[전자기사 필기] 18년 3회차 시험지 PDF 다운로드

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문제 1

자계의 세기를 표시하는 단위와 관계 없는 것은?

1A/m

2N/Wb

3Wb/h

4Wb/H·m

문제 2

질량 m=5×10^-10[kg]이고, 전하량 q=2.5×10^-⁸[C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도를 a=10³i +10²j 라 하면 전장은?

1E = i + 10j

2E = 20i + 2j

3E = 15i + 10j

4E = 10^-²i + 10^-⁷j

문제 3

두 종류의 유전율(ε₁, ε₂)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ₁, θ₂는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E₁, E₂가 이루는 각이다.)

1E₁sinθ₁=E₂sinθ₂, D₁sinθ₁=D₂sinθ₂,

2E₁cosθ₁=E₂cosθ₂, D₁sinθ₁=D₂sinθ₂,

3E₁sinθ₁=E₂sinθ₂, D₁cosθ₁=D₂cosθ₂,

4E₁cosθ₁=E₂cosθ₂, D₁cosθ₁=D₂cosθ₂,

문제 4

자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?

1투자율에 반비례한다.

2자기회로의 단면적에 비례한다.

3자기회로의 길이에 반비례한다.

4단면적에 반비례하고 길이의 제곱에 비례한다.

문제 5

높은 주파수의 전자파가 전파될 때 일기가 좋은 날보다 비 오는 날 전자파의 감쇠가 심한 원인은?

1도전율 관계임

2유전율 관계임

3투자율 관계임

4분극률 관계임

문제 6

스토크스(Stokes)의 정리를 표시하는 일반식은?

문제 7

평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε₁, ε₂인 두 유전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E₁, E₂ 사이에 성립하는 관계로 옳은 것은?

1E₂ = E₁

2E₂ = 2E₁

3E₂ = 4E₁

4E₂ = E₁ / 4

문제 8

코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10A 변화할 때 코일 B에 10V의 기전력을 유도한다고 한다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 H 인가?

11/0.3

21/3

31/30

41/300

문제 9

전계 E(V/m)가 두 유전체의 경계면에 평행으로 작용하는 경우 경계면의 단위면적당 작용하는 힘은 몇 N/m² 인가? (단, ε₁, ε₂는 두 유전체의 유전율이다.)

1f = E²(ε₁-ε₂)



문제 10

자기 벡터포텐셜

(Wb/m) 일 때,

, 1 ＜ ρ ＜ 2m, 0 ＜ Z ＜ 5m 표면을 통과하는 전 자속은 몇 Wb 인가?

12.75

23.25

33.75

44.25

문제 11

반지름 a(m), 권수 N, 길이 ℓ(m)인 무한히 긴 공심 솔레노이드의 인덕턴스는 몇 H 인가?

문제 12

자유공간 중에서 점 P(2, -4, 5)가 도체면상에 있으며, 이 점에서 전계 E=3a_x-6a_y+2a_z[V/m]이다. 도체면에 법선성분 E_n 및 접선성분 E_i의 크기는 몇 [V/m] 인가?

1E_n = 2, E_i = 3

2E_n = 7, E_i = 0

3E_n = -6, E_i = 0

4E_n = 3, E_i = -6

문제 13

도체 내에서 변위전류의 영향을 무시할 수 있는 조건은? (단, K : 도전도(導電度) 또는 도전율, ε : 유전율, f : 교번 전자계의 주파수이다.)

문제 14

공기 중의 원점의 점전하에서 0.5m, 2m 거리의 전위가 각각 30V, 15V일 때 1m 거리인 점의 전위는 몇 V 인가?

115

217.5

320

422.5

문제 15

전기력선의 성질에 대한 설명 중 옳은 것은?

1전기력선은 등전위면과 평행하다.

2전기력선은 도체 표면과 직교한다.

3전기력선은 도체 내부에 존재할 수 있다.

4전기력선은 전위가 낮은 점에서 높은 점으로 향한다.

문제 16

같은 방향의 전류가 흐르는 두 무한 직선 전류가 일정한 거리 떨어져 있을 때 한 무한 직선 전류에 의해 작용되는 다른 무한직선 전류의 전자력은?

1두 무한 직선전류의 방향으로 작용한다.

2두 무한 직선전류와 수직방향이며 흡인력이다.

3두 무한 직선전류간의 거리에 반비례하며 반발력이다.

4두 무한 직선전류의 곱에 비례하고 거리의 제곱에 반비례한다.

문제 17

전장이 E=ix²+jy²로 주어질 때 전력선의 궤적 방정식을 나타내는 식은? (단, C는 상수이다.)

1y = Cx

2y = Cl_nx

문제 18

반지름 a(m)의 원주도체(투자율 μ) 내부에 균일하게 전류 I(A)가 흐를 때 도체의 단위길이에 저장되는 내부 에너지는 몇 J/m 인가?

1μI² / 8π

2μaI² / 8π

3μI² / 16π

4μaI² / 16π

문제 19

대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지면으로부터 받는 힘은?

1h에 비례한다.

2h²에 비례한다.

3h에 반비례한다.

4h²에 반비례한다.

문제 20

히스테리시스 곡선의 기울기는 다음의 어떤 값에 해당하는가?

1투자율

2유전율

3자화율

4감자율

문제 21

그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

문제 22

교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?

2L = CR₁R₂

문제 23

그림의 회로에서 일정 전압(E)에 대해서 L을 변화시킬 때 선로 전류 (I)는

일 경우 어떻게 되는가?

1최대가 된다.

2최소가 된다.

3지수 함수 형태가 된다.

4변하지 않는다.

문제 24

지수함수 e^-at의 라플라스 변환은?

11 / (S+a)

21 / (S-a)

3S + a

4S - a

문제 25

테브난의 정리와 쌍대의 관계가 있는 것은?

1밀만의 정리

2중첩의 정리

3노튼의 정리

4상사 정리

문제 26

그림과 같은 T형 회로에서 단자 1-1' 측에서 바라본 개방 임피던스(Z₁_O) 및 단락 임피던스(Z₁_S)를 구하면 각각 몇 Ω 인가?

1Z₁_O=1000, Z₁_S=51

2Z₁_O=100, Z₁_S=500

3Z₁_O=1000, Z₁_S=36

4Z₁_O=1000, Z₁_S=510

문제 27

RL 및 RC 회로의 과도 상태에 관한 설명 중 틀린 것은?

1t=0 일 때 C는 단락 상태가 된다.

2시정수가 크면 정상 상태에 빨리 도달한다.

3t=0 일 때 L은 개방 상태가 된다.

4변화하지 않는 저항만의 회로에서는 과도현상이 없다.

문제 28

선형 회로망에서 단자 a, b 간에 200V의 전압을 가할 때 c, d에 흐르는 전류가 10A이었다. 반대로 같은 회로에서 c, d간에 100V를 가하면 a, b에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

12.5

215

310

문제 29

그림과 같은 회로의 입력 전압의 위상은 출력 전압의 위상에 비해 어떻게 되는가?

1앞선다.

2뒤진다.

3같다.

4앞설 수도 있고 뒤질 수도 있다.

문제 30

하이브리드 h파라미터 중 V₁=h₁₁I₁+h₁₂V₂, I₂=h₂₁I₁+h₂₂V₂가 주어졌을 때 단락 순방향 전류 이득은?

문제 31

다음과 같은 회로망에서 단자 1, 2에서 바라본 테브난 등가저항의 크기는?

13Ω

25Ω

38Ω

412Ω

문제 32

정현파 전압이 인가된 회로의 일부에 Z₁, Z₂가 직렬로 연결되어 있을 때 교류 전압계로서 Z₁, Z₂ 각각의 양단 전압을 측정하였더니 둘 다 100V 이고, Z₁, Z₂ 전체의 양단 전압이 0V 이면 다음 설명 중 옳은 것은?

1Z₁, Z₂ 모두 R이다.

2Z₁, Z₂중 하나는 C, 또 하나는 R일 것이다.

3Z₁, Z₂ 중 하나는 L, 또 하나는 R일 것이다.

4Z₁, Z₂ 중 하나는 C, 또 하나는 L일 것이다.

문제 33

의 최종치 정리의 결과값은?

문제 34

상수 A를 푸리에 변환(Fourier Transform)하면?

32πAδ(w)

4Aδ(w)

문제 35

기본파의 30%인 제2고조파와 20%인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?

10.24

20.28

30.32

40.36

문제 36

저항 3Ω, 유도 리액턴스 4Ω의 직렬회로에 60Hz의 정현파 전압 180V를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?

126A

236A

345A

460A

문제 37

정현파 전압의 진폭이 V_m이라면 이를 반파 정류 했을 때의 평균값은?

1V_m / π

2V_m / √2

3V_m / 2

42V_m / π

문제 38

RLC 직렬 회로에서 페이저도(phasor diagram)는?

문제 39

회로에서 결합계수가 K일 때 상호인덕턴스 M은?

3M = KL₁L₂

문제 40

그림과 같은 페이저(phasor)도가 있을 때 등가 임피던스를 구하면?

138.3 + j30.4

228.3 + j28.3

320.5 + j20.5

461.3 + j57.8

문제 41

전압 증폭기에서 A가 기본 증폭회로의 이득이고, β가 귀환회로의 이득일 때, 전압이득이 증가되는 조건은?

1| 1-βA | = 0

2| 1-βA | ＜ 0

3| 1-βA | ＞ 0

4| 1-βA | ＜ 1

문제 42

변압기의 1차 전압(V_i_n)이 100V_rms이고, 입력과 출력의 권선비가 10:1일 때, 브리지 정류기에 사용되는 정류다이오드의 최대 역 전압(PIV)은 몇 V 인가?

19.3

28.4

313.44

412.74

문제 43

다음과 같이 미분 연산증폭기에 삼각파 입력이 공급될 때, 출력전압의 범위는?

1-3.3V ~ +3.3V

2-4.4V ~ +4.4V

3-5.5V ~ +5.5V

4-6.6V ~ +6.6V

문제 44

다음 중 발진회로에 대한 설명으로 적절하지 않은 것은?

1발진회로는 정귀환 회로로 이루어져 있다.

2발진조건은 귀환율 β=1 이다.

3위상 변위(phase-shift) 발진기의 귀환 회로는 출력신호의 위상이 180도 변위가 일어나도록 구성되어 있다.

4발진이 잘 일어나게 하기 위해서는 개방 루프 이득(open loop gain)을 이론치보다 약간 높게 설정한다.

문제 45

발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?

1항온조 시설을 한다.

2정전압 회로를 설치한다.

3주파수 체배기를 사용한다.

4온도 보상용 부품을 사용한다.

문제 46

그림의 회로에서 R₁, R₂, R₃, R_f가 각각 2kΩ, 3kΩ, 1kΩ, 9kΩ 일 때, 중첩의 원리를 사용하여 출력전압(V_O)을 구하면?

1V_O = 3v₁+2v₂

2V_O = 2v₁+3v₂

3V_O = 6v₁+4v₂

4V_O = 4v₁+6v₂

문제 47

저주파 증폭기의 직류 입력은 2kV, 400mA 이고, 효율은 80%일 때 부하에서 나타나는 전력은?

1640W

2600W

3480W

4320W

문제 48

트랜지스터의 직류증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

1h_r_e의 온도변화

2h_f_e의 온도변화

3V_B_E의 온도변화

4I_C_O의 온도변화

문제 49

RC 결합 소신호 증폭기에서, 고역 주파수 응답을 구하는 식으로 옳은 것은? (단, 중역이득은 A_m이고, 고역차단 주파수는 f_h이다.)

문제 50

단위 이득 주파수(f_T)가 260MHz인 트랜지스터가 중간 영역에서 전압이득이 50인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은?

12.7MHz

23.5MHz

35.2MHz

425.4MHz

문제 51

베이스 접지 증폭기 회로에서 전류 증폭율(α_o)과 차단 주파수(f_o)가 각각 0.97, 1MHz인 트랜지스터가 2MHz로 동작할 때 전류 증폭율(α)은?

10.642

20.434

30.542

40.145

문제 52

다이오드와 커패시터를 사용하여 입력전압의 2배, 3배, 4배로 증가시키는 회로는?

1클리퍼 회로

2클램퍼 회로

3체배기 회로

4적분기 회로

문제 53

다음 회로에 v_i=100sinwt의 입력이 가해질 경우 출력파형의 형태와 최대치 전압으로 가장 적합한 것은? (단, D₁, D₂는 이상적인 다이오드이다.)

1정현파, 약 10V

2구형파, 약 10V

3정현파, 약 40V

4구형파, 약 40V

문제 54

다음 중 플립플롭과 같은 기능을 가지는 회로는?

1무안정 멀티바이브레이터

2슈미트 트리거

3쌍안정 멀티바이브레이터

4단안정 멀티바이브레이터

문제 55

빈 브리지 발진기에서 R=3.3kΩ, C=5nF일 때 발진 주파수는 몇 kHz 인가?

19.65

28.54

36.53

410.56

문제 56

베이스 변조와 비교한 컬렉터 변조의 특징으로 적합하지 않은 것은?

1조정이 어렵다.

2변조효율이 좋다.

3대전력 송신기에 적합하다.

4높은 변조도에서 일그러짐이 적다.

문제 57

다음 회로는 한 쌍의 이미터 폴로어가 직렬로 연결된 달링턴 증폭기이다. 전압이득은 1에 근사한 값인데 달링턴 증폭기가 많이 사용되는 이유는?

1입력 임피던스가 높고 출력 임피던스도 높기 때문

2입력 임피던스는 높고 출력 임피던스는 낮기 때문

3입력 임피던스는 낮고 출력 임피던스는 높기 때문

4입력 임피던스가 낮고 출력 임피던스도 낮기 때문

문제 58

다음과 같은 클램프(Clamp)회로의 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드는 이상적이고, RC의 시정수는 대단히 크다.)

문제 59

비안정 멀티바이브레이터 회로에서 출력 전압의 파형은?

1구형파

2정현파

3삼각파

4스텝파

문제 60

전원 정류 회로의 리플 함유율을 작아지게 하는 방법으로서 가장 적당한 것은?

1출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.

2출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.

3입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.

4입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.

문제 61

Ge과 비교하였을 때, Si의 장점이 아닌 것은?

1이동도(mobility)가 크다.

2안정된 SiO₂을 만들 수 있다.

3금지대(forbidden gap)가 크기 때문에 온도 특성이 우수하다.

4선택된 작은 부분에서 불순물의 농도를 조절할 수 있다.

문제 62

열전자 방출현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은?

1Einstein의 관계식

2Langmuir-Child의 관계식

3Richardson-Dushmann의 관계식

4Schottky의 관계식

문제 63

광전자 방출에 관한 특징과 거리가 먼 것은?

1방출전자의 개수는 빛의 세기에 비례한다.

2방출전자의 초속도는 빛의 세기에 의하여 변화된다.

3빛을 조사한 즉시 전자가 방출한다.

4방출전자의 개수 및 속도는 광범한 온도 범위에서 온도와 관계없이 일정하다.

문제 64

전자의 수가 33인 원자의 가전자 수는?

12개

23개

34개

45개

문제 65

어떤 물질에 일정한 진동수의 X선을 비추면 그 물질에 의해 산란된 X선 중에서 입사 X선보다 파장이 긴 X선 성분이 포함되는 현상을 무엇이라고 하는가?

1광전효과

2초전효과

3콤프턴효과

4기전효과

문제 66

pn 접합이 충분히 역바이어스 되어있는 경우 접합용량(junction capacitance)과 역바이어스 전압(V)과의 관계로 옳은 것은?

문제 67

광전자 방출 현상에서 방출된 전자의 운동에너지(E_k)는 다음과 같이 표시된다. 여기서 E_w는 무엇을 의미 하는가? (단, ν는 광자의 주파수, h는 프랭크(plank) 상수이다.)

1광전물질의 일함수

2광자의 충돌 에너지

3광전물질의 열에너지

4광전물질 내부의 전자 에너지

문제 68

반도체의 자유전자는 전도대에 있고, 결합전자는 가전자대에 있을 경우 틀리게 설명한 것은?

1정공은 가전자대에만 있다.

2정공은 주로 전도대에 있다.

3가전자대는 거의 충만 되어 있다.

4전도대로 전이된 전자는 가전자대에 정공을 만든다.

문제 69

27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1eV 상위 및 하위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, 볼츠만의 상수(k)는 1.38×10^-23 [J/K]이다.)

1상위 : 0.01, 하위 : 0.99

2상위 : 0.02, 하위 : 0.98

3상위 : 0.09, 하위 : 0.91

4상위 : 0.10, 하위 : 0.90

문제 70

양자역학의 보어(Bohr) 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은? (단, 주양자수는 n이다.)

1n에 비례한다.

2n²에 비례한다.

31/n 에 비례한다.

41/n² 에 비례한다.

문제 71

서미스터(Thermistor) 소자에 관한 설명 중 틀린 것은?

1반도체로 만들어진다.

2저항 온도계수가 항상 +(양)의 값이다.

3온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다.

4온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상 등에 사용된다.

문제 72

반도체에 관한 효과에 따른 용도가 틀리게 짝지어진 것은?

1자기 효과 : 홀소자

2제베크 효과 : 열전대

3펠티에 효과 : 전자냉각

4외부 광전 효과 : 광전도 셀

문제 73

열평형상태에 있는 반도체에서 가전자대 정공농도(p_o)와 전도대 전자농도(n_o)를 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?

1온도 및 불순물 밀도의 함수이다.

2온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.

3불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.

4불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.

문제 74

MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?

1입력 임피던스가 크다.

2저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.

3제작이 간편하고, IC화하기에 적합하다.

4사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.

문제 75

진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(E_g)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?

1n은 E_g의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.

2n은 E_g의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.

3n은 E_g에 반비례한다.

4n은 E_g에 비례한다.

문제 76

접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(h_F_E)에 관한 설명 중 틀린 것은?

1h_F_E는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.

2h_F_E는 베이스 폭에 비례한다.

3h_F_E는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.

4h_F_E는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.

문제 77

전계에 의하여 일함수가 작아져 열전자 방출이 쉬워지는 효과는?

1쇼트키(Schottky) 효과

2펠티에(Peltier) 효과

3제벡(Seebeck) 효과

4홀(Hall) 효과

문제 78

진공 속의 알루미늄(Al) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 필요한 최소에너지는 얼마인가? (단, 알루미늄의 일함수는 4.08eV이다.)

14.08[J]

22.55×10^-19[J]

36.53×10^-19[J]

42.70×10^-33[J]

문제 79

pn 접합에 관한 설명으로 가장 적합한 것은?

1p형 반도체와 n형 반도체를 접촉하여 만든 것이다.

2한 개의 단 결정에 억셉터와 도너 불순물을 혼합하여 만든 것이다.

3단결정 반도체 내에서 도너 불순물이 많은 영역과 억셉터 불순물이 많은 영역이 접합되어 있는 것이다.

4별개의 단결정체에 억셉터 불순물과 도너 불순물을 도핑하여 만든 것을 접촉한 것이다.

문제 80

가전자대의 전자밀도가 10²⁵[m^-³ ]인 금속에 전류밀도가 10⁷[A/m² ]인 전류가 흐르면, 이때의 드리프트 속도는 몇 m/s 인가?

10.31

26.25

331.00

462.50

문제 81

MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?

1맨 왼쪽 비트(최상위 비트)

2맨 오른쪽 비트(최하위 비트)

32진수의 보수

48진수의 보수

문제 82

다음 순서도 기호의 기능은?

1처리

2시작과 끝

3반복

4비교·판단

문제 83

캐시메모리의 적중(Hit)률이 0.9, 캐시메모리 접근시간이 50ns, 주기억장치 접근시간이 400ns일 때, 평균 기억장치 접근시간은 얼마인가? (단, 캐시 적중여부 판별에 소요되는 시간은 무시한다.)

1120ns

285ns

367.5ns

453.5ns

문제 84

n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 옳게 나타낸 것은?

1-2ⁿ ~ 2^n-1

2-2^n-1 ~ 2^n-1

3-2^n-1 ~ (2^n-1-1)

4-(2^n-1-1) ~ (2^n-1-1)

문제 85

2진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?

1고정소수점(fixed point) 표현 방식보다 수를 표현할 수 있는 범위가 넓다.

2지수(exponent)를 사용하여 소수점의 범위를 넓게 이동시킬 수 있다.

3소수점 이하의 수를 나타내는 가수(mantissa)의 비트수가 늘어나면 정밀도가 증가한다.

4IEEE 754 부동소수점 표준 중 64비트 복수 정밀도 형식은 32비트 지수를 가진다.

문제 86

1비트의 전가산기는 3개의 입력 A, B, Ci 와 2개의 출력 Sum, Cout로 구성된다. A=0, B=1, Ci=0일 때 출력의 값은?

1Sum=0, Cout=0

2Sum=0, Cout=1

3Sum=1, Cout=0

4Sum=1, Cout=1

문제 87

한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필요한 주소지정방식은?

1간접 주소지정방식

2직접 주소지정방식

3상대 주소지정방식

4인덱스 주소지정방식

문제 88

목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?

1compiler

2assembler

3interpreter

4micro-assembler

문제 89

push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?

1MBR

2queue

3stack

4cache

문제 90

JK 플립플롭에서 J=1, K=0으로 입력될 때 Q_(t+1) 상태는?

1먼저 내용에 대한 complement로 된다.

2먼저 내용이 그대로 남는다.

31로 변한다.

40으로 변한다.

문제 91

프로그램 카운터가 명령의 주소 부분과 더해져서 유효 주소가 결정되는 주소지정 방식은?

1절대주소지정방식

2직접주소지정방식

3상대주소지정방식

4간접주소지정방식

문제 92

다음 주소 지정 방식 중 데이터 처리가 가장 신속한 것은?

1자료가 기억된 장소에 직접 혹은 간접으로 사상시킬 수 있는 주소가 기억된 장소에 사상시키는 주소

2주소에 상수 또는 레지스터에 기억된 주소의 일부분을 계산 또는 접속시켜서 사상시키는 주소

3명령어 내에 가지고 있는 데이터를 계산한 자료자신에 대하여 사상시키는 주소

4자료가 기억된 장소에 직접 사상시킬 수 있는 주소

문제 93

다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?

문제 94

다음 중 명령어의 주소 지정방식이 아닌 것은?

1즉치(immediate) 주소지정

2오퍼랜드 주소지정

3레지스터 주소지정

4인덱스 주소지정

문제 95

기본적인 마이크로프로세서(microprocessor)의 내부 구성요소가 아닌 것은?

1연산부(ALU)

2제어부(control unit)

3주소 버스(address bus)

4레지스터부(registers)

문제 96

LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?

1플라즈마(Plasma)

2CRT(Cathode Ray Tube)

3TFT(Thin Film Transistor)

4HGC(Hercules Graphic Card)

문제 97

T형 플립플롭을 사용하여 5단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?

15개

216개

332개

464개

문제 98

범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합하거나 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시 프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 정비한 것은?

1Problem State

2PSW(Program Status Word)

3Interrupt

4Program library

문제 99

어셈블리 언어(Assembly language) 명령의 구성 요소와 가장 관계없는 것은?

1label

2mnemonic

3operand

4procedure

문제 100

4비트 데이터를 1의 보수로 표현할 수 있는 수의 범위는?

1-7 ~ +7

2-8 ~ +7

3-7 ~ +8

4-8 ~ +8