[전자기사 필기] 20년 2회차 시험지 PDF 다운로드
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문제 1
서로 같은 2개의 구 도체에 동일양의 전하로 대전시킨 후 20cm 떨어뜨린 결과 구 도체에 서로 8.6×10-4N의 반발력이 작용하였다. 구 도체에 주어진 전하는 약 몇 C인가?
15.2×10-8
26.2×10-8
37.2×10-8
48.2×10-8
문제 2
반지름이 3cm인 원형 단면을 가지고 있는 환상 연철심에 코일을 감고 여기에 전류를 흘려서 철심 중의 자계 세기가 400AT/m가 되도록 여자할 때, 철심 중의 자속 밀도는 약 몇 Wb/m2 인가? (단, 철심의 비투자율은 400이라고 한다.)
10.2
20.8
31.6
42.0
문제 3
변위전류와 관계가 가장 깊은 것은?
1도체
2반도체
3자성체
4유전체
문제 4
유전율이 ε1, ε2인 유전체 경계면에 수직으로 전계가 작용할 때 단위 면적당 수직으로 작용하는 힘(N/m2)은? (단, E는 전계(V/m)이고, D는 전속밀도(C/m2)이다.)
1
2
3
4
문제 5
임의의 형상의 도선에 전류 I(A)가 흐를 때, 거리 r(m)만큼 떨어진 점에서의 자계의 세기 H(AT/m)를 구하는 비오-사바르의 법칙에서, 자계의 세기 H(AT/m)와 거리 r(m)의 관계로 옳은 것은?
1r에 반비례
2r에 비례
3r2에 반비례
4r2에 비례
문제 6
진공 중에서 2m 떨어진 두 개의 무한 평행도선에 단위 길이 당 10-7N의 반발력이 작용할 때 각 도선에 흐르는 전류의 크기와 방향은? (단, 각 도선에 흐르는 전류의 크기는 같다.)
1각 도선에 2A가 반대 방향으로 흐른다.
2각 도선에 2A가 같은 방향으로 흐른다.
3각 도선에 1A가 반대 방향으로 흐른다.
4각 도선에 1A가 같은 방향으로 흐른다.
문제 7
다음 정전계에 관한 식 중에서 틀린 것은? (단, D는 전속밀도, V는 전위, ρ는 공간(체적)전하밀도, ε은 유전율이다.)
1가우스의 정리 : div D = ρ
2포아송의 방정식 : 
3라플라스의 방정식 : ∇2V = 0
4발산의 정리 : 
문제 8
영구자석 재료로 사용하기에 적합한 특성은?
1잔류자기와 보자력이 모두 큰 것이 적합하다.
2잔류자기는 크고 보자력은 작은 것이 적합하다.
3잔류자기는 작고 보자력은 큰 것이 적합하다.
4잔류자기와 보자력이 모두 작은 것이 적합하다.
문제 9
자기 인덕턴스(self inductance) L(H)을 나타낸 식은? (단, N은 권선수, I는 전류(A), ø는 자속(Wb), B는 자속밀도(Wb/m2), H는 자계의 세기(AT/m), A는 벡터 퍼텐셜(Wb/m), J는 전류밀도(A/m2)이다.)
1
2
3
4
문제 10
환상 솔레노이드 철심 내부에서 자계의 세기(AT/m)는? (단, N은 코일 권선수, r은 환상 철심의 평균 반지름, I는 코일에 흐르는 전류이다.)
1
2
3
4
문제 11
질량(m)이 10-10 kg 이고, 전하량(Q)이 10-8C인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 가속도가 a = 102i + 102j (m/s2)일 때 전기장의 세기 E(V/m)는?
1E = 104i + 105j
2E = i + 10j
3E = i + j
4E = 10-6i + 10-4j
문제 12
반지름이 a(m), b(m)인 두 개의 구 형상 도체 전극이 도전율 k인 매질 속에 거리 r(m) 만큼 떨어져 있다. 양 전극 간의 저항(Ω)은? (단, r》a, r》b 이다.)
1
2
3
4
문제 13
저항의 크기가 1Ω인 전선이 있다. 전선의 체적을 동일하게 유지하면서 길이를 2배로 늘였을 때 전선의 저항(Ω)은?
10.5
21
32
44
문제 14
내부 원통의 반지름이 a, 외부 원통의 반지름이 b인 동축 원통 콘덴서의 내외 원통 사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 C1이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 증가시키고 공기 대신 비유전율이 3인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량 C2는?
1C2 = C1/9
2C2 = C1/3
3C2 = 3C1
4C2 = 9C1
문제 15
정전계 내 도체 표면에서 전계의 세기가 
(V/m)일 때 도체 표면상의 전하 밀도 ρs(C/m2)를 구하면? (단, 자유공간이다.)
(V/m)일 때 도체 표면상의 전하 밀도 ρs(C/m2)를 구하면? (단, 자유공간이다.)11
22
33
45
문제 16
전류 I가 흐르는 무한 직선 도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점에서 자계의 세기가 180 AT/m이다. 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점에서 자계의 세기(AT/m)는?
120
260
3180
4540
문제 17
자속밀도가 10Wb/m2인 자계 내에 길이 4cm의 도체를 자계와 직각으로 놓고 이 도체를 0.4초 동안 1m씩 균일하게 이동하였을 때 발생하는 기전력은 몇 V 인가?
11
22
33
44
문제 18
길이가 l(m), 단면적의 반지름이 a(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우, 원통 양단에서의 자극의 세기 m(Wb)은?
1alJ
22πalJ
3πa2J
4J/πa2
문제 19
자기회로와 전기회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
1자기저항의 역수를 컨덕턴스라 한다.
2자기회로의 투자율은 전기회로의 도전율에 대응된다.
3전기회로의 전류는 자기회로의 자속에 대응된다.
4자기저항의 단위는 AT/Wb이다.
문제 20
진공 중에서 전자파의 전파속도(m/s)는?
1
2
3
4
문제 21
다음 회로의 스위치 k를 t = 0s에 닫았을 때 초기 전류 i(0+)는 몇 A 인가? (단, 모든 초기 값은 0 이다.)
11.2
22
33
43.2
문제 22
다음 회로가 정저항 회로가 되려면 L은 몇 H인가? (단, R = 20Ω. C = 200㎌)
10.08
20.8
31
410
문제 23
내부 임피던스 Zg = 0.2+j2(Ω)인 발전기에 임피던스 Zl = 2.0+j3(Ω)인 선로를 연결하여 부하에 전력을 공급할 때 부하에 최대 전력이 전송되기 위한 부하 임피던스는 몇 Ω 인가?
11.8 + j
21.8 - j
32.2 + j5
42.2 – j5
문제 24
그림의 회로에서 입·출력 간의 4단자 정수(A, B, C, D 파라미터) 중 틀린 것은?
1A = nA1
2B = nB1
3C = C1/n
4D = nD1
문제 25
그림 (a)의 회로를 그림 (b)와 같은 테브닌 등가회로로 변경했을 때, 테브닌 등가전압 Vth(V)와 테브닌 등가저항 Rth(Ω)는 각각 약 얼마인가?
1Vth = 3.33 V, Rth = 4.33 Ω
2Vth = 3.33 V, Rth = 9 Ω
3Vth = 10 V, Rth = 4.33 Ω
4Vth = 10 V, Rth = 9 Ω
문제 26
v(t) = 100sinωt(V)이고, 
(A)에 대한 평균전력(W)은?
(A)에 대한 평균전력(W)은?125
250
375
4125
문제 27
RLC가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
1
2
3
4
문제 28
의 라플라스 역변환은?1eat sinωt
2e-at sinωt
3eat cosωt
4e-at cosωt
문제 29
다음 중 4단자 회로망에서 가역정리가 성립되는 조건이 아닌 것은? (단, Z12, Z21은 각각 입력과 출력 개방 전달 임피던스이고, Y12, Y21는 각각 입력과 출력 단락 전달 어드미턴스이고, h12, h21는 각각 입력 개방 전압 이득과 출력 단락 전류 이득이고, A, B, C, D는 각각 출력 개방 전압 이득, 출력 단락 전달 임피던스, 출력 개방 전달 어드미턴스, 출력 단락 전류 이득이다.)
1Z12 = Z21
2Y12 = Y21
3h12 = h21
4AD – BC = 1
문제 30
그림의 T형 회로에서 4단자 정수 중 A는?
1j5
210 - j5
31 - j
4
문제 31
f(t) = sinωt + 2cosωt의 라플라스 변환은?
1
2
3
4
문제 32
기본파의 10%인 제3고조파와 20%인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
10.22
20.31
30.42
40.5
문제 33
인덕턴스 L과 커패시턴스 C가 병렬로 구성된 2단자 회로망에서 리액턴스 함수가 
으로 표현된다. 2단자망의 인덕턴스 L(H)과 커패시턴스 C(F)는?
으로 표현된다. 2단자망의 인덕턴스 L(H)과 커패시턴스 C(F)는?1L = 1/3, C= 1
2L = 1, C= 1/3
3L = 3, C= 1
4L = 1, C= 3
문제 34
그림의 정편하 v(t) = Vsin(ωt+ø)의 주기 T(s)는?
12πω
22πf
3ω/2π
42π/ω
문제 35
그림과 같은 4단자 회로망에서 영상 임피던스 Z01은 몇 Ω 인가?
12
23
34
45
문제 36
무효전력이 Q(var)일 때 역률이 0.8이라면 피상전력(VA)은?
10.6Ω
20.8Ω
3Q/0.6
4Q/0.8
문제 37
다음 보기에서 서로 쌍대가 되는 묶음으로 나열한 것은?
1㉠ - ㉢, ㉡ - ㉤, ㉣ - ㉥
2㉠ - ㉡, ㉢ - ㉥, ㉣ - ㉤
3㉠ - ㉡, ㉢ - ㉤, ㉣ - ㉥
4㉠ - ㉢, ㉣ - ㉤, ㉡ - ㉥
문제 38
어떤 선형시스템의 전달함수가 
일 때, 이 시스템의 단위계단 응답(unit-step response)은?
일 때, 이 시스템의 단위계단 응답(unit-step response)은?1
2
3
4
문제 39
RL 직렬회로의 과도응답에서 시정수(s)는?
1L
2R
3L/R
4R/L
문제 40
자기 인덕턴스가 각각 10H, 5H인 두 코일을 직렬로 연결하고 인덕턴스를 측정하였을 때 20H라고 하면, 두 코일 간의 상호 인덕턴스 M은 몇 H 인가?
12.5
23
33.5
45
문제 41
공통 소스 증폭기의 출력 전압에 대한 설명으로 가장 적절한 것은?
1입력 전압과 180°의 위상차가 있다.
2소스에서 입력하여 드레인에서 출력을 얻는다.
3드레인에서 입력하여 소스에서 출력을 얻는다.
4게이트에서 입력하여 소스에서 출력을 얻는다.
문제 42
다음과 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터에서 A급으로 작동할 때 VCE=5V 에 대한 근사적인 β값은?
110
225
350
4100
문제 43
다음 회로의 입력에 구형파를 인가할 때 출력의 최대 양전압의 크기는? (단, 다이오드 순방향 전압강하는 0.7V 이다.)
15.63V
26.35V
34.97V
46.70V
문제 44
다음 회로에서 고주파 차단주파수에 영향을 주는 커패시터로 옳은 것은?
1C1
2C2
3C3
4CF
문제 45
RLC 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하는 방법으로 옳은 것은?
1R 값을 크게 한다.
2C 값을 작게 한다.
3L 값을 크게 한다.
4RLC에 영향이 없다.
문제 46
다음 중 연산증폭기를 이용한 비반전 증폭기는 어떤 귀환(feedback)으로 동작하는가? (단, 입력접속방식-출력접속방식이다.)
1직렬-직렬 귀환
2직렬-병렬 귀환
3병렬-직렬 귀환
4병렬-병렬 귀환
문제 47
이상적인 연산증폭기의 특성으로 틀린 것은?
1전압이득이 무한대이다.
2대역폭이 무한대이다.
3입력 임피던스가 0 이다.
4출력 임피던스가 0 이다.
문제 48
다음 RC회로에 압력 Vi가 공급될 때 출력 Vo로 가장 적절한 것은?
1
2
3
4
문제 49
다음 회로에서 Ri = 1kohm 이고, Rf = 4kohm 일 때, 전압이득 
는?
는?11/5
21/4
35
44
문제 50
A급 증폭기에 대한 설명 중 틀린 것은?
1충실도가 좋다.
2효율은 50% 이하이다.
3차단(cut off) 영역 부근에서 동작한다.
4평균 전력손실이 B급이나 C급에 비해 크다.
문제 51
사이리스터(thyristor)의 구조에 대한 설명으로 가장 옳은 것은 무엇인가?
11개의 pn접합구조를 가진다.
22개의 pn접합구조를 가진다.
33개의 pn접합구조를 가진다.
44개의 pn접합구조를 가진다.
문제 52
트랜지스터에 관한 설명 중 옳은 것은?
1β값은 온도에 따라 변하지 않는다.
2트랜지스터에 최대 정격전력(PD(max))은 낮은 온도에서 증가한다.
3최대 정격전력은 컬렉터 이미터 전압의 최대값(VCE(max))과 최대 컬렉터 전류(IC(max))의 곱이다.
4최대 정격전력은 트랜지스터가 견딜 수 잇는 최대전력이므로 상온보다 높은 온도에서 규정된다.
문제 53
변조도가 60%인 AM에서 반송파의 평균출력이 500mW 일 때, 피변조파의 평균 출력은?
1180mW
2354mW
3420mW
4590mW
문제 54
PN접합 다이오드가 순방향 바이어스될 때, 전류는?
1전류는 정공전류뿐이다.
2전류는 전자전류뿐이다.
3전류가 흐르지 않는다.
4전류는 전자와 정공에 의해서 만들어진다.
문제 55
다음 회로의 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드이다.)
1구형파
2여현파
3삼각파
4톱니파
문제 56
반송파 전력이 40kW 일 때 75%로 진폭 변조하고 SSB 방식으로 송신하고자 할 때 측파대의 전력은 약 얼마인가?
15.6 kW
28.1 kW
323 kW
431 kW
문제 57
적분회로로 사용이 가능한 회로는?
1고역통과 RC 회로
2대역통과 RC 회로
3대역소거 RC 회로
4저역통과 RC 회로
문제 58
증폭기에서 주파수 대역폭을 반으로 줄이면 전압이득은 어떻게 되는가?
11/4로 감소
21/2로 감소
32배로 증가
44배로 증가
문제 59
트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2μA에서 239.2μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
11.2
22.2
34.2
46.3
문제 60
다음 회로에서 베이스 전류 IB는 얼마인가? (단, β=99, VBE=0.7V, VCC=20V, VBB=10.7V 이다.)
110 μA
250 μA
3100 μA
4500 μA
문제 61
이미터 플로어(emitter follower)에 달링턴 접속을 하는 주된 이유는?
1입력 저항을 높이기 위해서
2전류 이득을 낮추기 위해서
3전압 이득을 높이기 위해서
4출력 저항을 높이기 위해서
문제 62
전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는 어떠한가?
1직선운동상태
2원운동상태
3정지상태
4나선운동상태
문제 63
페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
1고체 내의 전자는 pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
2전자는 페르미 준위 이상의 에너지 대역에만 존재한다.
3분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.
문제 64
실리콘 PN 접합에서 단면적이 0.1mm2, 공간전하 영역 폭이 2×10-4cm 일 때 공간전하 용량은 얼마인가? (단, Si의 비유전율은 12, εo = 8.85×10-12F/m)
15.31 pF
253.1 μF
30.531 μF
45.31 μF
문제 65
진성 반도체에서 전자나 전공의 농도가 같다고 할 때, 전도대의 준위를 0.4eV, 가전자대의 준위가 0.8eV일 때, Fermi 준위는 몇 eV인가?
10.32
20.6
31.2
41.44
문제 66
주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?
12
28
318
432
문제 67
다음 중 BJT의 형태에 속하는 것은?
1NPN 형
2DIAC 형
3CMOS 형
4TRIAC 형
문제 68
Fermi 준위에서의 Fermi-Dirac의 확률 분포함수 f(E)의 값은?
11/3
21/2
31
42
문제 69
1쿨롱(Coulomb)의 전하량은 몇 개의 전자가 필요한가? (단, e = 1.602×10-19C)
16.24×1014
26.24×1016
36.24×1018
46.24×1020
문제 70
음전하를 금속표면 근처에 가져오면 양전하가 금속에 유기되고, 이것으로 인한 영상력(image force)이 인가전계와 결합되면 일함수는 약간 감소하는데, 이와 같이 전위장벽이 저하하는 현상은?
1Zener 효과
2Piezo 효과
3Schottky 효과
4Webster 효과
문제 71
접합형 다이오드가 점접촉 다이오드보다 우수한 점으로 틀린 것은?
1잡음이 적다.
2전류 용량이 크다.
3충격에 강하다.
4주파수 특성이 좋다.
문제 72
PN 접합 다이오드에 역방향 바이어스를 인가하였을 때 일어나는 현상이 아닌 것은?
1공간 전하 영역 폭이 넓어진다.
2전위장벽이 높아진다.
3항복전압 이상을 인가해주면 소자가 파괴될 수 있다.
4이온화가 감소한다.
문제 73
어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀린 것은?
1그 물질을 압축시킨다.
2그 물질에 빛을 조사한다.
3그 물질에 전자를 충돌시킨다.
4그 물질에 열을 가한다.
문제 74
온도가 상승함에 따라 불순물 반도체의 Fermi 준위는?
1전도대 쪽으로 접근한다.
2가전자대 쪽으로 접근한다.
3금지대 중앙으로 접근한다.
4변함없다.
문제 75
실리콘다이오드가 20℃일 때 역포화 전류가 2nA라면, 100℃일 때 흐르는 역포화 전류는 몇 nA인가?
1228
2256
3362
4512
문제 76
300eV로 가속된 전자가 0.01Wb/m2 인 균등한 자계 중에 자계의 방향가 60°의 각도를 이루며 사출되었을 때 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e = 1.602×10-19(C), 전자의 질량 m = 9.106×10-31(kg)이다.)
1약 5.84×10-3m
2약 5.84×10-2m
3약 2.92×10-2m
4약 2.92×10-3m
문제 77
외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치는?
1전도대 바로 아래에 위치해 있다.
2가전자대 바로 아래에 위치해 있다.
3금지대 바로 아래에 위치해 있다.
4전도대 중앙에 위치해 있다.
문제 78
초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
1물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.
2저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.
3저온에서는 격자진동이 저하되어 결국 저항이 0으로 된다.
4전자의 이동도 μ가 전계 강도 E의 평방근에 비례한다.
문제 79
다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1확산계수와는 무관하다.
2캐리어의 이동도에만 관계있다.
3캐리어의 수명시간에만 관계있다.
4캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.
문제 80
MOSFET 와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체 소자는?
1IGBT
2SCR
3TRIAC
4GTO
문제 81
10진수 0.4375를 2진수로 변환한 것은?
1(0.1011)2
2(0.1101)2
3(0.1110)2
4(0.0111)2
문제 82
C 언어의 특징 중 틀린 것은?
1C언어 자체에는 입·출력 기능을 제공하는 함수가 있다.
2C는 포인터의 주소를 계산할 수 있다.
3객체지향 언어이다.
4데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다.
문제 83
중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?
1기억기능 : 레지스터(register)
2연산기능 : 연산기(ALU)
3전달기능 : 누산기(Accumulator)
4제어기능 : 조합회로와 기억소자
문제 84
명령어의 오퍼랜드를 연산 자료의 주소로 이용하는 주소지정 방식은?
1Relative address
2Indexed address
3Indirect address
4Direct address
문제 85
0-주소 명령어 형식이 사용될 수 잇는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?
1단일 누산기 구조
2이중 누산기 구조
3범용 레지스터 구조
4스택 구조
문제 86
다음 중 파일 시스템의 명칭이 아닌 것은?
1FAT32
2NTFS
3ISO 9660
4SCSI
문제 87
다음 중 휘발성(volatile) 메모리는?
1DRAM
2FRAM
3PROM
4EPROM
문제 88
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
1인코더
2디코더
3디멀티플렉서
4멀티플렉서
문제 89
다음 덧셈 명령 중 2-주소(address) 명령 형식에 해당하는 것은?
1ADD R1, R2, R3
2ADD R1, R2
3ADD R1
4ADD
문제 90
다음 중 값이 다른 것은?
12진수 101111
28진수 57
310진수 48
416진수 2F
문제 91
10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
11001
20100
31100
41011
문제 92
입·출력장치에서의 자료처리 방법에 대한 설명으로 틀린 것은?
1DMA방식은 입·출력장치가 CPU를 거치지 않고 직접 메모리에 연결하여 필요한 정보를 서비스 받는 방식이다.
2인터럽트 입·출력 방식은 CPU가 입·출력상태를 항상 선별하여 정보전송을 하는 방식이다.
3프로그램 입·출력 방식은 입·출력장치의 자료 대기시간이 전체 시스템의 효율을 저하시킴으로 빠른 자료전송을 요구하는 경우에는 사용이 어렵다.
4입·출력 장치가 DMA를 요구하면 CPU가 주메모리의 제어를 넘겨주게 된다.
문제 93
JK 플립플롭에서 J=1, K=1일 때 현재출력 Qt+1은? (단, Qt는 이전상태, 
는 이전상태 토글이다.)
는 이전상태 토글이다.)1Qt
2
31
40
문제 94
목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?
1Compiler
2Assembler
3Interpreter
4Micro-assembler
문제 95
프로그램 카운터로부터 다음에 실행할 명령의 주소를 읽어서 명령어를 메모리로부터 꺼내오는 명령 사이클은?
1Fetch cycle
2Execution cycle
3Indirect cycle
4Interrupt cycle
문제 96
부동 소수점(floating point) 표현방식에서 정규화하는 이유로 가장 적절한 것은?
1숫자를 지수형으로 표시하기 위해서
2유효숫자를 크게 하기 위해서
3소수점을 없애기 위해서
4정밀도를 낮추기 위해서
문제 97
다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?
110
212
314
416
문제 98
CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?
1IR
2PC
3MBR
4AC
문제 99
다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸 것인가?
1STA 명령
2AND 명령
3LDA 명령
4JMP 명령
문제 100
다음과 같은 명령이 순차적으로 주어졌을 때 결과 값은?
12
24
35
46
문제 1
서로 같은 2개의 구 도체에 동일양의 전하로 대전시킨 후 20cm 떨어뜨린 결과 구 도체에 서로 8.6×10-4N의 반발력이 작용하였다. 구 도체에 주어진 전하는 약 몇 C인가?
15.2×10-8
26.2×10-8
37.2×10-8
48.2×10-8
문제 2
반지름이 3cm인 원형 단면을 가지고 있는 환상 연철심에 코일을 감고 여기에 전류를 흘려서 철심 중의 자계 세기가 400AT/m가 되도록 여자할 때, 철심 중의 자속 밀도는 약 몇 Wb/m2 인가? (단, 철심의 비투자율은 400이라고 한다.)
10.2
20.8
31.6
42.0
문제 3
변위전류와 관계가 가장 깊은 것은?
1도체
2반도체
3자성체
4유전체
문제 4
유전율이 ε1, ε2인 유전체 경계면에 수직으로 전계가 작용할 때 단위 면적당 수직으로 작용하는 힘(N/m2)은? (단, E는 전계(V/m)이고, D는 전속밀도(C/m2)이다.)
1
2
3
4
문제 5
임의의 형상의 도선에 전류 I(A)가 흐를 때, 거리 r(m)만큼 떨어진 점에서의 자계의 세기 H(AT/m)를 구하는 비오-사바르의 법칙에서, 자계의 세기 H(AT/m)와 거리 r(m)의 관계로 옳은 것은?
1r에 반비례
2r에 비례
3r2에 반비례
4r2에 비례
문제 6
진공 중에서 2m 떨어진 두 개의 무한 평행도선에 단위 길이 당 10-7N의 반발력이 작용할 때 각 도선에 흐르는 전류의 크기와 방향은? (단, 각 도선에 흐르는 전류의 크기는 같다.)
1각 도선에 2A가 반대 방향으로 흐른다.
2각 도선에 2A가 같은 방향으로 흐른다.
3각 도선에 1A가 반대 방향으로 흐른다.
4각 도선에 1A가 같은 방향으로 흐른다.
문제 7
다음 정전계에 관한 식 중에서 틀린 것은? (단, D는 전속밀도, V는 전위, ρ는 공간(체적)전하밀도, ε은 유전율이다.)
1가우스의 정리 : div D = ρ
2포아송의 방정식 :
3라플라스의 방정식 : ∇2V = 0
4발산의 정리 :
문제 8
영구자석 재료로 사용하기에 적합한 특성은?
1잔류자기와 보자력이 모두 큰 것이 적합하다.
2잔류자기는 크고 보자력은 작은 것이 적합하다.
3잔류자기는 작고 보자력은 큰 것이 적합하다.
4잔류자기와 보자력이 모두 작은 것이 적합하다.
문제 9
자기 인덕턴스(self inductance) L(H)을 나타낸 식은? (단, N은 권선수, I는 전류(A), ø는 자속(Wb), B는 자속밀도(Wb/m2), H는 자계의 세기(AT/m), A는 벡터 퍼텐셜(Wb/m), J는 전류밀도(A/m2)이다.)
1
2
3
4
문제 10
환상 솔레노이드 철심 내부에서 자계의 세기(AT/m)는? (단, N은 코일 권선수, r은 환상 철심의 평균 반지름, I는 코일에 흐르는 전류이다.)
1
2
3
4
문제 11
질량(m)이 10-10 kg 이고, 전하량(Q)이 10-8C인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 가속도가 a = 102i + 102j (m/s2)일 때 전기장의 세기 E(V/m)는?
1E = 104i + 105j
2E = i + 10j
3E = i + j
4E = 10-6i + 10-4j
문제 12
반지름이 a(m), b(m)인 두 개의 구 형상 도체 전극이 도전율 k인 매질 속에 거리 r(m) 만큼 떨어져 있다. 양 전극 간의 저항(Ω)은? (단, r》a, r》b 이다.)
1
2
3
4
문제 13
저항의 크기가 1Ω인 전선이 있다. 전선의 체적을 동일하게 유지하면서 길이를 2배로 늘였을 때 전선의 저항(Ω)은?
10.5
21
32
44
문제 14
내부 원통의 반지름이 a, 외부 원통의 반지름이 b인 동축 원통 콘덴서의 내외 원통 사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 C1이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 증가시키고 공기 대신 비유전율이 3인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량 C2는?
1C2 = C1/9
2C2 = C1/3
3C2 = 3C1
4C2 = 9C1
문제 15
정전계 내 도체 표면에서 전계의 세기가 (V/m)일 때 도체 표면상의 전하 밀도 ρs(C/m2)를 구하면? (단, 자유공간이다.)
(V/m)일 때 도체 표면상의 전하 밀도 ρs(C/m2)를 구하면? (단, 자유공간이다.)11
22
33
45
문제 16
전류 I가 흐르는 무한 직선 도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점에서 자계의 세기가 180 AT/m이다. 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점에서 자계의 세기(AT/m)는?
120
260
3180
4540
문제 17
자속밀도가 10Wb/m2인 자계 내에 길이 4cm의 도체를 자계와 직각으로 놓고 이 도체를 0.4초 동안 1m씩 균일하게 이동하였을 때 발생하는 기전력은 몇 V 인가?
11
22
33
44
문제 18
길이가 l(m), 단면적의 반지름이 a(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우, 원통 양단에서의 자극의 세기 m(Wb)은?
1alJ
22πalJ
3πa2J
4J/πa2
문제 19
자기회로와 전기회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
1자기저항의 역수를 컨덕턴스라 한다.
2자기회로의 투자율은 전기회로의 도전율에 대응된다.
3전기회로의 전류는 자기회로의 자속에 대응된다.
4자기저항의 단위는 AT/Wb이다.
문제 20
진공 중에서 전자파의 전파속도(m/s)는?
1
2
3
4
문제 21
다음 회로의 스위치 k를 t = 0s에 닫았을 때 초기 전류 i(0+)는 몇 A 인가? (단, 모든 초기 값은 0 이다.)
11.2
22
33
43.2
문제 22
다음 회로가 정저항 회로가 되려면 L은 몇 H인가? (단, R = 20Ω. C = 200㎌)
10.08
20.8
31
410
문제 23
내부 임피던스 Zg = 0.2+j2(Ω)인 발전기에 임피던스 Zl = 2.0+j3(Ω)인 선로를 연결하여 부하에 전력을 공급할 때 부하에 최대 전력이 전송되기 위한 부하 임피던스는 몇 Ω 인가?
11.8 + j
21.8 - j
32.2 + j5
42.2 – j5
문제 24
그림의 회로에서 입·출력 간의 4단자 정수(A, B, C, D 파라미터) 중 틀린 것은?
1A = nA1
2B = nB1
3C = C1/n
4D = nD1
문제 25
그림 (a)의 회로를 그림 (b)와 같은 테브닌 등가회로로 변경했을 때, 테브닌 등가전압 Vth(V)와 테브닌 등가저항 Rth(Ω)는 각각 약 얼마인가?
1Vth = 3.33 V, Rth = 4.33 Ω
2Vth = 3.33 V, Rth = 9 Ω
3Vth = 10 V, Rth = 4.33 Ω
4Vth = 10 V, Rth = 9 Ω
문제 26
v(t) = 100sinωt(V)이고, (A)에 대한 평균전력(W)은?
(A)에 대한 평균전력(W)은?125
250
375
4125
문제 27
RLC가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
1
2
3
4
문제 28
의 라플라스 역변환은?1eat sinωt
2e-at sinωt
3eat cosωt
4e-at cosωt
문제 29
다음 중 4단자 회로망에서 가역정리가 성립되는 조건이 아닌 것은? (단, Z12, Z21은 각각 입력과 출력 개방 전달 임피던스이고, Y12, Y21는 각각 입력과 출력 단락 전달 어드미턴스이고, h12, h21는 각각 입력 개방 전압 이득과 출력 단락 전류 이득이고, A, B, C, D는 각각 출력 개방 전압 이득, 출력 단락 전달 임피던스, 출력 개방 전달 어드미턴스, 출력 단락 전류 이득이다.)
1Z12 = Z21
2Y12 = Y21
3h12 = h21
4AD – BC = 1
문제 30
그림의 T형 회로에서 4단자 정수 중 A는?
1j5
210 - j5
31 - j
4
문제 31
f(t) = sinωt + 2cosωt의 라플라스 변환은?
1
2
3
4
문제 32
기본파의 10%인 제3고조파와 20%인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
10.22
20.31
30.42
40.5
문제 33
인덕턴스 L과 커패시턴스 C가 병렬로 구성된 2단자 회로망에서 리액턴스 함수가 으로 표현된다. 2단자망의 인덕턴스 L(H)과 커패시턴스 C(F)는?
으로 표현된다. 2단자망의 인덕턴스 L(H)과 커패시턴스 C(F)는?1L = 1/3, C= 1
2L = 1, C= 1/3
3L = 3, C= 1
4L = 1, C= 3
문제 34
그림의 정편하 v(t) = Vsin(ωt+ø)의 주기 T(s)는?
12πω
22πf
3ω/2π
42π/ω
문제 35
그림과 같은 4단자 회로망에서 영상 임피던스 Z01은 몇 Ω 인가?
12
23
34
45
문제 36
무효전력이 Q(var)일 때 역률이 0.8이라면 피상전력(VA)은?
10.6Ω
20.8Ω
3Q/0.6
4Q/0.8
문제 37
다음 보기에서 서로 쌍대가 되는 묶음으로 나열한 것은?
1㉠ - ㉢, ㉡ - ㉤, ㉣ - ㉥
2㉠ - ㉡, ㉢ - ㉥, ㉣ - ㉤
3㉠ - ㉡, ㉢ - ㉤, ㉣ - ㉥
4㉠ - ㉢, ㉣ - ㉤, ㉡ - ㉥
문제 38
어떤 선형시스템의 전달함수가 일 때, 이 시스템의 단위계단 응답(unit-step response)은?
일 때, 이 시스템의 단위계단 응답(unit-step response)은?1
2
3
4
문제 39
RL 직렬회로의 과도응답에서 시정수(s)는?
1L
2R
3L/R
4R/L
문제 40
자기 인덕턴스가 각각 10H, 5H인 두 코일을 직렬로 연결하고 인덕턴스를 측정하였을 때 20H라고 하면, 두 코일 간의 상호 인덕턴스 M은 몇 H 인가?
12.5
23
33.5
45
문제 41
공통 소스 증폭기의 출력 전압에 대한 설명으로 가장 적절한 것은?
1입력 전압과 180°의 위상차가 있다.
2소스에서 입력하여 드레인에서 출력을 얻는다.
3드레인에서 입력하여 소스에서 출력을 얻는다.
4게이트에서 입력하여 소스에서 출력을 얻는다.
문제 42
다음과 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터에서 A급으로 작동할 때 VCE=5V 에 대한 근사적인 β값은?
110
225
350
4100
문제 43
다음 회로의 입력에 구형파를 인가할 때 출력의 최대 양전압의 크기는? (단, 다이오드 순방향 전압강하는 0.7V 이다.)
15.63V
26.35V
34.97V
46.70V
문제 44
다음 회로에서 고주파 차단주파수에 영향을 주는 커패시터로 옳은 것은?
1C1
2C2
3C3
4CF
문제 45
RLC 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하는 방법으로 옳은 것은?
1R 값을 크게 한다.
2C 값을 작게 한다.
3L 값을 크게 한다.
4RLC에 영향이 없다.
문제 46
다음 중 연산증폭기를 이용한 비반전 증폭기는 어떤 귀환(feedback)으로 동작하는가? (단, 입력접속방식-출력접속방식이다.)
1직렬-직렬 귀환
2직렬-병렬 귀환
3병렬-직렬 귀환
4병렬-병렬 귀환
문제 47
이상적인 연산증폭기의 특성으로 틀린 것은?
1전압이득이 무한대이다.
2대역폭이 무한대이다.
3입력 임피던스가 0 이다.
4출력 임피던스가 0 이다.
문제 48
다음 RC회로에 압력 Vi가 공급될 때 출력 Vo로 가장 적절한 것은?
1
2
3
4
문제 49
다음 회로에서 Ri = 1kohm 이고, Rf = 4kohm 일 때, 전압이득 는?
는?11/5
21/4
35
44
문제 50
A급 증폭기에 대한 설명 중 틀린 것은?
1충실도가 좋다.
2효율은 50% 이하이다.
3차단(cut off) 영역 부근에서 동작한다.
4평균 전력손실이 B급이나 C급에 비해 크다.
문제 51
사이리스터(thyristor)의 구조에 대한 설명으로 가장 옳은 것은 무엇인가?
11개의 pn접합구조를 가진다.
22개의 pn접합구조를 가진다.
33개의 pn접합구조를 가진다.
44개의 pn접합구조를 가진다.
문제 52
트랜지스터에 관한 설명 중 옳은 것은?
1β값은 온도에 따라 변하지 않는다.
2트랜지스터에 최대 정격전력(PD(max))은 낮은 온도에서 증가한다.
3최대 정격전력은 컬렉터 이미터 전압의 최대값(VCE(max))과 최대 컬렉터 전류(IC(max))의 곱이다.
4최대 정격전력은 트랜지스터가 견딜 수 잇는 최대전력이므로 상온보다 높은 온도에서 규정된다.
문제 53
변조도가 60%인 AM에서 반송파의 평균출력이 500mW 일 때, 피변조파의 평균 출력은?
1180mW
2354mW
3420mW
4590mW
문제 54
PN접합 다이오드가 순방향 바이어스될 때, 전류는?
1전류는 정공전류뿐이다.
2전류는 전자전류뿐이다.
3전류가 흐르지 않는다.
4전류는 전자와 정공에 의해서 만들어진다.
문제 55
다음 회로의 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드이다.)
1구형파
2여현파
3삼각파
4톱니파
문제 56
반송파 전력이 40kW 일 때 75%로 진폭 변조하고 SSB 방식으로 송신하고자 할 때 측파대의 전력은 약 얼마인가?
15.6 kW
28.1 kW
323 kW
431 kW
문제 57
적분회로로 사용이 가능한 회로는?
1고역통과 RC 회로
2대역통과 RC 회로
3대역소거 RC 회로
4저역통과 RC 회로
문제 58
증폭기에서 주파수 대역폭을 반으로 줄이면 전압이득은 어떻게 되는가?
11/4로 감소
21/2로 감소
32배로 증가
44배로 증가
문제 59
트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2μA에서 239.2μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
11.2
22.2
34.2
46.3
문제 60
다음 회로에서 베이스 전류 IB는 얼마인가? (단, β=99, VBE=0.7V, VCC=20V, VBB=10.7V 이다.)
110 μA
250 μA
3100 μA
4500 μA
문제 61
이미터 플로어(emitter follower)에 달링턴 접속을 하는 주된 이유는?
1입력 저항을 높이기 위해서
2전류 이득을 낮추기 위해서
3전압 이득을 높이기 위해서
4출력 저항을 높이기 위해서
문제 62
전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는 어떠한가?
1직선운동상태
2원운동상태
3정지상태
4나선운동상태
문제 63
페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
1고체 내의 전자는 pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
2전자는 페르미 준위 이상의 에너지 대역에만 존재한다.
3분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.
문제 64
실리콘 PN 접합에서 단면적이 0.1mm2, 공간전하 영역 폭이 2×10-4cm 일 때 공간전하 용량은 얼마인가? (단, Si의 비유전율은 12, εo = 8.85×10-12F/m)
15.31 pF
253.1 μF
30.531 μF
45.31 μF
문제 65
진성 반도체에서 전자나 전공의 농도가 같다고 할 때, 전도대의 준위를 0.4eV, 가전자대의 준위가 0.8eV일 때, Fermi 준위는 몇 eV인가?
10.32
20.6
31.2
41.44
문제 66
주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?
12
28
318
432
문제 67
다음 중 BJT의 형태에 속하는 것은?
1NPN 형
2DIAC 형
3CMOS 형
4TRIAC 형
문제 68
Fermi 준위에서의 Fermi-Dirac의 확률 분포함수 f(E)의 값은?
11/3
21/2
31
42
문제 69
1쿨롱(Coulomb)의 전하량은 몇 개의 전자가 필요한가? (단, e = 1.602×10-19C)
16.24×1014
26.24×1016
36.24×1018
46.24×1020
문제 70
음전하를 금속표면 근처에 가져오면 양전하가 금속에 유기되고, 이것으로 인한 영상력(image force)이 인가전계와 결합되면 일함수는 약간 감소하는데, 이와 같이 전위장벽이 저하하는 현상은?
1Zener 효과
2Piezo 효과
3Schottky 효과
4Webster 효과
문제 71
접합형 다이오드가 점접촉 다이오드보다 우수한 점으로 틀린 것은?
1잡음이 적다.
2전류 용량이 크다.
3충격에 강하다.
4주파수 특성이 좋다.
문제 72
PN 접합 다이오드에 역방향 바이어스를 인가하였을 때 일어나는 현상이 아닌 것은?
1공간 전하 영역 폭이 넓어진다.
2전위장벽이 높아진다.
3항복전압 이상을 인가해주면 소자가 파괴될 수 있다.
4이온화가 감소한다.
문제 73
어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀린 것은?
1그 물질을 압축시킨다.
2그 물질에 빛을 조사한다.
3그 물질에 전자를 충돌시킨다.
4그 물질에 열을 가한다.
문제 74
온도가 상승함에 따라 불순물 반도체의 Fermi 준위는?
1전도대 쪽으로 접근한다.
2가전자대 쪽으로 접근한다.
3금지대 중앙으로 접근한다.
4변함없다.
문제 75
실리콘다이오드가 20℃일 때 역포화 전류가 2nA라면, 100℃일 때 흐르는 역포화 전류는 몇 nA인가?
1228
2256
3362
4512
문제 76
300eV로 가속된 전자가 0.01Wb/m2 인 균등한 자계 중에 자계의 방향가 60°의 각도를 이루며 사출되었을 때 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e = 1.602×10-19(C), 전자의 질량 m = 9.106×10-31(kg)이다.)
1약 5.84×10-3m
2약 5.84×10-2m
3약 2.92×10-2m
4약 2.92×10-3m
문제 77
외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치는?
1전도대 바로 아래에 위치해 있다.
2가전자대 바로 아래에 위치해 있다.
3금지대 바로 아래에 위치해 있다.
4전도대 중앙에 위치해 있다.
문제 78
초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
1물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.
2저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.
3저온에서는 격자진동이 저하되어 결국 저항이 0으로 된다.
4전자의 이동도 μ가 전계 강도 E의 평방근에 비례한다.
문제 79
다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1확산계수와는 무관하다.
2캐리어의 이동도에만 관계있다.
3캐리어의 수명시간에만 관계있다.
4캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.
문제 80
MOSFET 와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체 소자는?
1IGBT
2SCR
3TRIAC
4GTO
문제 81
10진수 0.4375를 2진수로 변환한 것은?
1(0.1011)2
2(0.1101)2
3(0.1110)2
4(0.0111)2
문제 82
C 언어의 특징 중 틀린 것은?
1C언어 자체에는 입·출력 기능을 제공하는 함수가 있다.
2C는 포인터의 주소를 계산할 수 있다.
3객체지향 언어이다.
4데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다.
문제 83
중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?
1기억기능 : 레지스터(register)
2연산기능 : 연산기(ALU)
3전달기능 : 누산기(Accumulator)
4제어기능 : 조합회로와 기억소자
문제 84
명령어의 오퍼랜드를 연산 자료의 주소로 이용하는 주소지정 방식은?
1Relative address
2Indexed address
3Indirect address
4Direct address
문제 85
0-주소 명령어 형식이 사용될 수 잇는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?
1단일 누산기 구조
2이중 누산기 구조
3범용 레지스터 구조
4스택 구조
문제 86
다음 중 파일 시스템의 명칭이 아닌 것은?
1FAT32
2NTFS
3ISO 9660
4SCSI
문제 87
다음 중 휘발성(volatile) 메모리는?
1DRAM
2FRAM
3PROM
4EPROM
문제 88
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
1인코더
2디코더
3디멀티플렉서
4멀티플렉서
문제 89
다음 덧셈 명령 중 2-주소(address) 명령 형식에 해당하는 것은?
1ADD R1, R2, R3
2ADD R1, R2
3ADD R1
4ADD
문제 90
다음 중 값이 다른 것은?
12진수 101111
28진수 57
310진수 48
416진수 2F
문제 91
10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
11001
20100
31100
41011
문제 92
입·출력장치에서의 자료처리 방법에 대한 설명으로 틀린 것은?
1DMA방식은 입·출력장치가 CPU를 거치지 않고 직접 메모리에 연결하여 필요한 정보를 서비스 받는 방식이다.
2인터럽트 입·출력 방식은 CPU가 입·출력상태를 항상 선별하여 정보전송을 하는 방식이다.
3프로그램 입·출력 방식은 입·출력장치의 자료 대기시간이 전체 시스템의 효율을 저하시킴으로 빠른 자료전송을 요구하는 경우에는 사용이 어렵다.
4입·출력 장치가 DMA를 요구하면 CPU가 주메모리의 제어를 넘겨주게 된다.
문제 93
JK 플립플롭에서 J=1, K=1일 때 현재출력 Qt+1은? (단, Qt는 이전상태, 는 이전상태 토글이다.)
는 이전상태 토글이다.)1Qt
2
31
40
문제 94
목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?
1Compiler
2Assembler
3Interpreter
4Micro-assembler
문제 95
프로그램 카운터로부터 다음에 실행할 명령의 주소를 읽어서 명령어를 메모리로부터 꺼내오는 명령 사이클은?
1Fetch cycle
2Execution cycle
3Indirect cycle
4Interrupt cycle
문제 96
부동 소수점(floating point) 표현방식에서 정규화하는 이유로 가장 적절한 것은?
1숫자를 지수형으로 표시하기 위해서
2유효숫자를 크게 하기 위해서
3소수점을 없애기 위해서
4정밀도를 낮추기 위해서
문제 97
다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?
110
212
314
416
문제 98
CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?
1IR
2PC
3MBR
4AC
문제 99
다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸 것인가?
1STA 명령
2AND 명령
3LDA 명령
4JMP 명령
문제 100
다음과 같은 명령이 순차적으로 주어졌을 때 결과 값은?
12
24
35
46