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[전자기사 필기] 22년 1회차
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문제 1
진공 중 반지름이 a(m)인 무한길이의 원통 도체 2개가 간격 d(m)로 평행하게 배치되어 있다. 두 도체 사이의 정전용량(C)을 나타낸 것으로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 2
진공 중 한 변의 길이가 0.1m인 정삼각형의 3정점 A, B, C에 각각 2.0×10-6C의 점전하가 있을 때, 점 A의 전하에 작용하는 힘은 몇 N 인가?
11.8√2
21.8√3
33.6√2
43.6√3
문제 3
진공 내 전위함수가 V = x2 + y2(V)로 주어졌을 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 공간에 저장되는 정전에너지(J)는?
1
2
3
4
문제 4
자극의 세기가 7.4×10-5Wb, 길이가 10cm인 막대자석이 100AT/m의 평등자계 내에 자계의 방향과 30°로 놓여 있을 때 이 자석에 작용하는 회전력(N·m)은?
12.5×10-3
23.7×10-4
35.3×10-5
46.2×10-6
문제 5
공기 중에서 1V/m의 전계의 세기에 의한 변위전류밀도의 크기를 2A/m2으로 흐르게 하려면 전계의 주파수는 몇 MHz 가 되어야 하는가?
19000
218000
336000
472000
문제 6
반지름이 a(m)인 접지된 구도체와 구도체의 중심에서 거리 d(m) 떨어진 곳에 점전하게 존재할 때, 점전하에 의한 접지된 구도체에서의 영상전하에 대한 설명으로 틀린 것은?
1영상전하는 구도체 내부에 존재한다.
2영상전하는 점전하와 구도체 중심을 이은 직선상에 존재한다.
3영상전하의 전하량과 점전하의 전하량은 크기는 같고 부호는 반대이다.
4영상전하의 위치는 구도체의 중심과 점전하 사이 거리(d(m))와 구도체의 반지름(a(m))에 의해 결정된다.
문제 7
투자율이 μ(H/m), 자계의 세기가 H(AT/m), 자속밀도가 B(Wb/m2)인 곳에서의 자계 에너지 밀도(J/m3)는?
1
2
3
4
문제 8
z축 상에 놓인 길이가 긴 직선 도체에 10A의 전류가 +z 방향으로 흐르고 있다. 이 도체의 주위의 자속밀도가 Wb/m2 일 때 도체가 받는 단위 길이당 힘(N/m)은? (단, 는 단위벡터이다.)
1
2
3
4
문제 9
평행 극판 사이의 간격이 d(m)이고 정전용량이 0.3μF인 공기 커패시터가 있다. 그림과 같이 두 극판 사이에 비유전율이 5인 유전체를 절반 두께 만큼 넣었을 때 이 커패시터의 정전용량은 몇 μF 이 되는가?
10.01
20.05
30.1
40.5
문제 10
평등 전계 중에 유전체 구에 의한 전계 분포가 그림과 같이 되었을 때 ε1과 ε2의 크기 관계는?
1ε1 ＞ ε2
2ε1 ＜ ε2
3ε1 = ε2
4무관하다.
문제 11
진공 중에 4m 간격으로 평행한 두 개의 무한 평판 도체에 각각 +4 C/m2, -4 C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V 인가?
11.36×1011
21.36×1012
31.8×1011
41.8×1012
문제 12
내부 원통 도체의 반지름이 a(m), 외부 원통 도체의 반지름이 b(m)인 동축 원통 도체에서 내외 도체 간 물질의 도전율이 σ(℧/m)일 때 내외 도체 간의 단위 길이당 컨덕턴스(℧/m)는?
1
2
3
4
문제 13
어떤 도체에 교류 전류가 흐를 때 도체에서 나타나는 표피 효과에 대한 설명으로 틀린 것은?
1도체 중심부보다 도체 표면부에 더 많은 전류가 흐르는 것을 표피 효과라 한다.
2전류의 주파수가 높을수록 표피 효과는 작아진다.
3도체의 도전율이 클수록 표피 효과는 커진다.
4도체의 투자율이 클수록 표피 효과는 커진다.
문제 14
진공 중에 4m의 간격으로 놓여진 평행 도선에 같은 크기의 왕복 전류가 흐를 때 단위 길이당 2.0×10-7N의 힘이 작용하였다. 이때 평행 도선에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
11
22
34
48
문제 15
인덕턴스(H)의 단위를 나타낸 것으로 틀린 것은?
1Ω·s
2Wb/A
3J/A2
4N/(A·m)
문제 16
유전율이 ε = 2ε0이고 투자율이 μ0인 비도선성 유전체에서 전자파의 전계의 세기가 V/m 일 때, 자계의 세기 H(A/m)는? (단, 는 단위벡터이다.)
1
2
3
4
문제 17
자기회로에서 전기회로의 도전율 σ(℧/m)에 대응되는 것은?
1자속
2기자력
3투자율
4자기저항
문제 18
단면적이 균일한 환상철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 NB회인 B 코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100mH이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20mH이고, 결합계수가 1일 때, B코일의 권수(NB)는 몇 회인가?
1100
2200
3300
4400
문제 19
전계가 유리에서 공기로 입사할 때 입사각 θ1과 굴절각 θ2의 관계와 유리에서의 전계 E1과 공기에서의 전계 E2의 관계는?
1θ1 ＞ θ2, E1 ＞ E2
2θ1 ＜ θ2, E1 ＞ E2
3θ1 ＞ θ2, E1 ＜ E2
4θ1 ＜ θ2, E1 ＜ E2
문제 20
면적이 0.02m2, 간격이 0.03m이고, 공기로 채워진 평행평판의 커패시터에 1.0×10-6C의 전하를 충전시킬 때, 두 판 사이에 작용하는 힘의 크기는 약 몇 N 인가?
11.13
21.41
31.89
42.83
문제 21
다음 임피던스 파라미터 중 출력 개방 전달 임피던스는?
1Z11
2Z12
3Z21
4Z22
문제 22
직류 전압원에 저항 R을 접속하였을 때 흐르는 전류를 30% 증가시키기 위해서는 저항값을 약 얼마로 변경시켜야 하는가?
10.3R
20.77R
3R
41.3R
문제 23
그림과 같은 페이저도(phasor diagram)가 있을 때, 등가 임피던스는?
120√2 - j20√2
220√2 + j20√2
340√2 + j40√2
440√2 – j40√2
문제 24
다음 회로에서 어드미턴스 파라미터 Y11은?
11/2 ℧
21/3 ℧
31/6 ℧
41/12 ℧
문제 25
어떤 회로의 피상전력이 20kVA이고 유효전력이 15kW 일 때 이 회로의 역률은?
10.9
20.75
30.6
40.45
문제 26
다음과 같이 두 개의 저항이 직렬로 연결되어 있는 회로에서 각 저항의 전압과의 관계식으로 옳은 것은?
1V1V2 = R1R2
2V1V2 = (R1R2)2
3V1R1 = V2R2
4V1R2 = V2R1
문제 27
일 때 f(t)의 최종값은?
10
23
35
4∞
문제 28
다음 그림 (1)의 회로에서 i(t)의 파형이 그림 (2)와 같을대, 출력 v(t)를 라플라스 변환한 V(s)로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 29
다음 회로의 노튼 등가회로는?
1
2
3
4
문제 30
x(t) = te-atu(t) 의 Fourier 변환 X(ω)에서 ω = 0일 때의 값 X(0)은?
10
21
31/a2
42/a2
문제 31
그림의 회로에서 정현파 입력에 대한 정상상태 응답(steady state response) Vo(t)는?
1
2
3
4
문제 32
다음 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
1
2
3
4
문제 33
저항 R = 50Ω, 인덕턴스 L = 1mH, 커패시터 C = 10pF 인 RLC 직렬 공진회로의 양호도 Q는?
1100
2200
3300
4400
문제 34
다음과 같은 회로에서 VS = 80∠0° 일 때, 전체 전류 IT의 크기는 약 몇 A 인가?
18.5
29.4
310.3
411.2
문제 35
다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)
1
2
3
4
문제 36
다음 중 그림과 같은 이상 변압기의 방정식으로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 37
다음 회로의 필터 종류는?
1대역 저지 필터
2대역 통과 필터
3고대역 통과 필터
4저대역 통과 필터
문제 38
내부에 기전력 E1, E2, …, En을 포함하는 회로망A의 출력 단자 a-b 사이에서 바라본 테브닌 전압을 ET, 테브닌 임피던스를 ZT라고 할 때, 부하 Z에 흐르는 전류 I는?
1
2
3
4
문제 39
회로망 함수가 그림과 같이 2개 극점과 1개의 영점을 가질 때, 시간영역 f(t)로 옳은 것은?
1f(t) = e-αtcosωt
2f(t) = e-αtsinωt
3f(t) = tsinωt
4f(t) = tcosωt
문제 40
시정수 τ인 RL 직렬회로에 t = 0 에서 직류전압을 가하였을 때 t = 4τ에서의 회로전류는 정상치의 약 몇 % 인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
163%
286%
395%
498%
문제 41
다음 저역통과필터회로의 임계주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R=1kΩ, R2=10kΩ, C=20nF 이다.)
15.86
26.96
37.96
48.89
문제 42
RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
1고역특성이 좋지 않다.
2저역특성이 좋지 않다.
3중역과 고역특성이 모두 좋지 않다.
4저역과 고역특성이 모두 좋지 않다.
문제 43
이상적인 연산 증폭기의 특징 중 틀린 것은?
1입력저항이 ∞ 이다.
2출력저항이 0 이다.
3전압이득이 0 이다.
4주파수 대역폭이 ∞ 이다.
문제 44
다이오드 직선 검파회로에서 변조도 50%, 진폭 10√2 V 인 피변조파가 인가되었을 때, 부하저항에 나타나는 변조 신호파 출력전압은? (단, 검파 효율은 80% 이다.)
10.4 V
20.8 V
31.2 V
44 V
문제 45
그림(b)는 회로(a)에 대한 직류 및 교류 부하선을 나타낸 것이다. 회로(a)의 부하저항 RL의 값은 약 몇 kΩ 인가? (단, C1, C2는 교류적으로 단락이다.)
11
22
33
44
문제 46
두 입력단에 입력되는 신호의 절댓값이 큰 극성에 따라 출력이 나타나며, 부귀환이 없는 무한이득을 사용하는 회로는?
1비교기 회로
2위상 동기 루프 회로
3비안정 멀티바이브레이터 회로
4슈미트 트리거 회로
문제 47
다음과 같은 비안정 멀티바이브레이터의 출력(VO1, VO2) 발진주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R2=47kΩ, RC=560Ω, C1=C2=0.01μF 이다.)
11.1
21.5
375
423
문제 48
전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부귀환을 걸 때 전압 증폭도 Af = 40이 되었다. 이때 귀환율 β는?
10.0124
20.0248
30.0496
40.0992
문제 49
다음 Tunnel Diode의 전류 특성 곡선에서 발진이 일어날 수 있는 영역은?
1A 영역
2B 영역
3C 영역
4모든 영역에서 발생
문제 50
수정 발진회로의 특징 중 옳은 것은?
1AFC회로가 필요하다.
2주위 온도가 영향이 크다.
3주파수의 변경이 용이하다.
4발진 주파수의 안정도가 높다.
문제 51
BJT를 이용한 B급 증폭기의 최대 전력효율은 약 얼마인가?
123%
250%
379%
499%
문제 52
정류기에서 파형을 일정하게 유지하기 위해 사용되는 필터는?
1대역통과필터
2대역제거필터
3저역통과필터
4고역통과필터
문제 53
이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100μA이고, IB가 1mA일 때, 컬렉터 전류는 몇 mA 인가? (단, 트랜지스터의 α는 0.99 이다.)
1109
2120
3137
4154
문제 54
부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
1이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
2이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
3이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
4이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.
문제 55
다음 연산 증폭기로 구성한 계측 증폭기(instrumentation amplifier)의 출력 Vout은?
1
2
3
4
문제 56
임의의 입력파형이 규정된 기준 레벨에 이르는 순간을 검출할 수 있어서 전압비교 회로로 널리 사용되는 회로는?
1슈미트 트리거 회로
2비안전 멀티바이브레이터 회로
3블로킹 발진회로
4이상 발진회로
문제 57
커패시터형 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동률에 대한 설명 중 옳은 것은? (단, 부하 저항은 커패시터와 병렬구조이다.)
1부하 저항에서는 반비례하고, 커패시터에서는 비례한다.
2부하 저항에서는 비례하고, 커패시터에서는 반비례한다.
3부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 비례한다.
4부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 반비례한다.
문제 58
다음 회로에서 출력전압 Vout은? (단, R1=R2=R3=R4 이다.)
1Vout = V1 - V2
2Vout = V2 - V1
3Vout = 2(V1 - V2)
4Vout = 2(V2 - V1)
문제 59
다음 회로의 명칭은?
1Schmitt trigger
2Voltage doubler
3Multivibrator
4Miller sweep
문제 60
MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?
1드레인과 바디 사이
2게이트와 소스 사이
3게이트와 드레인 사이
4드레인과 소스 사이
문제 61
npn BJT의 각 단자의 도핑 농도를 높은 순서대로 나열한 것은?
1이미터＞컬렉터＞베이스
2컬렉터＞베이스＞이미터
3컬렉터＞이미터＞베이스
4이미터＞베이스＞컬렉터
문제 62
다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?
1다결정의 Ge 성장
2다결정의 Si 성장
3기판에 매우 얇은 단결정의 성장
4기판에 매우 얇은 다결정의 성장
문제 63
반도체에서 아인슈타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
1유효 질량
2캐리어 농도
3이동도
4내부 전압
문제 64
양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?
1Sommerfeld 분포 함수
2Fermi-Dirac 분포 함수
3Bose-Einstein 분포 함수
4Maxwell-Boltzmann 분포 함수
문제 65
평형상태의 트랜지스터에 대한 설명으로 틀린 것은?
1세 단자가 접속되지 않은 상태이다.
2페르미 준위는 이미터 쪽이 제일 높다.
3다수캐리어는 확산운동을 한다.
4소수캐리어는 표동운동을 한다.
문제 66
반도체 IC의 절연 방법(isolation) 중 pn접합에 의한 절연과 비교하여 산화막 절연의 특징이 아닌 것은?
1pn 접합에 의한 절연과 같은 역바이어스가 필요 없다.
2기생 용량을 감소시킬 수 있다.
3거의 완벽한 절연이다.
4제조공정이 간단하다.
문제 67
실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
1불순물은 3개의 가전자만을 갖는다.
2억셉터(acdeptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
3정공은 소수 캐리어이다.
4진성 반도체이다.
문제 68
접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?
1hFE는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.
2hFE는 베이스 폭에 비례한다.
3hFE는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.
4hFE는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.
문제 69
물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
1열을 가한다.
2빛을 가한다.
3전계를 가한다.
4압축을 한다.
문제 70
외부에서 인가된 전압에 의하여 캐리어가 이동하는 것은?
1드리프트(Drift) 전류
2확산(Diffusion) 전류
3이동도
4캐리어 밀도
문제 71
금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?
1전계방출
2광전자방출
3열전자방출
42차 전자방출
문제 72
전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.602×10-19[C]이다.)
11.75×1017[m/s2]
21.95×1016[m/s2]
32.05×1016[m/s2]
42.35×1014[m/s2]
문제 73
어떤 송신기가 10MHz의 전파를 1kW의 출력으로 방사한다면 매 초당 몇 개의 광자(photon)가 방출되는가? (단, 플랑크 상수는 6.624×10-34[J·sec]이다.)
11.5×1031[개]
21.5×1029[개]
39.42×1031[개]
49.42×1029[개]
문제 74
n채널 MOSFET의 단면구조로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 75
터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링(Tunneling)은 언제 발생하는가?
1역방향에서만 발생
2정전압이 높을 때만 발생
3바이어스가 영(zero) 일 때 발생
4아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
문제 76
진성반도체의 온도변화에 따라 페르미준위는 어떻게 되는가?
1온도에 따라 변화하지 않는다.
2온도가 감소하면 전도대로 향한다.
3온도가 감소하면 충만대로 향한다.
4온도가 감소하면 가전대로 향한다.
문제 77
pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때, 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage 보다는 낮은 범위이다.)
1이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.
2공핍층이 더 넓어진다.
3공핍층이 좁아진다.
4공핍층이 없어진다.
문제 78
2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?
1Thomson 효과
2Hall 효과
3Seebeck 효과
4Peltier 효과
문제 79
반도체 재료의 제조 시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?
1불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.
2다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문이다.
3진송 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.
4캐리어의 이동도를 결정하기 때문이다.
문제 80
브래그(Bragg)의 반사조건으로 옳은 것은? (단, d : 주기구조의 폭, λ : 빛의 파장, n : 정수, θ : 결정면의 광선사의 각도이다.)
12d·sinθ = nλ
22d·tanθ = nλ
32d·tanθ = λ/n
42d·sinθ = λ/n
문제 81
2의 보수표현이 1의 보수표현보다 널리 사용되는 주된 이유는?
1음수의 표현이 가능하다.
2숫자 0의 표현방식이 두 가지이다.
3연산 시 캐리어 발생여부를 무시해도 된다.
410진수로의 변환이 더욱 용이하다.
문제 82
연산장치의 누산기(accumulator)에 대한 설명 중 옳은 것은?
1연산에 이용될 데이터를 읽어들여 일시적 저장 후 필요한 순간에 가산기에 데이터를 제공한다.
2산술연산의 결과를 일시적으로 기억하는 레지스터이다.
3데이터 레지스터의 데이터를 연산하여 그 결과를 저장시킨다.
4연산한 결과의 상태를 기록하여 저장하는 일을 한다.
문제 83
다음 중 NOR 게이트와 등가 게이트는?
1
2
3
4
문제 84
CPU의 기본 구조가 아닌 것은?
1ALU(Arithmetic Logic Unit)
2레지스터 세트
3RAM(Random Access Memory)
4제어 유니트
문제 85
C언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은? (단, math.h가 정의되었다고 가정한다.)
1-3
2-4
33
44
문제 86
우측 회전(right rotate)을 수행하는 순환 시프트 레지스트에 데이터 (11011001)2가 저장되어 있을 때, 제어 신호가 연속해서 3번 들어온 결과 값은?
1(00111011)2
2(00011011)2
3(11111011)2
4(11001110)2
문제 87
플립플롭으로 10진 카운터를 구성하려고 할 때 최소 몇 단위 플립플롭이 필요한가?
13단
24단
35단
46단
문제 88
인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어를 의하여 판별하는 방법은?
1스택
2벡터 인터럽트
3폴링
4핸드쉐이킹
문제 89
버스 클록(bus clock)이 2.5 GHz 이고, 데이터 버스의 폭이 8비트인 버스의 대역폭은?
125 Gbytes/sec
220 Gbytes/sec
32.5 Gbytes/sec
48 Gbytes/sec
문제 90
다음 소자 중 전원과 관련된 신호는 제외한 데이터와 주소 연결선의 수가 가장 많은 것은?
11K × 4 bit DRAM
28K × 4 bit SRAM
34K × 1 bit DRAM
464K × 8 bit SRAM
문제 91
Two address machine에서 기억용량 216 이고 Word length가 40bit라면 이 명령어 형식(Instruction Format)에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?
15
26
37
48
문제 92
다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?
1비동기식 2진 카운터
2동기식 10진 카운터
3링 카운터
4존슨 카운터
문제 93
다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
1hamming code
2ring counter code
3gray code
48421 code
문제 94
다음은 C언어 프로그램의 일부이다. F의 값으로 옳은 것은?
11
22
33
44
문제 95
다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 바르게 나열한 것은?
1㉣→㉠→㉡→㉢→㉤
2㉣→㉠→㉡→㉤→㉢
3㉠→㉣→㉡→㉢→㉤
4㉠→㉡→㉤→㉢→㉣
문제 96
순서도를 작성하는 일반적인 규칙 중 틀린 것은?
1국제 표준화 기구(ISO)의 표준 기호를 사용한다.
2제어 흐름에 따라 위에서 아래로, 왼쪽에서 오른쪽으로 그린다.
3기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다.
4문제가 복잡하고 어려울 때는 블록별로 나누어 단계적으로 그린다.
문제 97
다음 볼대수식을 최소화 하면?
1BC
2A
3B
41
문제 98
MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?
1맨 왼쪽 비트(최상위 비트)
2맨 오른쪽 비트(최하위 비트)
32진수의 보수
48진수의 보수
문제 99
어떤 특정한 비트 또는 문자를 삭제할 때 사용하는 연산은?
1AND
2OR
3XOR
4NOR
문제 100
다음 회로의 논리식으로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 1
진공 중 반지름이 a(m)인 무한길이의 원통 도체 2개가 간격 d(m)로 평행하게 배치되어 있다. 두 도체 사이의 정전용량(C)을 나타낸 것으로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 2
진공 중 한 변의 길이가 0.1m인 정삼각형의 3정점 A, B, C에 각각 2.0×10-6C의 점전하가 있을 때, 점 A의 전하에 작용하는 힘은 몇 N 인가?
11.8√2
21.8√3
33.6√2
43.6√3
문제 3
진공 내 전위함수가 V = x2 + y2(V)로 주어졌을 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 공간에 저장되는 정전에너지(J)는?
1
2
3
4
문제 4
자극의 세기가 7.4×10-5Wb, 길이가 10cm인 막대자석이 100AT/m의 평등자계 내에 자계의 방향과 30°로 놓여 있을 때 이 자석에 작용하는 회전력(N·m)은?
12.5×10-3
23.7×10-4
35.3×10-5
46.2×10-6
문제 5
공기 중에서 1V/m의 전계의 세기에 의한 변위전류밀도의 크기를 2A/m2으로 흐르게 하려면 전계의 주파수는 몇 MHz 가 되어야 하는가?
19000
218000
336000
472000
문제 6
반지름이 a(m)인 접지된 구도체와 구도체의 중심에서 거리 d(m) 떨어진 곳에 점전하게 존재할 때, 점전하에 의한 접지된 구도체에서의 영상전하에 대한 설명으로 틀린 것은?
1영상전하는 구도체 내부에 존재한다.
2영상전하는 점전하와 구도체 중심을 이은 직선상에 존재한다.
3영상전하의 전하량과 점전하의 전하량은 크기는 같고 부호는 반대이다.
4영상전하의 위치는 구도체의 중심과 점전하 사이 거리(d(m))와 구도체의 반지름(a(m))에 의해 결정된다.
문제 7
투자율이 μ(H/m), 자계의 세기가 H(AT/m), 자속밀도가 B(Wb/m2)인 곳에서의 자계 에너지 밀도(J/m3)는?
1
2
3
4
문제 8
z축 상에 놓인 길이가 긴 직선 도체에 10A의 전류가 +z 방향으로 흐르고 있다. 이 도체의 주위의 자속밀도가 Wb/m2 일 때 도체가 받는 단위 길이당 힘(N/m)은? (단, 는 단위벡터이다.)
1
2
3
4
문제 9
평행 극판 사이의 간격이 d(m)이고 정전용량이 0.3μF인 공기 커패시터가 있다. 그림과 같이 두 극판 사이에 비유전율이 5인 유전체를 절반 두께 만큼 넣었을 때 이 커패시터의 정전용량은 몇 μF 이 되는가?
10.01
20.05
30.1
40.5
문제 10
평등 전계 중에 유전체 구에 의한 전계 분포가 그림과 같이 되었을 때 ε1과 ε2의 크기 관계는?
1ε1 ＞ ε2
2ε1 ＜ ε2
3ε1 = ε2
4무관하다.
문제 11
진공 중에 4m 간격으로 평행한 두 개의 무한 평판 도체에 각각 +4 C/m2, -4 C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V 인가?
11.36×1011
21.36×1012
31.8×1011
41.8×1012
문제 12
내부 원통 도체의 반지름이 a(m), 외부 원통 도체의 반지름이 b(m)인 동축 원통 도체에서 내외 도체 간 물질의 도전율이 σ(℧/m)일 때 내외 도체 간의 단위 길이당 컨덕턴스(℧/m)는?
1
2
3
4
문제 13
어떤 도체에 교류 전류가 흐를 때 도체에서 나타나는 표피 효과에 대한 설명으로 틀린 것은?
1도체 중심부보다 도체 표면부에 더 많은 전류가 흐르는 것을 표피 효과라 한다.
2전류의 주파수가 높을수록 표피 효과는 작아진다.
3도체의 도전율이 클수록 표피 효과는 커진다.
4도체의 투자율이 클수록 표피 효과는 커진다.
문제 14
진공 중에 4m의 간격으로 놓여진 평행 도선에 같은 크기의 왕복 전류가 흐를 때 단위 길이당 2.0×10-7N의 힘이 작용하였다. 이때 평행 도선에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
11
22
34
48
문제 15
인덕턴스(H)의 단위를 나타낸 것으로 틀린 것은?
1Ω·s
2Wb/A
3J/A2
4N/(A·m)
문제 16
유전율이 ε = 2ε0이고 투자율이 μ0인 비도선성 유전체에서 전자파의 전계의 세기가 V/m 일 때, 자계의 세기 H(A/m)는? (단, 는 단위벡터이다.)
1
2
3
4
문제 17
자기회로에서 전기회로의 도전율 σ(℧/m)에 대응되는 것은?
1자속
2기자력
3투자율
4자기저항
문제 18
단면적이 균일한 환상철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 NB회인 B 코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100mH이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20mH이고, 결합계수가 1일 때, B코일의 권수(NB)는 몇 회인가?
1100
2200
3300
4400
문제 19
전계가 유리에서 공기로 입사할 때 입사각 θ1과 굴절각 θ2의 관계와 유리에서의 전계 E1과 공기에서의 전계 E2의 관계는?
1θ1 ＞ θ2, E1 ＞ E2
2θ1 ＜ θ2, E1 ＞ E2
3θ1 ＞ θ2, E1 ＜ E2
4θ1 ＜ θ2, E1 ＜ E2
문제 20
면적이 0.02m2, 간격이 0.03m이고, 공기로 채워진 평행평판의 커패시터에 1.0×10-6C의 전하를 충전시킬 때, 두 판 사이에 작용하는 힘의 크기는 약 몇 N 인가?
11.13
21.41
31.89
42.83
문제 21
다음 임피던스 파라미터 중 출력 개방 전달 임피던스는?
1Z11
2Z12
3Z21
4Z22
문제 22
직류 전압원에 저항 R을 접속하였을 때 흐르는 전류를 30% 증가시키기 위해서는 저항값을 약 얼마로 변경시켜야 하는가?
10.3R
20.77R
3R
41.3R
문제 23
그림과 같은 페이저도(phasor diagram)가 있을 때, 등가 임피던스는?
120√2 - j20√2
220√2 + j20√2
340√2 + j40√2
440√2 – j40√2
문제 24
다음 회로에서 어드미턴스 파라미터 Y11은?
11/2 ℧
21/3 ℧
31/6 ℧
41/12 ℧
문제 25
어떤 회로의 피상전력이 20kVA이고 유효전력이 15kW 일 때 이 회로의 역률은?
10.9
20.75
30.6
40.45
문제 26
다음과 같이 두 개의 저항이 직렬로 연결되어 있는 회로에서 각 저항의 전압과의 관계식으로 옳은 것은?
1V1V2 = R1R2
2V1V2 = (R1R2)2
3V1R1 = V2R2
4V1R2 = V2R1
문제 27
일 때 f(t)의 최종값은?
10
23
35
4∞
문제 28
다음 그림 (1)의 회로에서 i(t)의 파형이 그림 (2)와 같을대, 출력 v(t)를 라플라스 변환한 V(s)로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 29
다음 회로의 노튼 등가회로는?
1
2
3
4
문제 30
x(t) = te-atu(t) 의 Fourier 변환 X(ω)에서 ω = 0일 때의 값 X(0)은?
10
21
31/a2
42/a2
문제 31
그림의 회로에서 정현파 입력에 대한 정상상태 응답(steady state response) Vo(t)는?
1
2
3
4
문제 32
다음 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
1
2
3
4
문제 33
저항 R = 50Ω, 인덕턴스 L = 1mH, 커패시터 C = 10pF 인 RLC 직렬 공진회로의 양호도 Q는?
1100
2200
3300
4400
문제 34
다음과 같은 회로에서 VS = 80∠0° 일 때, 전체 전류 IT의 크기는 약 몇 A 인가?
18.5
29.4
310.3
411.2
문제 35
다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)
1
2
3
4
문제 36
다음 중 그림과 같은 이상 변압기의 방정식으로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 37
다음 회로의 필터 종류는?
1대역 저지 필터
2대역 통과 필터
3고대역 통과 필터
4저대역 통과 필터
문제 38
내부에 기전력 E1, E2, …, En을 포함하는 회로망A의 출력 단자 a-b 사이에서 바라본 테브닌 전압을 ET, 테브닌 임피던스를 ZT라고 할 때, 부하 Z에 흐르는 전류 I는?
1
2
3
4
문제 39
회로망 함수가 그림과 같이 2개 극점과 1개의 영점을 가질 때, 시간영역 f(t)로 옳은 것은?
1f(t) = e-αtcosωt
2f(t) = e-αtsinωt
3f(t) = tsinωt
4f(t) = tcosωt
문제 40
시정수 τ인 RL 직렬회로에 t = 0 에서 직류전압을 가하였을 때 t = 4τ에서의 회로전류는 정상치의 약 몇 % 인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
163%
286%
395%
498%
문제 41
다음 저역통과필터회로의 임계주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R=1kΩ, R2=10kΩ, C=20nF 이다.)
15.86
26.96
37.96
48.89
문제 42
RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
1고역특성이 좋지 않다.
2저역특성이 좋지 않다.
3중역과 고역특성이 모두 좋지 않다.
4저역과 고역특성이 모두 좋지 않다.
문제 43
이상적인 연산 증폭기의 특징 중 틀린 것은?
1입력저항이 ∞ 이다.
2출력저항이 0 이다.
3전압이득이 0 이다.
4주파수 대역폭이 ∞ 이다.
문제 44
다이오드 직선 검파회로에서 변조도 50%, 진폭 10√2 V 인 피변조파가 인가되었을 때, 부하저항에 나타나는 변조 신호파 출력전압은? (단, 검파 효율은 80% 이다.)
10.4 V
20.8 V
31.2 V
44 V
문제 45
그림(b)는 회로(a)에 대한 직류 및 교류 부하선을 나타낸 것이다. 회로(a)의 부하저항 RL의 값은 약 몇 kΩ 인가? (단, C1, C2는 교류적으로 단락이다.)
11
22
33
44
문제 46
두 입력단에 입력되는 신호의 절댓값이 큰 극성에 따라 출력이 나타나며, 부귀환이 없는 무한이득을 사용하는 회로는?
1비교기 회로
2위상 동기 루프 회로
3비안정 멀티바이브레이터 회로
4슈미트 트리거 회로
문제 47
다음과 같은 비안정 멀티바이브레이터의 출력(VO1, VO2) 발진주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R2=47kΩ, RC=560Ω, C1=C2=0.01μF 이다.)
11.1
21.5
375
423
문제 48
전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부귀환을 걸 때 전압 증폭도 Af = 40이 되었다. 이때 귀환율 β는?
10.0124
20.0248
30.0496
40.0992
문제 49
다음 Tunnel Diode의 전류 특성 곡선에서 발진이 일어날 수 있는 영역은?
1A 영역
2B 영역
3C 영역
4모든 영역에서 발생
문제 50
수정 발진회로의 특징 중 옳은 것은?
1AFC회로가 필요하다.
2주위 온도가 영향이 크다.
3주파수의 변경이 용이하다.
4발진 주파수의 안정도가 높다.
문제 51
BJT를 이용한 B급 증폭기의 최대 전력효율은 약 얼마인가?
123%
250%
379%
499%
문제 52
정류기에서 파형을 일정하게 유지하기 위해 사용되는 필터는?
1대역통과필터
2대역제거필터
3저역통과필터
4고역통과필터
문제 53
이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100μA이고, IB가 1mA일 때, 컬렉터 전류는 몇 mA 인가? (단, 트랜지스터의 α는 0.99 이다.)
1109
2120
3137
4154
문제 54
부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
1이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
2이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
3이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
4이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.
문제 55
다음 연산 증폭기로 구성한 계측 증폭기(instrumentation amplifier)의 출력 Vout은?
1
2
3
4
문제 56
임의의 입력파형이 규정된 기준 레벨에 이르는 순간을 검출할 수 있어서 전압비교 회로로 널리 사용되는 회로는?
1슈미트 트리거 회로
2비안전 멀티바이브레이터 회로
3블로킹 발진회로
4이상 발진회로
문제 57
커패시터형 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동률에 대한 설명 중 옳은 것은? (단, 부하 저항은 커패시터와 병렬구조이다.)
1부하 저항에서는 반비례하고, 커패시터에서는 비례한다.
2부하 저항에서는 비례하고, 커패시터에서는 반비례한다.
3부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 비례한다.
4부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 반비례한다.
문제 58
다음 회로에서 출력전압 Vout은? (단, R1=R2=R3=R4 이다.)
1Vout = V1 - V2
2Vout = V2 - V1
3Vout = 2(V1 - V2)
4Vout = 2(V2 - V1)
문제 59
다음 회로의 명칭은?
1Schmitt trigger
2Voltage doubler
3Multivibrator
4Miller sweep
문제 60
MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?
1드레인과 바디 사이
2게이트와 소스 사이
3게이트와 드레인 사이
4드레인과 소스 사이
문제 61
npn BJT의 각 단자의 도핑 농도를 높은 순서대로 나열한 것은?
1이미터＞컬렉터＞베이스
2컬렉터＞베이스＞이미터
3컬렉터＞이미터＞베이스
4이미터＞베이스＞컬렉터
문제 62
다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?
1다결정의 Ge 성장
2다결정의 Si 성장
3기판에 매우 얇은 단결정의 성장
4기판에 매우 얇은 다결정의 성장
문제 63
반도체에서 아인슈타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
1유효 질량
2캐리어 농도
3이동도
4내부 전압
문제 64
양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?
1Sommerfeld 분포 함수
2Fermi-Dirac 분포 함수
3Bose-Einstein 분포 함수
4Maxwell-Boltzmann 분포 함수
문제 65
평형상태의 트랜지스터에 대한 설명으로 틀린 것은?
1세 단자가 접속되지 않은 상태이다.
2페르미 준위는 이미터 쪽이 제일 높다.
3다수캐리어는 확산운동을 한다.
4소수캐리어는 표동운동을 한다.
문제 66
반도체 IC의 절연 방법(isolation) 중 pn접합에 의한 절연과 비교하여 산화막 절연의 특징이 아닌 것은?
1pn 접합에 의한 절연과 같은 역바이어스가 필요 없다.
2기생 용량을 감소시킬 수 있다.
3거의 완벽한 절연이다.
4제조공정이 간단하다.
문제 67
실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
1불순물은 3개의 가전자만을 갖는다.
2억셉터(acdeptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
3정공은 소수 캐리어이다.
4진성 반도체이다.
문제 68
접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?
1hFE는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.
2hFE는 베이스 폭에 비례한다.
3hFE는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.
4hFE는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.
문제 69
물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
1열을 가한다.
2빛을 가한다.
3전계를 가한다.
4압축을 한다.
문제 70
외부에서 인가된 전압에 의하여 캐리어가 이동하는 것은?
1드리프트(Drift) 전류
2확산(Diffusion) 전류
3이동도
4캐리어 밀도
문제 71
금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?
1전계방출
2광전자방출
3열전자방출
42차 전자방출
문제 72
전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.602×10-19[C]이다.)
11.75×1017[m/s2]
21.95×1016[m/s2]
32.05×1016[m/s2]
42.35×1014[m/s2]
문제 73
어떤 송신기가 10MHz의 전파를 1kW의 출력으로 방사한다면 매 초당 몇 개의 광자(photon)가 방출되는가? (단, 플랑크 상수는 6.624×10-34[J·sec]이다.)
11.5×1031[개]
21.5×1029[개]
39.42×1031[개]
49.42×1029[개]
문제 74
n채널 MOSFET의 단면구조로 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 75
터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링(Tunneling)은 언제 발생하는가?
1역방향에서만 발생
2정전압이 높을 때만 발생
3바이어스가 영(zero) 일 때 발생
4아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
문제 76
진성반도체의 온도변화에 따라 페르미준위는 어떻게 되는가?
1온도에 따라 변화하지 않는다.
2온도가 감소하면 전도대로 향한다.
3온도가 감소하면 충만대로 향한다.
4온도가 감소하면 가전대로 향한다.
문제 77
pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때, 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage 보다는 낮은 범위이다.)
1이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.
2공핍층이 더 넓어진다.
3공핍층이 좁아진다.
4공핍층이 없어진다.
문제 78
2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?
1Thomson 효과
2Hall 효과
3Seebeck 효과
4Peltier 효과
문제 79
반도체 재료의 제조 시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?
1불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.
2다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문이다.
3진송 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.
4캐리어의 이동도를 결정하기 때문이다.
문제 80
브래그(Bragg)의 반사조건으로 옳은 것은? (단, d : 주기구조의 폭, λ : 빛의 파장, n : 정수, θ : 결정면의 광선사의 각도이다.)
12d·sinθ = nλ
22d·tanθ = nλ
32d·tanθ = λ/n
42d·sinθ = λ/n
문제 81
2의 보수표현이 1의 보수표현보다 널리 사용되는 주된 이유는?
1음수의 표현이 가능하다.
2숫자 0의 표현방식이 두 가지이다.
3연산 시 캐리어 발생여부를 무시해도 된다.
410진수로의 변환이 더욱 용이하다.
문제 82
연산장치의 누산기(accumulator)에 대한 설명 중 옳은 것은?
1연산에 이용될 데이터를 읽어들여 일시적 저장 후 필요한 순간에 가산기에 데이터를 제공한다.
2산술연산의 결과를 일시적으로 기억하는 레지스터이다.
3데이터 레지스터의 데이터를 연산하여 그 결과를 저장시킨다.
4연산한 결과의 상태를 기록하여 저장하는 일을 한다.
문제 83
다음 중 NOR 게이트와 등가 게이트는?
1
2
3
4
문제 84
CPU의 기본 구조가 아닌 것은?
1ALU(Arithmetic Logic Unit)
2레지스터 세트
3RAM(Random Access Memory)
4제어 유니트
문제 85
C언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은? (단, math.h가 정의되었다고 가정한다.)
1-3
2-4
33
44
문제 86
우측 회전(right rotate)을 수행하는 순환 시프트 레지스트에 데이터 (11011001)2가 저장되어 있을 때, 제어 신호가 연속해서 3번 들어온 결과 값은?
1(00111011)2
2(00011011)2
3(11111011)2
4(11001110)2
문제 87
플립플롭으로 10진 카운터를 구성하려고 할 때 최소 몇 단위 플립플롭이 필요한가?
13단
24단
35단
46단
문제 88
인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어를 의하여 판별하는 방법은?
1스택
2벡터 인터럽트
3폴링
4핸드쉐이킹
문제 89
버스 클록(bus clock)이 2.5 GHz 이고, 데이터 버스의 폭이 8비트인 버스의 대역폭은?
125 Gbytes/sec
220 Gbytes/sec
32.5 Gbytes/sec
48 Gbytes/sec
문제 90
다음 소자 중 전원과 관련된 신호는 제외한 데이터와 주소 연결선의 수가 가장 많은 것은?
11K × 4 bit DRAM
28K × 4 bit SRAM
34K × 1 bit DRAM
464K × 8 bit SRAM
문제 91
Two address machine에서 기억용량 216 이고 Word length가 40bit라면 이 명령어 형식(Instruction Format)에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?
15
26
37
48
문제 92
다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?
1비동기식 2진 카운터
2동기식 10진 카운터
3링 카운터
4존슨 카운터
문제 93
다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
1hamming code
2ring counter code
3gray code
48421 code
문제 94
다음은 C언어 프로그램의 일부이다. F의 값으로 옳은 것은?
11
22
33
44
문제 95
다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 바르게 나열한 것은?
1㉣→㉠→㉡→㉢→㉤
2㉣→㉠→㉡→㉤→㉢
3㉠→㉣→㉡→㉢→㉤
4㉠→㉡→㉤→㉢→㉣
문제 96
순서도를 작성하는 일반적인 규칙 중 틀린 것은?
1국제 표준화 기구(ISO)의 표준 기호를 사용한다.
2제어 흐름에 따라 위에서 아래로, 왼쪽에서 오른쪽으로 그린다.
3기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다.
4문제가 복잡하고 어려울 때는 블록별로 나누어 단계적으로 그린다.
문제 97
다음 볼대수식을 최소화 하면?
1BC
2A
3B
41
문제 98
MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?
1맨 왼쪽 비트(최상위 비트)
2맨 오른쪽 비트(최하위 비트)
32진수의 보수
48진수의 보수
문제 99
어떤 특정한 비트 또는 문자를 삭제할 때 사용하는 연산은?
1AND
2OR
3XOR
4NOR
문제 100
다음 회로의 논리식으로 옳은 것은?
1
2
3
4