[9급 서울시 전자공학개론] 17년 2회차
9급 서울시 전자공학개론 기출문제

17년 2회차

총 20문항 · 객관식 · A4 약 1장

1 / 1
A4정답 포함
9급 서울시 전자공학개론 기출문제모두CBT · moducbt.com

17년 2회차

총 20문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1달링턴 쌍(Darington Pair) 회로이다.
2입력저항을 크게 하기 위한 목적으로 사용되며 입력저항은 β1β2RE\beta_1\beta_2R_E이다.
3전체 전류이득은 β1β2\beta_1\beta_2이다.
4트랜지스터 Q2Q_2의 이미터 전류 Ie2=β1β2Ie1I_{e2}=\beta_1\beta_2I_{e1}이다.
문제 2
다음 연산증폭기에서 Z1(s)Z_1(s)는 저항 R1R_1과 커패시터 C1C_1의 병렬회로, Z2(s)Z_2(s)는 저항 R2R_2와 커패시터 C2C_2의 병렬회로이다.
R1=1 [kΩ]R_1=1\,[\mathrm{k}\Omega], R2=2 [kΩ]R_2=2\,[\mathrm{k}\Omega], C1=0.5 [mF]C_1=0.5\,[\mathrm{mF}], C2=0.1 [mF]C_2=0.1\,[\mathrm{mF}] 일 때 Vo(s)/Vi(s)V_o(s)/V_i(s)는?

1−5(s+2)(s+5)-5\frac{(s+2)}{(s+5)}
25(s+2)(s+5)5\frac{(s+2)}{(s+5)}
3−5(s+5)(s+2)-5\frac{(s+5)}{(s+2)}
45(s+5)(s+2)5\frac{(s+5)}{(s+2)}
문제 3
다음 회로에서 부하 ZLZ_L에 최대 평균전력이 전달되기 위한 ZLZ_L 값과 이때의 소비전력은?

12 [Ω], 32 [W]2\,[\Omega],\ 32\,[\mathrm{W}]
2j2 [Ω], 32 [W]j2\,[\Omega],\ 32\,[\mathrm{W}]
32−j2 [Ω], 16 [W]2-j2\,[\Omega],\ 16\,[\mathrm{W}]
42+j2 [Ω], 16 [W]2+j2\,[\Omega],\ 16\,[\mathrm{W}]
문제 4
다음 회로에서 RabR_{ab}는 얼마인가?

11 [Ω]1\,[\Omega]
22 [Ω]2\,[\Omega]
33 [Ω]3\,[\Omega]
44 [Ω]4\,[\Omega]
문제 5
다음의 값들 중에서 다른 하나는 무엇인가?
120510205_{10}
211001011211001011_2
33138313_8
4CB16\mathrm{CB}_{16}
문제 6
회로 내 어떤 저항 RR의 양단 전압이 v(t)=VMcos⁡(wt) [V]v(t)=V_M\cos(wt)\,[\mathrm{V}] 일 때, 이 저항 RR에서의 전류 i(t) [A]i(t)\,[\mathrm{A}]와 순시전력 P [W]P\,[\mathrm{W}]에 대하여 옳지 않은 것은?
1전류 i(t)i(t)의 각주파수는 w [rad/s]w\,[\mathrm{rad/s}]이다.
2전류 i(t)i(t)의 최댓값은 VMR [A]\frac{V_M}{R}\,[\mathrm{A}]이다.
3순시전력 PP의 각주파수는 2w [rad/s]2w\,[\mathrm{rad/s}]이다.
4순시전력 PP의 최댓값은 VM22R+1 [W]\frac{V_M^2}{2R}+1\,[\mathrm{W}]이다.
문제 7
다음 회로에서 V1V_1(r1r_1의 양단 전압)이 V2V_2(r2r_2의 양단 전압)의 2배일 때, 저항 r1r_1과 저항 r2r_2의 값은?

1r1=1/3 [Ω],r2=2/3 [Ω]r_1=1/3\,[\Omega],\quad r_2=2/3\,[\Omega]
2r1=2/3 [Ω],r2=1/3 [Ω]r_1=2/3\,[\Omega],\quad r_2=1/3\,[\Omega]
3r1=10/6 [Ω],r2=5/6 [Ω]r_1=10/6\,[\Omega],\quad r_2=5/6\,[\Omega]
4r1=5/6 [Ω],r2=10/6 [Ω]r_1=5/6\,[\Omega],\quad r_2=10/6\,[\Omega]
문제 8
다음 회로에서 3 [Ω]3\,[\Omega] 저항이 소비하는 전력은?

125 [W]25\,[\mathrm{W}]
250 [W]50\,[\mathrm{W}]
375 [W]75\,[\mathrm{W}]
4100 [W]100\,[\mathrm{W}]
문제 9
다음 회로의 등가 어드미턴스 YY는 각주파수 ww가 1,000 [rad/s]1{,}000\,[\mathrm{rad/s}] 일 때 1+j21+j2이다. CC 값은 얼마인가?

10.2 [mF]0.2\,[\mathrm{mF}]
21.5 [mF]1.5\,[\mathrm{mF}]
32 [mF]2\,[\mathrm{mF}]
42.5 [mF]2.5\,[\mathrm{mF}]
문제 10
MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은?
1입력 저항이 크다.
2캐리어의 이동도가 높다.
3소스 - 드레인 사이가 전기적으로 기판에서 독립되어 있다.
4한 장의 기판 위에서 얻을 수 있는 소자 수가 많아 집적 회로에 유리하다.
문제 11
다음은 BJT 증폭기에 대한 등가회로의 한 예이다. 소자 값들이 RS=500 [Ω]R_S=500\,[\Omega], Ri=1 [kΩ]R_i=1\,[\mathrm{k}\Omega], Ro=40 [kΩ]R_o=40\,[\mathrm{k}\Omega], RL=10 [kΩ]R_L=10\,[\mathrm{k}\Omega], Ai=100A_i=100으로 주어질 때 전류의 비 io/iii_o/i_i는?

120
250
380
4100
문제 12
다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1B급 푸시풀 전력 증폭기이다.
2voutv_{\mathrm{out}}에서는 vinv_{\mathrm{in}}입력과 위상이 반전된 출력이 나온다.
3입력신호의 양의 반주기 동안 Q1Q_1 트랜지스터가 도통된다.
4교차왜곡이 없는 경우, Q1Q_1이 도통되면 Q2Q_2는 차단된다.
문제 13
다음 회로에서 t≥0t\ge 0에서 시간에 관한 vL(t)v_L(t)의 식은?
(단, 스위치는 충분히 오랫동안 닫혀 있었고 t=0t=0에서 열린다.)

1vL(t)=80e−4×10−6t [V]v_L(t)=80e^{-4\times10^{-6}t}\,[\mathrm{V}]
2vL(t)=80e−4×106t [V]v_L(t)=80e^{-4\times10^{6}t}\,[\mathrm{V}]
3vL(t)=50e−2.5×10−5t [V]v_L(t)=50e^{-2.5\times10^{-5}t}\,[\mathrm{V}]
4vL(t)=50e−2.5×105t [V]v_L(t)=50e^{-2.5\times10^{5}t}\,[\mathrm{V}]
문제 14
R=6 [Ω]R=6\,[\Omega], XL=8 [Ω]X_L=8\,[\Omega]인 직렬 RLRL회로에서 100 [V]100\,[\mathrm{V}], 60 [Hz]60\,[\mathrm{Hz}]의 교류전압을 인가할 때 회로에 공급되는 유효전력은?
1300 [W]300\,[\mathrm{W}]
2400 [W]400\,[\mathrm{W}]
3600 [W]600\,[\mathrm{W}]
4800 [W]800\,[\mathrm{W}]
문제 15
다음은 n형 반도체와 p형 반도체에 대한 설명이다. 옳은 것을 모두 고르면?
반도체 종류불순물 원소다수
캐리어
소수
캐리어
이온의
전하
ⓐn형 반도체제5족 P, As, Sb전자홀+q
ⓑn형 반도체제3족 B, Al, Ga홀전자−q
ⓒn형 반도체제5족 B, Al, Ga전자홀+q
ⓓn형 반도체제3족 P, As, Sb홀전자−q
ⓔp형 반도체제5족 P, As, Sb전자홀+q
ⓕp형 반도체제3족 B, Al, Ga홀전자−q
ⓖp형 반도체제5족 B, Al, Ga전자홀+q
ⓗp형 반도체제3족 P, As, Sb홀전자−q
1ⓐ, ⓕ
2ⓑ, ⓔ
3ⓒ, ⓗ
4ⓓ, ⓖ
문제 16
다음 회로가 직류정상상태에 있다고 할 때 커패시터의 전압 vv는?

112 [V]12\,[\mathrm{V}]
216 [V]16\,[\mathrm{V}]
324 [V]24\,[\mathrm{V}]
432 [V]32\,[\mathrm{V}]
문제 17
코일을 감은 횟수가 100회이고, 0.2초 동안에 자속이 8 [Wb]8\,[\mathrm{Wb}]에서 4 [Wb]4\,[\mathrm{Wb}]로 감소했다면, 이 코일에 유도되는 유도 기전력은?
12×102 [V]2\times10^2\,[\mathrm{V}]
22×103 [V]2\times10^3\,[\mathrm{V}]
34×102 [V]4\times10^2\,[\mathrm{V}]
44×103 [V]4\times10^3\,[\mathrm{V}]
문제 18
다음 회로의 동작을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

1A점에서 VGS=0 [V]V_{GS}=0\,[\mathrm{V}]일 때 VDS=0V_{DS}=0이면 ID=0I_D=0이 된다.
2B−C영역에서 VDSV_{DS}와 IDI_D가 옴(Ohm)의 법칙을 따르므로 저항성 영역이라 한다.
3VGS=0 [V]V_{GS}=0\,[\mathrm{V}]일 때, IDI_D가 일정하게 되는 B점을 핀치오프 전압(pinch−off voltage)이라 한다.
4C점 이후의 영역은 드레인과 게이트 사이의 역바이어스가 커져 항복현상(break down)이 일어난다.
문제 19
다음 논리 회로를 만족하는 출력 FF의 논리식은?

1X(Y+Z)+W‾X(Y+Z)+\overline{W}
2X(Y+Z)‾+W\overline{X(Y+Z)}+W
3XYZ+W‾XYZ+\overline{W}
4XYZ‾+W\overline{XYZ}+W
문제 20
AinA_{\mathrm{in}}단자에 아래의 입력 VinV_{\mathrm{in}}이 주어졌을 때 AoutA_{\mathrm{out}}에서의 출력 파형은?

1[그림]
2[그림]
3[그림]
4[그림]
9급 서울시 전자공학개론 기출문제모두CBT · moducbt.com
17년 2회차
총 20문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1달링턴 쌍(Darington Pair) 회로이다.
2입력저항을 크게 하기 위한 목적으로 사용되며 입력저항은 β1β2RE\beta_1\beta_2R_E이다.
3전체 전류이득은 β1β2\beta_1\beta_2이다.
4트랜지스터 Q2Q_2의 이미터 전류 Ie2=β1β2Ie1I_{e2}=\beta_1\beta_2I_{e1}이다.
문제 2
다음 연산증폭기에서 Z1(s)Z_1(s)는 저항 R1R_1과 커패시터 C1C_1의 병렬회로, Z2(s)Z_2(s)는 저항 R2R_2와 커패시터 C2C_2의 병렬회로이다.
R1=1 [kΩ]R_1=1\,[\mathrm{k}\Omega], R2=2 [kΩ]R_2=2\,[\mathrm{k}\Omega], C1=0.5 [mF]C_1=0.5\,[\mathrm{mF}], C2=0.1 [mF]C_2=0.1\,[\mathrm{mF}] 일 때 Vo(s)/Vi(s)V_o(s)/V_i(s)는?

1−5(s+2)(s+5)-5\frac{(s+2)}{(s+5)}
25(s+2)(s+5)5\frac{(s+2)}{(s+5)}
3−5(s+5)(s+2)-5\frac{(s+5)}{(s+2)}
45(s+5)(s+2)5\frac{(s+5)}{(s+2)}
문제 3
다음 회로에서 부하 ZLZ_L에 최대 평균전력이 전달되기 위한 ZLZ_L 값과 이때의 소비전력은?

12 [Ω], 32 [W]2\,[\Omega],\ 32\,[\mathrm{W}]
2j2 [Ω], 32 [W]j2\,[\Omega],\ 32\,[\mathrm{W}]
32−j2 [Ω], 16 [W]2-j2\,[\Omega],\ 16\,[\mathrm{W}]
42+j2 [Ω], 16 [W]2+j2\,[\Omega],\ 16\,[\mathrm{W}]
문제 4
다음 회로에서 RabR_{ab}는 얼마인가?

11 [Ω]1\,[\Omega]
22 [Ω]2\,[\Omega]
33 [Ω]3\,[\Omega]
44 [Ω]4\,[\Omega]
문제 5
다음의 값들 중에서 다른 하나는 무엇인가?
120510205_{10}
211001011211001011_2
33138313_8
4CB16\mathrm{CB}_{16}
문제 6
회로 내 어떤 저항 RR의 양단 전압이 v(t)=VMcos⁡(wt) [V]v(t)=V_M\cos(wt)\,[\mathrm{V}] 일 때, 이 저항 RR에서의 전류 i(t) [A]i(t)\,[\mathrm{A}]와 순시전력 P [W]P\,[\mathrm{W}]에 대하여 옳지 않은 것은?
1전류 i(t)i(t)의 각주파수는 w [rad/s]w\,[\mathrm{rad/s}]이다.
2전류 i(t)i(t)의 최댓값은 VMR [A]\frac{V_M}{R}\,[\mathrm{A}]이다.
3순시전력 PP의 각주파수는 2w [rad/s]2w\,[\mathrm{rad/s}]이다.
4순시전력 PP의 최댓값은 VM22R+1 [W]\frac{V_M^2}{2R}+1\,[\mathrm{W}]이다.
문제 7
다음 회로에서 V1V_1(r1r_1의 양단 전압)이 V2V_2(r2r_2의 양단 전압)의 2배일 때, 저항 r1r_1과 저항 r2r_2의 값은?

1r1=1/3 [Ω],r2=2/3 [Ω]r_1=1/3\,[\Omega],\quad r_2=2/3\,[\Omega]
2r1=2/3 [Ω],r2=1/3 [Ω]r_1=2/3\,[\Omega],\quad r_2=1/3\,[\Omega]
3r1=10/6 [Ω],r2=5/6 [Ω]r_1=10/6\,[\Omega],\quad r_2=5/6\,[\Omega]
4r1=5/6 [Ω],r2=10/6 [Ω]r_1=5/6\,[\Omega],\quad r_2=10/6\,[\Omega]
문제 8
다음 회로에서 3 [Ω]3\,[\Omega] 저항이 소비하는 전력은?

125 [W]25\,[\mathrm{W}]
250 [W]50\,[\mathrm{W}]
375 [W]75\,[\mathrm{W}]
4100 [W]100\,[\mathrm{W}]
문제 9
다음 회로의 등가 어드미턴스 YY는 각주파수 ww가 1,000 [rad/s]1{,}000\,[\mathrm{rad/s}] 일 때 1+j21+j2이다. CC 값은 얼마인가?

10.2 [mF]0.2\,[\mathrm{mF}]
21.5 [mF]1.5\,[\mathrm{mF}]
32 [mF]2\,[\mathrm{mF}]
42.5 [mF]2.5\,[\mathrm{mF}]
문제 10
MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은?
1입력 저항이 크다.
2캐리어의 이동도가 높다.
3소스 - 드레인 사이가 전기적으로 기판에서 독립되어 있다.
4한 장의 기판 위에서 얻을 수 있는 소자 수가 많아 집적 회로에 유리하다.
문제 11
다음은 BJT 증폭기에 대한 등가회로의 한 예이다. 소자 값들이 RS=500 [Ω]R_S=500\,[\Omega], Ri=1 [kΩ]R_i=1\,[\mathrm{k}\Omega], Ro=40 [kΩ]R_o=40\,[\mathrm{k}\Omega], RL=10 [kΩ]R_L=10\,[\mathrm{k}\Omega], Ai=100A_i=100으로 주어질 때 전류의 비 io/iii_o/i_i는?

120
250
380
4100
문제 12
다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1B급 푸시풀 전력 증폭기이다.
2voutv_{\mathrm{out}}에서는 vinv_{\mathrm{in}}입력과 위상이 반전된 출력이 나온다.
3입력신호의 양의 반주기 동안 Q1Q_1 트랜지스터가 도통된다.
4교차왜곡이 없는 경우, Q1Q_1이 도통되면 Q2Q_2는 차단된다.
문제 13
다음 회로에서 t≥0t\ge 0에서 시간에 관한 vL(t)v_L(t)의 식은?
(단, 스위치는 충분히 오랫동안 닫혀 있었고 t=0t=0에서 열린다.)

1vL(t)=80e−4×10−6t [V]v_L(t)=80e^{-4\times10^{-6}t}\,[\mathrm{V}]
2vL(t)=80e−4×106t [V]v_L(t)=80e^{-4\times10^{6}t}\,[\mathrm{V}]
3vL(t)=50e−2.5×10−5t [V]v_L(t)=50e^{-2.5\times10^{-5}t}\,[\mathrm{V}]
4vL(t)=50e−2.5×105t [V]v_L(t)=50e^{-2.5\times10^{5}t}\,[\mathrm{V}]
문제 14
R=6 [Ω]R=6\,[\Omega], XL=8 [Ω]X_L=8\,[\Omega]인 직렬 RLRL회로에서 100 [V]100\,[\mathrm{V}], 60 [Hz]60\,[\mathrm{Hz}]의 교류전압을 인가할 때 회로에 공급되는 유효전력은?
1300 [W]300\,[\mathrm{W}]
2400 [W]400\,[\mathrm{W}]
3600 [W]600\,[\mathrm{W}]
4800 [W]800\,[\mathrm{W}]
문제 15
다음은 n형 반도체와 p형 반도체에 대한 설명이다. 옳은 것을 모두 고르면?
반도체 종류불순물 원소다수
캐리어
소수
캐리어
이온의
전하
ⓐn형 반도체제5족 P, As, Sb전자홀+q
ⓑn형 반도체제3족 B, Al, Ga홀전자−q
ⓒn형 반도체제5족 B, Al, Ga전자홀+q
ⓓn형 반도체제3족 P, As, Sb홀전자−q
ⓔp형 반도체제5족 P, As, Sb전자홀+q
ⓕp형 반도체제3족 B, Al, Ga홀전자−q
ⓖp형 반도체제5족 B, Al, Ga전자홀+q
ⓗp형 반도체제3족 P, As, Sb홀전자−q
1ⓐ, ⓕ
2ⓑ, ⓔ
3ⓒ, ⓗ
4ⓓ, ⓖ
문제 16
다음 회로가 직류정상상태에 있다고 할 때 커패시터의 전압 vv는?

112 [V]12\,[\mathrm{V}]
216 [V]16\,[\mathrm{V}]
324 [V]24\,[\mathrm{V}]
432 [V]32\,[\mathrm{V}]
문제 17
코일을 감은 횟수가 100회이고, 0.2초 동안에 자속이 8 [Wb]8\,[\mathrm{Wb}]에서 4 [Wb]4\,[\mathrm{Wb}]로 감소했다면, 이 코일에 유도되는 유도 기전력은?
12×102 [V]2\times10^2\,[\mathrm{V}]
22×103 [V]2\times10^3\,[\mathrm{V}]
34×102 [V]4\times10^2\,[\mathrm{V}]
44×103 [V]4\times10^3\,[\mathrm{V}]
문제 18
다음 회로의 동작을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

1A점에서 VGS=0 [V]V_{GS}=0\,[\mathrm{V}]일 때 VDS=0V_{DS}=0이면 ID=0I_D=0이 된다.
2B−C영역에서 VDSV_{DS}와 IDI_D가 옴(Ohm)의 법칙을 따르므로 저항성 영역이라 한다.
3VGS=0 [V]V_{GS}=0\,[\mathrm{V}]일 때, IDI_D가 일정하게 되는 B점을 핀치오프 전압(pinch−off voltage)이라 한다.
4C점 이후의 영역은 드레인과 게이트 사이의 역바이어스가 커져 항복현상(break down)이 일어난다.
문제 19
다음 논리 회로를 만족하는 출력 FF의 논리식은?

1X(Y+Z)+W‾X(Y+Z)+\overline{W}
2X(Y+Z)‾+W\overline{X(Y+Z)}+W
3XYZ+W‾XYZ+\overline{W}
4XYZ‾+W\overline{XYZ}+W
문제 20
AinA_{\mathrm{in}}단자에 아래의 입력 VinV_{\mathrm{in}}이 주어졌을 때 AoutA_{\mathrm{out}}에서의 출력 파형은?

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