앞 a(m) 거리에 점전하 Q(C)가 있다. 점 0에서 x(m)인 P점의 전하밀도 σ(C/m2)는?
1
2
3
4
문제 14
그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N･m 인가?
12.66 × 10-4ax
25.66 × 10-4ax
32.66 × 10-4az
45.66 × 10-4az
문제 15
무한 평면에 일정한 전류가 표면에 한 방향으로 흐르고 있다. 평면으로부터 r만큼 떨어진 점과 2r만큼 떨어진 점과의 자계의 비는 얼마인가?
11
2√2
32
44
문제 16
막대자석 위쪽에 동축도체 원판을 놓고 회로의 한 끝은 원판의 주변에 접촉시켜 회전하도록 해놓은 그림과 같은 패러데이 원판 실험을 할 때 검류계에 전류가 흐르지 않는 경우는?
1자석만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
2원판만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
3자석을 축 방향으로 전진시킨 후 후퇴시킬 때
4원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때
문제 17
최대 정전용량 C0(F)인 그림과 같은 콘덴서의 정전용량이 각도에 비례하여 변화한다고 한다. 이 콘덴서를 전압 V(V)로 충전했을 때 회전자에 작용하는 토크는?
1
2
3
4
문제 18
자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?
1자기회로의 길이에 비례
2자기회로의 단면적에 비례
3자성체의 비투자율에 비례
4자성체의 비투자율의 제곱에 비례
문제 19
그림과 같은 정방형관 단면의 격자점 ⑥의 전위를 반복법으로 구하면 약 몇 V 인가?
16.3
29.4
318.8
453.2
문제 20
서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?
1
2
3
4
문제 21
△결선된 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)
19배로 증가한다.
20.1배로 줄어든다.
33배로 증가한다.
40.3배로 줄어든다.
문제 22
그림과 같은 회로에서 영상 임피던스 Z01, Z02의 값은 약 몇 Ω 인가?
1Z01 = 8, Z02 = 4.96
2Z01 = 8, Z02 = 9.92
3Z01 = 16, Z02 = 4.96
4Z01 = 16, Z02 = 9.92
문제 23
다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?
1
2
3
4
문제 24
신호 f(t)에 여현파 신호 cosω0t를 곱한 값인 f(t)cosω0t을 Fourier 변환하면?
1
2
3
4
문제 25
자계 코일에 권수(N)는 1000회, 저항(R)은 6Ω에서 전류(I)가 10A로 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2 Wb이다. 이 회로의 시정수는 몇 초(sec) 인가?
11
22
310
412
문제 26
그림과 같은 회로의 4단자 정수는?
1
2
3
4
문제 27
R=80Ω, XL=60Ω인 R-L 병렬회로에 v=220∠45°V의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
13.67∠45°
25.75∠90°
33.67∠-45°
45.75∠-90°
문제 28
다음 운동 방정식으로 표시되는 계의 계수 행렬 A는 어떻게 표시되는가?
1
2
3
4
문제 29
이상 변압기의 1차측 권선수:2차측 권선수가 1:2 일 때 부하 저항은 50Ω이다. 입력에서 본 등가 임피던스는 몇 Ω 인가?
150
225
312.5
46.25
문제 30
그림과 같은 이상 변압기에서 Ri=300Ω, RL=75Ω일 때, 권선비 n1:n2는 얼마인가?
11:2
21:4
32:1
44:1
문제 31
R-L-C 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는 어떤 회로로 동작하는가?
1유도성 회로
2용량성 회로
3저항성 회로
4탱크 회로
문제 32
직류 전압원에 저항을 접속하고 전류를 흐를 때 이 전류 값을 30% 증가시키기 위해서는 저항값은 어떻게 하여야 하는가?
12배로 증가시킨다.
21.2배로 증가시킨다.
3저항값을 그대로 유지시킨다.
40.77배로 감소시킨다.
문제 33
그림과 같은 회로에서 정상 전류(i)는 얼마인가? (단, Vdc = 20, R = 20Ω, L = 0.2H 이다.)
1i=2A
2i=4A
3i=1A
4i=6A
문제 34
RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr공진 각 주파수이다.)
1ωrC/R
2ωrL/R 
3ωr/R
4ωrR/L 
문제 35
다음 함수에 관한 설명 중 틀린 것은? (단, T는 주기이다.)
1f(t)=f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
2f(t)=-f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 기함수이다.
3f(t)=-f(t+T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 반파대칭인 주기파이다.
4f(t)=f(t±T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
문제 36
저항(R) 8Ω과 정전용량(C) 500μF을 직렬로 연결하고 교류전압 v=200√2sin120πt[V]을 인가하였다. 이때 이 회로의 전압과 전류의 위상차는 약 몇 도(°) 인가?
127°
234°
356°
460°
문제 37
그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C값은 몇 F 인가? (단, R=1Ω, L=200mH 이다.)
10.1
20.2
31
42
문제 38
다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
1A = 7
2B = 48
3C = 6
4D = 7
문제 39
원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?
1원점을 지나는 직선이 된다.
2원점을 지나는 원이 된다.
3원점을 지나지 않는 직선이 된다.
4원점을 지나지 않는 원이 된다.
문제 40
그림에서 a-b간에 25V의 전압을 가할 때 5A의 전류가 흐른다. r1 및 r2에 흐르는 전류비를 1:3으로 하려면 r1 및 r2의 저항은 몇 Ω 인가?
1r1=12, r2=4
2r1=24, r2=8
3r1=6, r2=2
4r1=2, r2=6
문제 41
무귀환 시 전압이득이 30 이고, 고역 차단 주파수가 20kHz인 증폭기에 귀환을 걸어 전압이득이 20으로 되었다면 이때의 차단주파수는 몇 kHz 인가?
110
220
330
440
문제 42
이상적인 연산 증폭기에 대한 설명 중 틀린것은?
1출력의 일부를 반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 감소시키는 것을 부귀환이라 한다.
2출력의 일부를 비반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 증가시키는 것을 정귀환이라 한다.
3개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 직접화로 이루어진 증폭기이다.
4매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계가 되었다.
문제 43
그림과 같은 NOR 게이트로 구성된 기본적인 플립플롭회로에서 S=0, R=1인 상태일 때 Q, 의 상태는? (단, 클록펄스(CP)가 1일 경우로 가정한다.)
1
2
3
4
문제 44
고주파 증폭회로의 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1트랜지스터의 베이스 폭이 얇을수록 고주파 증폭에 적합하다.
2컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스는 감소한다.
3컬렉터 용량의 영향으로 출력이 귀환된다.
4컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다.
문제 45
입력 주파수 192Hz를 T형 플립플롭 3개에 종속 접속하면 출력 주파수는 몇 Hz 인가?
1586
264
348
424
문제 46
전력 증폭기 회로의 직류공급 전압이 12 V, 전류가 400 mA이고, 능률이 60%일 때 부하에서 출력전력은 몇 W 인가?
10.8
21.44
32.88
44.9
문제 47
그림의 비안정 멀티바이브레이터에서 R1 = R2 = R, C1 = C2 = C라고 하면 발진주파수는 대략 어떻게 표시되는가?
10.7/RC
20.5/RC
30.7/RLC
40.5/RLC
문제 48
mod-8 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
12개
24개
38개
416개
문제 49
부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로를 무엇이라 하는가?
1인코더
2디코더
3플립플롭
4멀티플렉서
문제 50
JFET에서 IDSS = 12mA, VP = -4V 이고, VGS = -2V일 때 드레인 전류 ID는 몇 mA 인가?
11.5
22.7
33
45
문제 51
트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2 μA에서 239.2 μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
11.2
22.2
34.2
46.3
문제 52
FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
2변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
3변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
4신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.
문제 53
귀환이 없는 경우의 전압이득이 40dB 인 증폭기에 귀환율(β)이 0.09의 부귀환을 걸면 증폭기의 전압이득은 몇 dB 인가?
110
220
330
440
문제 54
다음 진리표를 만족하는 논리회로는?
1
2
3
4
문제 55
발진 회로의 발진의 조건으로 옳은 것은?
1귀환 루프의 위상 천이가 0° 이다.
2귀환 루프의 위상 천이가 180° 이다.
3귀환 루프의 이득이 0 이다.
4귀환 루프의 이득이 1/2이다.
문제 56
전압이득이 60dB, 왜율이 10%인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1%로 개선하기 위해서는 귀환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?
10.9
20.1
30.099
40.011
문제 57
변압기가 결합한 A급 증폭기에서 1차:2차(12:1) 변압기가 16Ω 부하저항에 연결되어 있을 때 1차 측에서 보는 실효저항(R1)은 약 몇 kΩ 인가?
11.8
22.1
32.3
42.5
문제 58
연산 증폭기의 종류에 대한 설명 중 틀린 것은?
1반전 증폭기는 비반전 입력단은 접지로 하고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
2단위 이득 증폭기는 비반전 입력단은 출력과 단락시키고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
3비반전 증폭기는 반전 입력단은 저항을 이용하여 접지로 하고 비반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
4적분기는 반전 증폭회로에서 귀환 소자인 저항 대신에 커패시터를 사용한 것이다.
문제 59
다음 그림은 π모델을 이용해서 공통 이미터 트랜지스터의 단락 전류이득을 구하기 위한 등가 회로이다. 단락 전류이득을 주파수 함수로 표시한 것으로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 60
다음 555 회로에서 출력주파수는 몇 kHz 인가?
15.64
26.64
34.64
47.64
문제 61
전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?
1금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
2금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
3금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
4금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 chottky 효과라 한다.
문제 62
공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?
1반도체내의 전하밀도가 매우 크기 때문
2공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문
3금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문
4공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문
문제 63
실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
1동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
2일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
3SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
4무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
문제 64
바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
1걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.
2걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
3걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.
4걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전류를 흡수한다.
문제 65
전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하량은 1.602×10-19[C] 이다.)
11.75×1017[m/s2]
21.95×1016[m/s2]
32.05×1016[m/s2]
42.35×1014[m/s2]
문제 66
pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?
1접합부에는 전압이 생긴다.
2접합 저항은 외부전압에 따라 변한다.
3접합 저항은 전류에 반비례한다.
4접합 전압은 온도와 무관하다.
문제 67
트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
1Early
2Tunnel
3Drift
4Punch-Through
문제 68
300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?
10.02
20.08
30.2
40.8
문제 69
물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
1열을 가한다.
2빛을 가한다.
3전계를 가한다.
4압축을 한다.
문제 70
진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
1도너 준위에 접근한다.
2금지대 중앙에 위치한다.
3전도대 쪽으로 접근한다.
4가전자대 쪽으로 접근한다.
문제 71
반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?
1결정구조의 결함은 이동도를 감소시킨다.
2직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
3캐리어의 확산 길이는 이동도와 수명시간에 따라 변한다.
4p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 상온에서 정(+)으로 이온화된다.
문제 72
실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?
10 V
20.7 V
37 V
470 V
문제 73
3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m]이다.)
10.12eV
20.012eV
30.24eV
40.024eV
문제 74
금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?
1표면 전위장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하는 에너지이다.
2금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식이다.
3전자의 구속 에너지와 같다.
4최소한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.
문제 75
Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
1최고허용온도가 높다.
2차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
3역방향전류와 잡음지수가 크다.
4고주파 고출력 특성이 좋다.
문제 76
Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
1Fermi-Dirac
2Bose-Einstein
3Gauss-error function
4Maxwell-Boltzmann
문제 77
선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
1포화영역 부근에 설정한다.
2차단영역 부근에 설정한다.
3포화영역 이상에 설정한다.
4차단영역과 포화영역 중간 지점에 설정한다.
문제 78
SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는가?
1Holding Current
2Latching Current
3Trigger Current
4Induction Current
문제 79
2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J･s]이다.)
11.46×10-34
22.23×10-8
35.53×10-5
41.95×10-12
문제 80
다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
1인듐(In)
2안티몬(Sb)
3붕소(B)
4알루미늄(Al)
문제 81
부동 소수점(Floating point number) 표현 방식으로 틀린 것은?
1부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
2지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
3부호, 지수부, 소수부의 3개의 필드로 구성되어 있다.
432비트에서 부동 소수점 수를 표현할 때 부호는 2비트를 사용한다.
문제 82
논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
1OR
2AND
3EX-OR
4NOT
문제 83
다음 논리 함수를 간소화 한 결과는?
1X
2XY
3X+Y
4Y
문제 84
데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?
1단순 연결 리스트(singly linked list)
2이중 연결 리스트(doubly linked list)
3다중 연결 리스트(multi linked list)
4환형 연결 리스트(circular linked list)
문제 85
0-주소 명령어 형식이 사용될 수 있는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?
1단일 누산기 구조
2이중 누산기 구조
3범용 레지스터 구조
4스택 구조
문제 86
다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
1Z=AB+C
2
3
4Z=A+BC
문제 87
컴퓨터의 워드(word) 길이에 대한 설명으로 틀린것은?
1일반적으로 더욱 많은 명령어를 제공할 수 있다.
2일반적으로 워드 길이가 길면 컴퓨터 성능이 좋아진다.
3일반적으로 워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다.
4주소를 지정할 수 있는 수의 범위가 크므로 큰 기억용량이 필요하다.
문제 88
전자계산기의 주요 장치에 대한 설명으로 틀린것은?
1연산 장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
2보조기억 장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
3제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
4입출력 장치 : 필요한 정보의 입출력을 담당하는 장치이다.
문제 89
프로그램 카운터가 없는 컴퓨터에서 op code는 3비트이고 메모리는 4096워드(word)일 때 하나의 명령이 한 워드에 저장된다면 워드 당 몇 비트인가? (단, 이 컴퓨터의 명령어는 op code, operand, 어드레스로 구성되어 있다.)
112비트
215비트
327비트
430비트
문제 90
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
1인코더
2디코더
3디멀티플렉서
4멀티플렉서
문제 91
컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
1CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.
2폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
3CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
4컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.
문제 92
간접 주소(Indirect Addressing) 방식을 설명한 것은?
1명령어내의 번지는 실제 데이터가 위치하고 있는 주소를 나타낸다.
2프로그램 카운터가 명령어의 주소부분과 더해져서 유효주소가 결정된다.
3명령어의 실제 주소를 나타내는 유효주소는 명령어의 주소 필드가 가르키는 주소에 존재한다.
4인덱스값을 갖는 특별한 레지스터의 내용이 명령어의 주소 부분과 더해져서 유효주소가 얻어진다.
문제 93
C 언어에 대한 설명으로 옳은 것은?
1함수 호출이 아닌 함수 본체의 시작과 끝은 각각 '('과 ')'로 표기한다.
2대화형 언어로서 프로그램을 코딩용지 등에 작성해서 입력해야 한다.
3한 줄에 여러 개의 명령문을 기술할 경우 명령문 사이에 세미콜론(;)을 사용해야 한다.
4프로그램은 반드시 END문으로 끝난다.
문제 94
서브루틴과 연관되어 사용되는 명령으로 가장 옳은 것은?
1Shift와 Rotate
2Call과 Return
3Skip과 Jump
4Increment와 Decrement
문제 95
다음 C 프로그램을 수행하였을 때 결과 값은?
112
210
31
40
문제 96
피연산자의 기억 장소에 따른 명령어 형식의 분류에 속하지 않는 것은?
1스택 명령어 형식
2레지스터-레지스터 명령어 형식
3레지스터-메모리 명령어 형식
4스택-메모리 명령어 형식
문제 97
DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다.
2빠른 속도로 자료들을 입출력할 때 사용하는 방식이다.
3DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
4DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 cycle stealing을 행한다.
문제 98
언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
1assembler
2interpreter
3compiler
4linkage editor
문제 99
C 언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은?
1-3
2-4
33
44
문제 100
직렬 덧셈 회로에 꼭 필요한 것은?
1Shift Register
2Buffer Memory
3Operand
4Cache Memory