




'유전가열은 와전류손과 히스테리시스손에 의한 가열방식이다'라는 설명의 와전류손과 히스테리시스손은 유도가열(induction heating)의 원리로, 유전가열과 혼동된 설명이다. 유전가열(dielectric heating)은 분극 손실(polarization loss)에 의한 가열 방식으로, 고주파 전기장에서 유전체 분자의 진동으로 발생하는 열을 이용한다.
- 저항가열은 줄의 법칙에 따른 I²R 손실을 이용한다.
- 유도가열은 금속에 유도되는 와전류로 인한 표면 담금질을 이용한다.
- 아크가열은 전극 사이 아크의 고온열을 이용한다.
이 세 방식은 모두 올바르게 설명되어 있다.
축전지(배터리)의 용량은 전하량으로 표시되며, 단위는 Ah(암페어시)이다. Ah는 일정한 전류(암페어)가 일정 시간(시간) 동안 흐를 때의 총 전하량을 나타낸다. J(줄)는 에너지 단위, Wh(와트시)는 에너지 용량 표시에 사용되며, VA(볼트암페어)는 겉보기 전력의 단위로 용량 표시와는 다르다.





토크 증가 시 가장 급격한 속도 저하는 직류 직권전동기에서 발생한다. 직류 전동기의 속도-토크 특성은 자기장의 변화에 따라 결정되는데, 직류 직권전동기는 계자코일이 전기자와 직렬로 연결되어 있어 부하(토크)가 증가하면 전류가 증가하고, 이에 따라 자기장이 빠르게 강해지므로 역기전력이 감소하여 속도가 급격히 낮아진다.
- 분권전동기는 계자코일이 병렬로 연결되어 자기장이 거의 일정하므로 속도 변화가 완만하다.
- 복권전동기는 분권과 직권의 중간 특성을 가진다.
- 유동전동기는 슬립에 의존하는 다른 특성을 보인다.

양방향 전압지지 소자는 양의 전압과 음의 전압을 모두 차단할 수 있는 소자이다. MOSFET은 일반적으로 내장 바디 다이오드 때문에 역방향 전압을 지지하지 못하므로 양방향 전압지지 소자가 아니다. SCR, GTO 사이리스터, IGBT는 구조적으로 역방향 전압을 지지할 수 있는 소자이다.
전구 내부의 게터(getter)는 불순물(산소, 질소, 수증기 등)을 화학적으로 흡수하여 진공도를 유지하는 장치다. 게터가 없으면 시간이 지남에 따라 불순물이 증가하여 전구 내부 가스 압력이 높아지고, 이는 필라멘트의 산화와 검은 침착(blackening)을 가속화시켜 광도 감소 및 수명 단축을 초래한다. 게터를 통해 진공 상태를 장시간 유지함으로써 필라멘트의 증발을 억제하고 전구의 수명을 연장한다. 따라서 정답은 4번이다.
TRIAC은 두 개의 사이리스터(SCR)를 역병렬로 접속한 것과 동등한 특성을 갖도록 설계된 소자다.
TRIAC은 양의 반주기와 음의 반주기 모두에서 게이트 신호에 의해 제어되는 양방향 스위칭이 가능하며, 이는 정확히 두 SCR을 역방향으로 연결하여 양쪽 방향의 전류를 제어하는 것과 같은 동작을 한다.
- GTO는 턴오프 능력이 있는 사이리스터이다.
- SCS는 사이리스터의 한 종류이다.
- SSS는 일반적인 반도체 분류에 해당하지 않는다.
Io







배전선로의 전압 조정에는 승압기 사용, 병렬콘덴서 사용, 주상변압기 탭 전환 등이 이용된다. 저전압계전기는 저전압을 검출하여 보호·제어 동작을 하는 계전기로, 전압을 직접 조정하는 방법이 아니다.

GD2는 회전체의 관성모멘트와 관련된 값으로, 값이 작을수록 기동·정지 및 속도 변동이 빠르다. 따라서 빈번한 기동과 정지가 필요한 엘리베이터에서는 GD2가 작은 것이 바람직하다.
최대 효율은 철손과 동손이 같을 때 발생하므로, 부하율을 라 하면 에서 이다. 따라서 최대 효율 시 부하는 이고, 이때 동손은 이다. 역률이 1이므로 최대 효율은 이다.




인 A의 값은?




함수를 시간추이정리에 의해서 역변환하면?



일 때 영상임피던스 Z02(Ω)의 값은?
의 전달함수를 미분방정식으로 표시하면? (단,
이다.)














이다.)


